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硅衬底上有序氮化铝纳米线阵列的生长

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摘要在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

DOI n490wylx4y/673883

作者吕惠民;谷力

机构地区不详

出处《纳米科技》 2009年1期

关键词六方单晶氮化铝纳米线阵列气液固机制

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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