简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

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简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

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简介：多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

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简介：氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

简介：柔性互联供应商Parlex公司日前与英飞凌科技(InfineonTechnologles)宣称，双方成立一家合资企业将合作生产和销售用于安全移动电子识别产品的衬底。

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

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简介：现在CPU随着主频的提高,功耗和发热节节上升。在CPU和散热风扇中间涂硅脂,可以有效地填补由表面不平而产生的空气间隙,有效改善散热效果。但在涂抹硅脂的过程中我们往往会把硅脂涂到核心以外的地方,不但浪费了宝贵的硅脂,如果硅脂中含有金属颗粒还可能造成CPU桥路间短路。我们在测试时需要经常更换CPU,所以做出了这张涂硅脂防溢出卡。

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简介：从理论上研究了纸张背衬不同衬底的光反射率，得出下列表达式：Rb=Ra+(Rx-Ra)×(1/Rx-Ra)/(1/B-Ra)(B为衬底的光反射率)，该式简单实用且物理意义明确。利用上述公式，可将Tappi标准刊出的Tappi不透孵度C0.39的换算公式简化，并可从理论上定性地讨论纸张不透明度与印刷透印性的关系。

简介：尝试用热丝化学气相沉积工艺(HFCVD)在铁衬底上合成金刚石。通过喷嘴向铁衬底上喷射源气体，可在大气压下合成金刚石。金刚石晶粒尺寸在180分钟内可生长到约20μm。用本工艺合成的金刚石只含有少量非金刚石碳。同铁衬底的情况一样，喷射源气体也有利于硅片上的金刚石合成。

简介：2105年4月9日,我和小孙子带着爱犬贝贝漫步在一中校园,参加即将举行的第100届校园科技节成果展览仪式。现任校长G博士通过红外传感已经在两千米以外接收到我来的信息,很快就来到我的面前,与我握手。我们一同步入传送带,快而稳地进入了一中校园最具纪念意义的地方——百年讲堂。这是我青年时期常来的地方,它勾起了我无限的回忆与遐想。这时大堂里面已坐满了师生,他们正以热烈的掌声欢迎我的到来。

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简介：近年来与金刚石成核有关的技术研究取得了较大的进展.本文综述了衬底表面的预处理对增强利用化学气机沉积生长金刚石薄膜成核的作用,并进行了分析和讨论.

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。