简介：摘要：伴随着摩尔定律的发展，集成电路（以下简称IC）的发展经历了从小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路（MSI）、大规模集成电路（LSI）、甚大规模集成电路（VLSI） 直至今天的超大规模集成电路（ULSI）、巨大规模集成电路（GSI）。根据国际半导体技术路线图（ITRS）的规定，集成电路工艺水平是通过技术节点来衡量。技术节点通常以晶体管的半节距 （half-pitch） 或栅极长度（gatelength）等特征尺寸（CD，critical dimension）来表示 。在进入 ULSI 时代以后，横向空间的饱和，促使 IC 制造向垂直空间发展；向垂直空间发展的思路促使多层金属互连技术的出现。而多层金属互连技术的出现导致 IC 制造过程中不可避免的在层与层之间产生台阶，层数越多表面起伏愈加明显。明显的表面起伏主要有两方面的影响产生，一方面金属布线中容易导致断线、短路、断路，另一方面导致光刻时对线宽失去控制。

简介：基于DWPI数据库,通过检索、统计和分析国内外CMP抛光垫技术专利申请文献,分析CMP抛光垫技术领域的研究现状,归纳总结CMP抛光技术的研究方向和研究结论,并展望CMP抛光垫技术的发展趋势。

简介：在不同条件下（不同助剂比例和不同研磨液浓度），通过对锗化学机械抛光速率变化的研究，探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程，分析了助剂比例对抛光速率的影响。

简介：摘要在科技发展的推动下，我国集成电路制造技术也进入了一个全新的发展阶段，不断的提升了晶圆直径，不断缩小了特征线宽，进而将更高的要求抛向了全局平坦和局部的平坦，因此，为了有效额解决这样的问题，将机械抛光机技术应用到其中是非常必要的。

简介：系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

简介：[摘要]化学机械抛光(CMP)，属于集成电路总体制造当中获取全局内平坦化的技术手段，主要是为获取平坦、无玷污、无杂质、无划痕等表面所专门设计的一项技术工艺，为更进一步了解其对光学玻璃的微观材料整个去除机制情况，本文主要探讨光学玻璃制造当中CMP处理微观材料的去除机制，仅供业内参考。

简介：摘要：修理和维护公司机械设备时，可能会遇到许多不同的问题，并受到外部或内部因素的干扰。这些问题对公司的影响很大因此，必须及时采取适当措施，处理维修和保养问题，并为企业机械设备的正常运转提供更有力的技术支持。基于此，本文章对锗化学机械抛光工艺中绿色环保氧化剂的研究进行探讨，以供相关从业人员参考。

简介：半导体芯片的生产主要依靠化学机械抛光(CMP)工序使硅片表面平坦化，使复杂的集成电路能非常有效地工作。做为电路设计不可避免地趋向于采用高度集成和多层结构。故化学机械抛光技术必须紧跟其需要与发展。化学机械抛光垫性能的关键是采用金刚石化学机械抛光垫修整器工作时，抛光垫工作寿命期间，必须保持恒定的抛光效果。

简介：对传统铜及铜合金化学抛光的HNO_3-H_2SO_4-HCl体系进行了改进,提出了NaNO_3-H_2SO-4-HCl无黄烟化学抛光工艺。

简介：本文简要介绍了酸性和碱性电化学抛光的配方及工艺参数，分析了各自技术的优缺点及部分研究成果，指出了电化学抛光技术的发展趋势。

简介：摘要随着我国科学技术的不断发展，工业设备和生产技术不断趋于精密化发展，满足了人们对生产生活日益严格的要求。传统抛光技术，表面粗糙，生产速率不高，难以满足现代化生产的需求。为了达到高精度抛光的要求，降低被抛物体表面的粗糙度，国内外相关研究人员不断致力于此，目前比较先进的抛光技术有机械抛光、化学抛光、电化学抛光等处理技术。

简介：

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简介：摘要自动抛光机在实际应用过程中，可以根据已下达的指令，完成抛光工艺的一系列操作，这样不仅有利于提高抛光效率，而且还能够保证抛光质量。本文针对自动抛光机的具体设计情况进行分析，并且对抛光结构的受力情况进行研究，为自动抛光机的实际应用效果提供有效保障。

简介：目前大米抛光机在国内应用已十分广泛,而如何减少增碎,提高米粒完整率和表面光亮度则是更加值得关注的问题。在这里就影响大米抛光机抛光效果的因素作进一步分析,供大家参考。

简介：现有的抛光砖生产工艺由于在抛光阶段会产生大量的废渣．很难直接回收利用．从而对周边环境造成极大的破坏。其中抛光废渣中含有氯氧镁水泥等杂质是造成抛光废渣直接回收利用时产生坯体膨胀、针孔、变形等缺陷的最重要原因。针对现有的抛光砖在抛光阶段产生大量的废渣难于直接回收再用的难题，本文提出了分类回收、自然沉降、分开使用的最优处理思路，创新性地丰富了抛光废渣回收领域的技术内涵。

简介：摘要为了抑制抛光粉纳米颗粒的团聚，改善抛光液的性能，使光学玻璃获得更高的抛光速率与更低的表面粗糙度，在氧化铈抛光液中添加阴离子表面活性剂梅迪兰，研究了梅迪兰质量分数对抛光液中粒子粒径、分散性以及材料去除率和抛光后光学玻璃表面粗糙度的影响。

简介：

简介：摘要介绍大米抛光的原理及原因，分析大米抛光的利弊。

简介：摘要宝石（Sapphire）是一种氧化铝（α-Al2O3）的单晶，又称为刚玉。蓝宝石单晶具有熔点高(2040℃)，硬度高(莫氏硬度9)，化学性能稳定，电绝缘性好，具有良好的热特性、极好的电气特性和介电特性，特别是具有优良的红外透过率等特性。在半导体领域中，主要是使用蓝宝石作为制备GaN薄膜的衬底，它与GaN之间的晶格常数失配率小，是目前最主要的GaN外延基片材料之一。