简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光束传播法对所设计阵列波导光栅进行了模拟。结果表明,器件尺寸为200μm×219μm,远小于目前技术较成熟的硅基SiO2的尺寸,光功率分布符合高斯分布,信道间隔为1.8nm,串扰小于-21dB。对小尺寸AWG的设计具有参考意义。

简介：美国斯坦福大学科学家发明了一种纳米线制作的新型锂电池，这种电池比传统充电电池的储电量提高了10倍。其技术的关键在于提高电池阳极的储电量。当电池充电时，带正电的锂离子将吸附住电流中的电子，并移动到阳极。当电池放电时，锂离子放出原来吸附的电子，放出电能，并通过导电胶回到阴极。传统电池的阳极由非常薄的碳原子层组成，而储存一个锂离子需要六个碳原子。

简介：随着对能源需求的不断增加，可再生能源尤其是太阳能越来越受到人们的重视，光伏应用作为太阳能利用的重要途径一直是研究的热点。近几年，具有半导体纳米线结构的太阳电池引起了人们的广泛关注，由于其独特的电子传输和光吸收特性，这种新型电池在提高电池的转换效率、降低生产成本等方面将可能成为很有发展潜力的太阳电池。

简介：美国国家标准工艺研究所（NIST）的科学家制成了由硅纳米线与传统数据存贮装置结合在一起的混合记忆元件。美国乔治马松大学和韩国Kwangwoon大学的研究人员一起参加了这项工作。这种混合结构可能比其他利用纳米线制成的记忆元件可靠性更高，而且更加易于转入商业应用。

简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：据物理学家组织网1月28日报道,最近,由麻省理工大学研究会公司和哈佛大学科学家与工程师组成的一个跨学科研究小组合作,用“自下而上”的方法将极微细的纳米线晶体管进行复杂的组装,制造出一种超小、超低能耗的控制处理器,在制造超小电子计算机系统上迈出了关键一步,同时也将逼近的“摩尔法则”大限远远推开.相关论文发表在1月底的美国《国家科学院院刊》上.

简介：采用连续介质理论与分子动力学模拟相结合的方法,研究了氧化锌纳米线的振动问题.建立了氧化锌纳米线核壳模型,解释其等效杨氏模量及压电常数的尺寸效应.通过连续介质理论求得氧化锌纳米线振动固有频率,并与分子动力学模拟得到的结果进行对比.研究表明,氧化锌纳米线在极化方向的等效拉伸杨氏模量随着横截面尺寸的增加而逐渐增大,且通过核壳模型分别求得核、壳拉伸杨氏模量.拟合得到的等效拉伸杨氏模量与分子动力学方法获得的等效拉伸杨氏模量符合得很好.根据连续介质理论得到等效弯曲杨氏模量,发现等效弯曲杨氏模量也随着横截面尺寸的增加而增大.氧化锌纳米线极化方向的压电耦合能力比一般压电陶瓷好,压电常数随着横截面尺寸的增加逐渐减小.氧化锌纳米线在不同温度条件下的振动频率没有明显变化,在不同外电场条件下的振动频率有显著变化.分子动力学模拟得到不同横截面尺寸的氧化锌纳米线振动频率不同.根据连续介质理论,求得悬臂Timoshenko梁模型相应尺寸的振动频率,发现横截面的尺寸越大,连续介质理论与分子动力学模拟得到的振动频率越接近.

简介：摘要：纳米银线透明导电薄膜具有优异的光学透过性和导电性能，是最有可能替代ITO的材料。本文简要地叙述了纳米银线的生长机理，着重介绍了近年来纳米银线的激光束焊接、化学焊接、电阻焊接及冷焊等焊接工艺现状，并对纳米银线透明导电薄膜的应用前景进行了展望。

简介：德国马普学会微结构物理研究所首次在铝微粒上生长了硅纳米线。铝粉起到生长纳米线的催化剂作用。这一进展很有意义，因为硅纳米线有助于进一步减小微芯片的尺寸。

简介：阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

简介：采用固一液一固（SLS）生长机制，研究常压下金催化硅纳米线的制备方法。实验中将硅基Au薄膜在氩氢气中退火，退火温度为1050℃和1080℃，退火完成后在扫描电镜下观察硅片表面的形貌变化，分析不同退火温度、通气量和金膜厚度下的实验结果，并在此基础上进一步讨论了各变量对硅纳米线的生长影响及其机理。

简介：以采用物理热蒸发法制备的纯ZnO纳米线和Ag掺杂ZnO纳米线为气敏基料，制备成旁热式气敏元件，用静态配气法对浓度均为100ppm的无水乙醇蒸汽、氨气、甲烷及一氧化碳四种气体进行气敏性能测试，结果表明，Ag掺杂后，ZnO纳米线对四种气体灵敏度的最高值分别提高了230％，92％，158％，49％，缩短了响应时间和恢复时间。

简介：采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：采用热蒸发法系统研究了影响氧化锡纳米结构形貌的主要因素。结果发现改变反应中衬底的温度以及氧气的流量或分压所制备的氧化锡纳米结构形貌有较大的变化。在低温、低的氧流量或氧压下所合成的氧化锡为线状结构，在相对高温、高的氧流量或氧压下所合成的氧化锡为棒状形貌。

简介：利用反相胶束结合溶剂热法制备了BaCO3单晶纳米线。该方法中，油酸／正辛烷／水体系中的反相胶柬起到模板作用，引导BaCO3沿一维方向生长，通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、投射电子显微镜（TEM）和高分辨电子显微镜（HRTEM）对BaCO3纳米线进行了表征，结果表明，所制备的BaCO3纳米线为均匀的直线形单晶纳米线，直径为80～200nm，长度为几百纳米到几微米。对BaCO3纳米线的形成机理进行了分析。

简介：采用化学气相沉积（CVD）法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si（111）衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明,氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。

简介：

简介：分别采用LPR-SC-MS/TE法制备一种亚波长结构金属薄膜：铜纳米线/金属膜复合结构。在这种复合结构中,铜纳米线平行镶嵌于金属膜中。利用光学显微镜和紫外分光光度计分别对复合结构膜的形貌及光学吸收特性进行研究发现：采用LPR-SC-MS/TE法制备的铜纳米线/金属复合结构膜中仅同质的铜纳米线/铜膜复合结构在656nm波长处出现一个明显的SPR共振吸收峰,而异质的复合结构在可见光范围内未出现SPR共振吸收峰。