简介：全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战，我们应该意识到，节能减排，保护环境，是我们每一个人的责任。所以，我们应该从这一刻开始，关注生活细节，为保护我们的地球出一份力!

简介：今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

简介：

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD)，扫描电子显微镜学(SEM)，field-emssion传播电子显微镜(FETEM)，Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后，简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。

简介：在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后，例如双水晶X光检查衍射(DCXRD)，光致发光(PL)系列，等等，在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB)，这被发现，并且被Si的做的水平很可能引起。

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简介：<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

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简介：ThepurecubicGaN(c-GaN)hasbeengrownon(001)GaAssubstratesbyECR-PAMOCVDtechniqueatlowtemperatureusingTMGaandhighpureN2asGaandNsources,respectively.TheeffectsofsubstratepretreatmentconditionsonqualityofcubicGaNepilayerareinvestigatedbythemeasurementsofTEMandXRD.Itisfoundthathydrogenplasmacleaning,nitridationandbufferlayergrowthareveryimportantforqualityofcubicGaNepilayer.

简介：Byusingspectroscopicphotoconductance,transmittanceandluminescencemethods,theopticalcharacterizationofGaNgrownbyplasmasourceMBEhavebeenevaluated.Theimperfectionoftheepitaxiallayerdeducedfromthemeasuredresultshavebeendiscussed.Thetransientresponsesofthephotoconductivedetectorshavebeenmeasured.Twotimeconstantsof0.17msand6.85msatroomtemperaturearededucedfromthemeasuredresults.Theoriginshavealsobeendiscussed.

简介：摘要：自古以来信息的加密与破译就生生不息，人们对加密方法安全的更高追求也会永恒不变，基于GAN的加密算法检测模型，为未来深度学习在密码通讯领域的运用进行一些尝试。

简介：Measurementsoftheexcitationpower-dependenceandtemperature-dependencephotoluminescence(PL)areperformedtoinvestigatetheemissionmechanismsofInGaN/GaNquantumwells(QWs)inlaserdiodestructures.ThePLspectralpeakisblueshiftedwithincreasingtemperatureoveracertaintemperaturerange.ItisfoundthattheblueshiftrangewaslargerwhenthePLexcitationpowerissmaller.ThisparticularbehaviorindicatesthatcarriersarethermallyactivatedfromlocalizedstatesandpartiallyscreenthepiezoelectricfieldpresentintheQWs.Thesmallblueshiftrangecorrespondstoaweakquantum-confinedStarkeffect(QCSE)andarelativelyhighinternalquantumefficiency(IQE)oftheQWs.

简介：TheenergybanddiagramandchargedistributionoftheunintentionaldopedAIGaN/GaN/AIGaN/GaNdoubleheterostructurewereobtainedbyself-consistentPoissonSchroedingercalculations.Theseverebandtiltingandhightwo-dimensionalelectrongas(2DEG)densitymainlyattributetothelargeinternalpolarizationintensity,whichisc/osetoalinearfunctionorAlcomposition.TheinfluenceorAlcompositionisinvestigated.Theresultsshowthatbandtiltingenlargesand2DEGgainswithAIcomposition,andtwo-dimensionalholegasoccurswhenAIcompositionreachesacertainextent.TheinfluenceorAlcompositionandtwo-dimensionalholegas(2DHG)ondevicesisdiscussed.

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：调查在上植入Ge在氨下面轧了由MOCVD成年然后在1100点退火的电影周围被执行了。与增加Ge培植剂量，四座另外的山峰在260的波浪数字产生，314，428并且在Ramam系列的670cm-1。在PL系列，与在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队相比的乐队边排放的相对紧张随植入Ge的剂量的增加减少。260的模式和314cm-1被归因于散布的激活混乱的拉曼，而428的模式和670cm-1被分到空缺和空缺相关的建筑群的本地颤动。在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队也与这些空缺缺点有关。在为样品的301cm-1的新拉曼山峰退火了仅仅5min由于缺乏的退火从Ge簇发源。

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简介：剩余紧张和损坏由Si培植导致了在轧了样品被学习了，以及电子特征。这些成长得当的样品与Si的不同剂量被植入(1