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《工业金刚石》
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2009年3期
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电子器件的金刚石基衬底
电子器件的金刚石基衬底
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摘要
本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法,包括下述步骤:提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片;在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层;将硅晶片的厚度减少至预定水平;以及在所述硅晶片上提供第二表面,
DOI
g4qx7wloj8/840048
作者
机构地区
不详
出处
《工业金刚石》
2009年3期
关键词
金刚石合成
电子器件
衬底
制造方法
硅晶片
半导体层
分类
[金属学及工艺][刀具与模具]
出版日期
2009年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
工业金刚石
2009年3期
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