简介:摘要随着现代集成电路的发展,提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向。HfO2材料作为SiO2最好的替代物,与硅基电路集成时有良好的兼容性。相比较于传统的铁电材料,经过特殊处理的HfO2基薄膜同样具备铁电性。这样,传统的铁电材料有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈。本论文以探究HfO2薄膜质量为背景,以射频磁控溅射法制备HfO2薄膜,通过使用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的物相组成与结晶情况进行表征分析,SEM表征薄膜样品的表面形貌。
简介:摘要:随着社会经济的不断发展,能源的需求量不断增加,为了能够将有效降低能源的损耗,实现能源的可持续发展目标,我国对于节能环保事业的发展尤为的关注。基于科学技术的发展,我国在照明领域开展的环保事业发展取得了一定的成就。例如LED的研发和应用,其在使用的过程中不仅节能环保,同时也体积比较小,且功能时效时间比较长,与普通的照明源对比来讲更具有发展前景。经过技术研发人员的不懈努力,找到了一种能够有效提升LED出光率的新技术,即通过蓝宝石图形化衬底实现LED高出光率的目标,为LED广泛应用于多个领域地奠定了坚实的基础。本文通过对蓝宝石图形化衬底提升LED出光率的机理、表面微结构对LED发光率的影响进行了分析,并探讨了LED蓝宝石图形化衬底的制作过程。