简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：摘要：随着电子设备和能源领域对高性能、高稳定性材料需求的增加，新型基板材料对硅外延和碳化硅外延薄膜质量的影响备受关注。传统基板材料，极端工作条件下的表现不尽如人意。寻求更为优越的基板材料以优化外延薄膜的质量成为当前研究的重要方向之一。

简介：摘要：

简介：<正>化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808nmGaAs激光器晶片的能力。808nmGaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

简介：由汇能集团、汇能光电公司承担的“863”国家高技术项目“AlGaInP红、橙、黄光超高度LED外延片“产品通过由信息产业部主持的专家鉴定。鉴定委员会专家一

简介：利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As层和InP层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As层和InP层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2个数量级.

简介：语文与生活同在，它的外延与生活外延相等。《语文课程标准》中指出：“语文课程要加强综合性，沟通与其他学科之间的联系，沟通与生活的联系，在语文课程中学到其他方面的知识和方法在其他课程、其他场合中也可以学到语文，拓宽学语文用语文的天地。”

简介：文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。

简介：当今社会．“责任”使用率可谓频繁。究其内涵来讲，无论理解的还是不完全理解的．都已经深入人心，然而对其外延，也许尚有丰富完善之处。言及企业管理，责任管理应该是高于一切的管理。但在实际管理中，笔者发现了一个较为普遍的现象：许多人在理解“责任”二字时，特别强调了属于自己的工作范围、

简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，

简介：

简介：中国的饮食,在世界上享有盛誉,称为世界三大美食之一。饮食是人类赖以生存和繁衍的最基本的物质条件之一,民以食为天,饮食已经深深影响我们生活的各个方面,与我们的生活、政治、文化、文明和社会之间存在很大的关系。饮食所涉及的全部科学、艺术等方面的内容,已成为人类文明的标志之一。

简介：摘要目的探讨在脑卒中患者中，应用预案外延伸康复护理的效果。方法对50例患者行基础护理＋院外延伸康复护理，对患者护理后的复查情况、饮食情况以及Barthel评分进行记录统计，并与其余仅行基础护理的患者进行指标的对比评价。结果行基础护理＋院外延伸护理的患者其各项指标平均均显著优于仅行基础护理的患者，两组数据对比呈现为p<0.05，表明统计学意义存在。结论将院外延伸护理模式应用于脑卒中患者的康复护理中，效果显著，不但能够提高护理效率，同时降低医疗纠纷的发生概率，这对于临床研究具有重要作用。

简介：

简介：对于小学口语交际教学,我们在关注课前准备、课堂教学的同时,更要充分关注课外延伸。从学生的课外生活着手,对口语交际教学如何向课外延伸加以研究,以期教师能够对口语交际教学的课外延伸有准确的理解和运用。

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：摘要：随着社会经济的不断发展，能源的需求量不断增加，为了能够将有效降低能源的损耗，实现能源的可持续发展目标，我国对于节能环保事业的发展尤为的关注。基于科学技术的发展，我国在照明领域开展的环保事业发展取得了一定的成就。例如LED的研发和应用，其在使用的过程中不仅节能环保，同时也体积比较小，且功能时效时间比较长，与普通的照明源对比来讲更具有发展前景。经过技术研发人员的不懈努力，找到了一种能够有效提升LED出光率的新技术，即通过蓝宝石图形化衬底实现LED高出光率的目标，为LED广泛应用于多个领域地奠定了坚实的基础。本文通过对蓝宝石图形化衬底提升LED出光率的机理、表面微结构对LED发光率的影响进行了分析，并探讨了LED蓝宝石图形化衬底的制作过程。