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  • 简介:使用第一原理计算氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理
  • 简介:<正>石墨烯(Graphene)自十几年前诞生以来就一直让科学家们着迷。这种仅仅一个原子厚度的碳元素材料拥有出色的电子特性、强度、超轻重量,用途也不断拓宽,但是如何为其植入能隙(bandgap/半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距),从而制造晶体管和其它电子设备,却始终让科研人员束手无策。

  • 标签: 石墨烯 六方氮化硼 电子特性 传导带 能隙 hexagonal
  • 简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化薄膜,制备氮化-铝复合基板。制备的氮化为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

  • 标签: 金属基板 氮化铝 阳极氧化铝 COB封装
  • 简介:摘要:氮化在热、电、光和机械等方面具有优异的综合性能。本文综述了目前国内外氮化粉体的制备方法和反应机理,并简单总结了各工艺的优缺点和生产现状。

  • 标签: 氮化铝粉体 铝粉直接氮化 碳热还原
  • 简介:在450℃反应温度下,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应,成功地在硅片衬底上制备了单晶氮化(h—AlN)纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状,粗细均匀,直径约为100nm,长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致,而且与硅片衬底垂直。经过分析,纳米线由气液固机制生长而成.

  • 标签: 六方单晶氮化铝 纳米线阵列 气液固机制
  • 简介:<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

  • 标签: 氮化镓 Kyma 半导体材料 垂直结构 氮化铝 半导体器件
  • 简介:文章主要介绍氮化陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化陶瓷基片的质量和生产的成品率。

  • 标签: 氮化铝陶瓷基片 生产 关键技术
  • 简介:摘 要: 氮化(AlN)是一种宽禁带III族氮化物,具有导热系数高、机械强度强、热稳定性好、介电常数低等优点。稀土元素(RE)掺杂被认为是进一步提高AlN性能及其应用的有效方法。本文对几种RE元素掺杂AlN后所形成的稀磁半导体(DMS)纳米结构进行介绍,阐明微纳结构与光电性能间的构效关系与物理本质,为稀土元素掺杂氮化纳米材料的潜在应用提供理论依据。

  • 标签: 氮化物 稀土元素 掺杂 纳米结构
  • 简介:中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/氮化硼平面异质结研究取得新进展,研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积(CVD)方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/氮化硼平面异质结,并将其成功应用于wSe2/MoS2二维光电探测器件。

  • 标签: 六方氮化硼 异质结 微系统 平面 石墨 上海
  • 简介:以三氯化铝和叠氮化钠为原料,利用复分解反应法在温度为650℃条件下反应3h,成功地制备出呈灰白色粉末的一维单晶氮化纳米材料,通过对样品进行XRD、TEM和SAED测试,结果表明,样品为表面光滑的长直形圆柱状结构的氮化,直径为50nm左右,长度在几个微米以上,晶格常数分别为a=0.268nm,c=0.498nm;AlN紫外吸收谱的研究表明,AlN样品在202nm处具有一个尖锐吸收峰,其对应禁带宽度值约为6.14eV,并采用气-固(VS)生长机理、择优取向原理对一维单晶纳米线的生长进行了解释。

  • 标签: 一维氮化铝纳米线 特性表征 生长机理 择优取向
  • 简介:在高温高压下的氮化锂-氮化硼(Li3N-hBN)体系中合成立方氮化硼(cBN)单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂(Li3BN2)组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

  • 标签: 立方氮化硼 生长界面 静态高温高压法 HRTEM XPS 生长机理
  • 简介:澍,号岳,无为人,清末民初时期在安徽颇具影响的诗人。光绪二十年中举,曾任李鸿章幕僚,兼东馆塾师。后外放江浙为盐运使,仅一年即辞职,归居故里“绣溪草堂”,后被推为劝学所长,服务桑梓,直至谢世。其诗文现存有《濡须诗选》、《岭南吟稿》、《紫蓬山志》、《巢湖志》等。读书与交友方岳生于无为县福路口铁匠岗张村。自记事后,目睹清廷腐败、列强入侵。岳怀着一腔救国济民之志,

  • 标签: 盐运使 国济 方澍 清末民初时期 濡须 光绪二十年
  • 简介:摘要通过实验对酸法提取粉煤灰氧化铝工艺中氯化铝煅烧制备氧化铝工序进行研究,分别考察不通煅烧温度(1100℃、1200℃和1300℃)和煅烧时间(1.0h、2.0h和3.0h)对煅烧后产品的影响。利用X射线衍射对产品进行表征,在满足产品中α-Al2O3为主要组成(>50%)的技术指标的基础上,以工艺能耗低、耗时短为评价标准,最终确定煅烧工艺技术条件为1200℃下煅烧1.0h,该条件下所得氧化铝产品中α-Al2O3含量达到60%,满足要求。

  • 标签: 粉煤灰 氧化铝 煅烧
  • 简介:提出了一种高性能氮化(AlN)差分谐振式加速度计结构。通过引入两级微杠杆来放大质量块的惯性力,提高灵敏度;采用"I"形支撑梁来降低横向灵敏度;利用差频检测方案降低温度共模误差的影响。该加速度计主要由质量块、支撑梁、双级微杠杆和谐振器组成,并通过理论分析和有限元仿真优化了它们的结构参数。模态分析表明两个谐振器的基频大约为373.3kHz,与干扰模态的频率差大约为9.4kHz,有效地实现了模态隔离。根据灵敏度的仿真结果,AlN差分谐振式加速度计的灵敏度64.6Hz/g,线性度为0.787%,横向灵敏度为0.0033Hz/g。热仿真的结果表明单个谐振器的温度灵敏度约为490Hz/℃,加速度计输出差频的温度灵敏度为–0.83Hz/℃,证明了差频检测方案可以降低温度共模误差的影响。上述所有仿真结果验证了该加速度计结构设计的可行性。

  • 标签: 谐振式加速度计 氮化铝 微杠杆 支撑梁 差频检测
  • 简介:<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

  • 标签: 铝基板 表面贴装 VISHAY 电阻层 薄膜电阻 最终用户
  • 简介:以V2O5为原料,采用碳热还原法制备氮化钒,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)观察与分析还原氮化产物的形貌与组成,分析产物的碳、氮、氧含量,研究原料配碳量、氮化温度和氮化时间等对还原氮化产物的影响。结果表明:还原氮化产物为碳氮化钒的固溶体。原料配碳量是影响反应产物中氮含量的关键因素,配碳比(质量分数)约为21%时还原氮化产物具有最高的氮含量14.76%;氮化温度应控制在1400~1420℃范围内,氮化时间达到4h即可实现氮化完全。

  • 标签: 五氧化二钒 氮化钒 碳热还原 氮化
  • 简介:西班牙'爆米花海滩'成网红西班牙加那利群岛一处海滩因遍地的沙子神似爆米花,在社交媒体上'走红'。旅游博客和Instagram用户纷纷聚焦这片不同寻常的海滩,'爆米花海滩'的称号由此诞生。从远处看,该海滩似乎与一般的白沙海滩并无二致。凑近一看,才发现这些沙子与爆米花极像。

  • 标签: 爆米花 宠物犬 Instagram 文图拉 柯蒂斯 加那利群岛
  • 简介:美国人为四川辣酱大打出手近日美国各地的麦当劳出现示威及混乱场面,更有顾客大打出手,要向警察求助。混乱的源头是一款源于卡通电影《花木兰》的四川辣酱近日再推出特别限量版,但供不应求,惹怒了排队抢购的顾客。据美媒体10月9日报道,为了配合宣传《花木兰》,片商曾于1998年联合麦当劳推出四川式的麦乐鸡酱。为了推销新款炸鸡,麦当劳宣布10月7日再次供应特别限量版的四川辣酱。

  • 标签: 路八方