简介：本文阐述了ULSI硅衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

简介：在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.

简介：用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜．用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS／PS复合膜的光致发光性质．XRD结果表明，制备的ZnS薄膜沿G—ZnS（111）方向择优生长，结晶质量良好，但衍射峰的半峰全宽较大；SEM图像显示，ZnS薄膜表面出现一些凹坑，这是衬底PS的表面粗糙所致．室温下的光致发光谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰蓝移．把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加，在可见光区450～700nm形成了一个较宽的光致发光谱带，ZnS／PS复合膜呈现较强的白光发射．

简介：<正>据日本媒体NihonKeizaiShimbun报道,日本有色金属制造商DowaMin-ing有意批量生产蓝宝石基的GaN衬底材料。总部位于东京的Dowa公司将与名古屋工业大学合作开发上述产品,某些技术将由NGKInsulators公司提供。Dowa公司预计向这个新项目投资超过4600万美元,在2007年财年一开始就投入量产,并预期在2008财年期间产品的销售收人达到9000万美元左右。

简介：本发明涉及一种用于制造半导体层或器件的衬底的制造方法，包括下述步骤：提供包括适合作用于CVD金刚石合成的衬底的至少一个第一表面的硅晶片；在所述硅晶片的第一表面上生长具有预定厚度并具有生长面的CVD金刚石层；将硅晶片的厚度减少至预定水平；以及在所述硅晶片上提供第二表面，

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简介：<正>Berkeley实验室的研究人员在Si衬底上采用氮化铪(H_fN)中间层生长出优良结构和光学质量的GaN膜。这些研究人员还建立了在Si上淀积H_fN和在H_fN上淀积GaN的工艺参数。用Si衬底而不用蓝宝石衬底来生长GaN提供了很大的成本优势,并提供了GaN基器件与常规Si电子器件单片集成的可能性。

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简介：摘要：随着社会经济的不断发展，能源的需求量不断增加，为了能够将有效降低能源的损耗，实现能源的可持续发展目标，我国对于节能环保事业的发展尤为的关注。基于科学技术的发展，我国在照明领域开展的环保事业发展取得了一定的成就。例如LED的研发和应用，其在使用的过程中不仅节能环保，同时也体积比较小，且功能时效时间比较长，与普通的照明源对比来讲更具有发展前景。经过技术研发人员的不懈努力，找到了一种能够有效提升LED出光率的新技术，即通过蓝宝石图形化衬底实现LED高出光率的目标，为LED广泛应用于多个领域地奠定了坚实的基础。本文通过对蓝宝石图形化衬底提升LED出光率的机理、表面微结构对LED发光率的影响进行了分析，并探讨了LED蓝宝石图形化衬底的制作过程。

简介：多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

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简介：样品经高温灼烧除碳，碳酸钠一硼酸熔融，盐酸酸化，以动物胶重量一钼蓝光度法测定总硅量，该方法精密度和准确性能满足日常检测需要。

简介：硅钙合金是一种炼钢脱氧剂，其中若存在游离硅、二氧化硅杂质会影响炼钢脱氧效果，目前国家标准无硅钙合金中游离硅分析方法。研究了氢氧化钠溶液提取非合金相硅的条件，用硅钼蓝光度法分析硅含量，分析方法回收率达95．9％，可用于硅钙合金中非合金相硅测定。

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。

简介：氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

简介：柔性互联供应商Parlex公司日前与英飞凌科技(InfineonTechnologles)宣称，双方成立一家合资企业将合作生产和销售用于安全移动电子识别产品的衬底。

简介：LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

简介：系统地分析了蓝宝石抛光工艺过程的性能参数,通过大量实验总结出了其影响因素并提出了优化方案。结果表明,采用粒径为40nm、低分散度的SiO2溶胶磨料并配合以适当参数进行抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率,能够有效提高蓝宝石表面的性能及加工效率。

简介：摘要采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表明,在衬底温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿c轴择优生长。