简介:摘要:碳化硅单晶材料是一种重要的半导体材料,广泛用于功率器件、光电器件、高温传感器等领域。随着半导体材料需求的不断增加,碳化硅单晶的切片技术也在不断发展。本文主要介绍了碳化硅单晶衬底加工技术中涉及的切片、薄化、抛光等技术的现状及发展趋势。其中,切片技术分为传统机械法和先进的切割技术,而其切片质量主要由晶体结构、切割机器和切割参数等因素决定。在薄化过程中,化学薄化技术逐渐取代传统机械薄化技术成为主流,而对薄化效果的影响因素则主要包括初始厚度、薄化介质和薄化条件等方面。最后,抛光技术可分为机械式轮盘 CMP 机和悬浮 CMP 机等,而其抛光质量则受制于抛光液配方、抛光参数和抛光机器设备等方面。
简介:摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度,并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度,发现,清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应,自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成,且随着时间变长,氧化层的厚度越来越厚。