简介：

简介：ThemethodsforprotectingInPsurfaceagainstdegradationduringannealing,includingencapsulantandencpsulant-freetechniques;rapidthermalan-nealingofInPimplantedlayers;implantedionspeciesandsomeprofilesoftypicaldopants,etc.,theyareallthekeytechniquesconcerningionimplantationintose-mi-insulatingInP,andhavebeenreviewedsyntheticallyaswell.

简介：SomenewresultsofimplantdisorderingonInPbasedMQWstructuresbyim-plantedcompositionaldisorderingarepresented.TheenergyshiftofPLpeakdependsonionspecies,iondose,annealingconditionsandtargettemperature,TheresultsindicatethatthenonactiveionssuchasF^+andNe^+arethebestcandiatesforIICD,theiondosewhichcausedbiggestblueshiftisaround1×10^14cm^-2forroomtemperatureimplantationand5×10^14cm^-2foranelevatedimplantedtemperatureof200℃andtheoptimumannealingconditionisapproximately750℃for30s.AESandTEMcharacterizationsuggeststhationbombardmentbynonelectricallyactiveionssuchasF^+,Ne^+inducedsameamountoflayerinterdiffusionwhichresultsinthebandgapblueshiftduetothecompositionalchanges.

简介：InPintegratedphotonicshasbecomeacriticalenablerformoderntelecommunications,andispoisedtorevolutionizedatacommunications,precisionmetrology,spectrometry,andimaging.Thepossibilitytointegratehigh-performanceamplifiers,lasers,modulators,anddetectorsincombinationwithinterferometerswithinonechipisenablinggame-changingperformanceadvances,energysavings,andcostreductions.Genericintegrationacceleratesprogressthroughtheseparationofapplicationsfromacommontechnologydevelopment.Inthispaper,wereviewthecurrentstatusinInPintegratedphotonicsandtheeffortstointegratethenextgenerationofhigh-performancefunctionalityonacommonsubstrateusingthegenericmethodology.

简介：Weproposethatnanomaterialsareusedforfibers.Anovelnano-InPdopedfiberhasbeenfabricatedbythemethodofmodifiedchemicalvapordeposition(MCVD).Ithasbeenmeasuredthatthedopingconcentrationofphosphoruselementis0.1%.TherelationshipbetweenrefractiveindexandthewavelengthisobtainedbyfittingexperimentaldatatoSellmeierequation.Dispersionofthefiberhasbeencalculatedinthewavelengthrangeof1.2-1.6μm.Asthewavelengthvariesfrom1.20μmto1.60μm,dispersionparamete...

简介：WehavemeasuredthedeepenergyleveloftheInP:Fewhichissemi-insulatorthroughthemethodofOTCS.TheeffectoflightintensityonOTCSmeasurementismainlydiscussed.ThereareelectrontrapofET=0.034eVandholetrapofET=1.13eVinInP:Feunderthestronglightandlowtemperature.ThelocationoftheOTCSpeakofelectrontrap(ET=0.34eV)movestowardsthedirectionofhightemperaturer,whenthelightintensitywasincreased,ETisdifferentunderdifferentlightintensity.Itiscorrectedintermsoftheorythatthestuffratioofthedeepenergylevelisaffectedbythelightintensity.Theexperimentsshowthattheerrorisdecreasedgreatlywiththecorrection.

简介：Zinchasbeendiffusedinton-typeInxGa1-xAs,InPandGaAsinclosedam-poules,andtheexperimentaldataforInxGa1-xAsrarelyreportedpreviouslyhavebeenob-tained,TheoreticallythelinearrelationsipbetweenlogarithmicdiffusioncoefficientlnDandthecompositionxhasbeendemonstrated,whichisingoodagreementwiththeexperimentalresults.ThecalculateddiffusionjunctiondepthforInGaAsbasedonthediffusionmodelinwhichD^∝c^2isassumedalsoagreeswellwiththatoftheexperment,Finallytheoveralldiffusiontimeinamultiayerheterostructurewasapproximatedast=(∑√-ti）^2.

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：WestudythroughelectromagneticmodelingtheabsorptionoflightofagivenwavelengthinanarrayofhorizontalInPnanowiresofdiameterlessthan100nm.Suchabsorptionisperformedmostefficientlybyusingpolarizedlightandbyexcitingacoupledopticalresonanceinasparsearray.Inthatcase,weexcitearesonanceintheindividualnanowiresandcoupletheresonancesinneighboringnanowiresthroughalatticeresonanceoftheperiodicarray.Atsucharesonance,anarraywithnanowiresof80nmindiametercanabsorbmorethaneighttimesmorestronglythanatight-packedarray,despitecontainingaseventimessmalleramountoftheabsorbingInPmaterial.

简介：ThedarkcurrentofIn0.47Ga0.53As/InPheterojunctionphotodiodes(HPDs)wasanalysed.Wefoundthatthereexistsanewdarkcurrentcompo-nent-deeplevel-assistedtunnelingcurrent.DLTSwasusedtomeasuretheIn0.47Ga0.53As/InPHPDs.Anelectronictrapwhichhasathermalactivationenergyof0.44eV,levelconcentrationof3.10×10^13cm^-3andelectroniccapturecrosssec-tionof1.72×10^12cm^2hasbeenfound.It^ˊsexistenceresultsinthenewtunnelingcurrent.

简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，

简介：

简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：摘要：随着社会经济的不断发展，能源的需求量不断增加，为了能够将有效降低能源的损耗，实现能源的可持续发展目标，我国对于节能环保事业的发展尤为的关注。基于科学技术的发展，我国在照明领域开展的环保事业发展取得了一定的成就。例如LED的研发和应用，其在使用的过程中不仅节能环保，同时也体积比较小，且功能时效时间比较长，与普通的照明源对比来讲更具有发展前景。经过技术研发人员的不懈努力，找到了一种能够有效提升LED出光率的新技术，即通过蓝宝石图形化衬底实现LED高出光率的目标，为LED广泛应用于多个领域地奠定了坚实的基础。本文通过对蓝宝石图形化衬底提升LED出光率的机理、表面微结构对LED发光率的影响进行了分析，并探讨了LED蓝宝石图形化衬底的制作过程。

简介：同步辐射软X射线（白光）对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示，样品表面电子态变化明显，P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。

简介：采用原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）对不同处理流程后的InP（100）表面粗糙度及化学成分进行测试分析，优选出C、O元素浓度较低，且表面均方根粗糙度影响较小的表面清洗方法。通过比较键合结构的薄膜转移照片可知，表面清洗后的干燥与除气步骤可较好地去除键合界面中的空洞和气泡，从而提高键合质量。键合结构的电子显微镜（SEM）照片，X射线双晶衍射曲线（XRD）及I-V测试分析表明键合结构具有良好的机械、晶体及电学性质。

简介：

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简介：p类型(100)上的HfO2电影的乐队排列磁控管劈啪作响种的InP底层被调查。化学状态和系统的结合的特征被X光检查光电子光谱学(XPS)描绘。结果证明没有Hf-P或Hf在里面的存在，有在2在接口的O3和InPO4。紫外分光光度计(UVS)被采用获得HfO2的乐队差距价值。在3d和Hf4f，核心级的系列和原子价系列被采用获得HfO2/InP的原子价乐队偏移量。试验性的结果出现(5.88??T