在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.
纳米科技
2009年1期
