简介：硅钙合金是一种炼钢脱氧剂，其中若存在游离硅、二氧化硅杂质会影响炼钢脱氧效果，目前国家标准无硅钙合金中游离硅分析方法。研究了氢氧化钠溶液提取非合金相硅的条件，用硅钼蓝光度法分析硅含量，分析方法回收率达95．9％，可用于硅钙合金中非合金相硅测定。

简介：研究超重力场下铝硅过共晶熔体凝固精炼提纯冶金硅。实验结果表明：超重力作为一种强化分离手段,可以实现铝硅合金中初晶硅颗粒的富集分离。在超重力作用下,铝硅合金中精炼硅颗粒沿超重力方向富集在铝硅合金下部。用王水溶解其中的铝,得到初晶硅颗粒。通过分析初晶硅中杂质含量可知,与冶金硅原样相比,精炼后的硅纯度由99.59%提高到99.92%,硼和磷的质量分数分别由8.33×10-6和33.65×10-6降低到5.25×10-6和13.50×10-6,表明该提纯方法可行。

简介：7月20日，中华人民共和国商务部发布2012年第40号和第41号公告，决定即日起对原产于美国的进口太阳能级多晶硅进行反倾销和反补贴立案调查，对原产于韩国的进口太阳能级多晶硅进行反倾销调查。

简介：近日，美国和韩国一些企业的多晶硅以每公斤21美元的低价涌人中国，而国内企业产品价格一般是35美元左右，从去年下半年开始，国内多晶硅市场进入了一个非常寒冷的“冬天”。2012年，全球多晶硅总体产能预计为32．8万吨，比去年的28．5万吨增长15％。相比之下，今年全球多晶硅需求预计只有19．6万吨，比2011年的20．5万吨减少4％左右。

简介：目前高尔夫球场管理人员在肥料管理中非常重视氮磷钾的使用,常常忽略另外一种植物必需的而土壤中又常常缺乏的元素一硅。硅是禾本科植物生长不可缺少的中量元素,对植物正常的生理活动有着重要的影响,但目前在高尔夫草坪施肥管理中,常常遗漏了这个重要的肥料。近年来的研究

简介：利用双喷嘴扫描喷射成形技术制备27%SiAl、42%SiAl、50%SiAl等3种Si-Al合金电子封装材料,并对该材料进行热等静压致密化处理。研究合金沉积态和热等静压态的显微组织,测定合金的热膨胀系数、抗拉强度及抗弯强度,利用扫描电镜研究其断裂机制。结果表明：沉积态Si-Al合金的硅相呈均匀弥散分布。随含硅量增加,合金凝固区间增大,初生硅相的数量增多,平均尺寸增大,由全部颗粒状分布逐渐演化为呈部分颗粒、部分骨架状分布,这种均匀弥散分布的结构有利于降低合金的热膨胀系数。27%SiAl、42%SiAl、50%SiAl合金的热膨胀系数连续可控,室温至200℃分别为14.76×106、9.75×106、9.29×106/K。随硅含量升高,材料的抗弯强度和抗拉强度呈下降趋势。27%SiAl合金的平均抗拉强度和抗弯强度分别达到196MPa和278MPa,伸长率为9.5%。42%SiAl与50%SiAl的平均抗拉强度与抗弯强度都接近,分别达到140MPa及220MPa,伸长率小于1%。断裂方式由以铝相的韧性断裂为主逐渐转变为以硅相的脆性裂为主。

简介：摘要微硅粉也叫硅灰或称凝聚硅灰，也有人叫硅粉,是硅铁或金属硅生产过程中由矿热炉中的高纯石英、焦炭和木屑还原产生的副产品，主要成分是SiO2，一般微硅粉的颜色在浅灰和深灰之间，SiO2本身是无色的，其颜色主要取决于碳和氧化铁的含量，碳含量越高，颜色越暗，另外加密的硅粉要比自然硅粉颜色暗。硅粉的粒径都小于1um，平均粒径为0．1um左右，是水泥颗粒直径的1／100，所以硅粉能高度分散于混凝土中，填充在水泥颗粒之间而提高密实度，同时微硅粉具有很高的活性，能更快更全面的与水泥水化产生的氧氢化合物反应。

简介：一、硅和硅的化合物性质的考查例1分析化学反应实质，认识化学反应规律是学习化学的再要方法．对下列反应的分析正确的是（）．

简介：在塑料加工成型的过程中，往往会出现塑料成型制品难以脱离甚至几乎不能脱离模具的问题。为了防止粘合作用的发生，便于制品的脱模，需使用一种能够形成高效隔膜的添加剂一一脱模剂。从广义上讲，脱模剂属于乳化剂范畴，它可以减少和防止模具表面粘着固体或液体薄膜。

简介：文章主要介绍了通过对厚多晶硅膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶硅掺杂扩散模式，其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶硅中，需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响，一定厚度的掺杂多晶硅电阻值是无法无限制降低的，要制作低阻值多晶电阻，需要淀积厚多晶硅薄膜。文章选择炉管扩散的方式，进行低阻值的多晶硅薄膜制作，并通过实验，证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶硅方块电阻。

简介：随着中国钢铁产能的不断膨胀,对锰系合金需求量不断激增,间接地对原料进口锰矿的需求量也不断增加,本文在对近几年中国进口锰矿数量、来源、价格变化进行分析的同时,也对锰系合金的代表品种锰硅合金市场运行以及其同进口锰矿的走势关系进行分析说明,并在最后对后期市场运行趋势作出相应预测.

简介：<正>据报道,美国哥伦比亚大学一项新研究证明石墨烯具有卓越的非线性光学性能,并据此开发出一种石墨烯-硅光电混合芯片。这种硅与石墨烯的结合,让人们离超低功耗光通信近了一步,让该技术在光互连以及低功率光子集成电路领域具有广泛的应用价值。相关论文发表在《自然·光学》杂志网站上。该研究团队由哥伦比亚大学的工程师和新加坡微电子研究所的研究人员组成。他们通过放置一个碳原子厚度的石墨烯薄片,成功将不发生光电或电光

简介：应用高频红外碳硫仪,建立了硅钙钡合金中硫的测定方法。对试样的用量,特别是助熔剂的选择和配比进行了探讨。分析结果令人满意,该法现已应用于工作中。

简介：近期，据从多家多晶硅企业了解到的信息称，商务部已确认在多品硅领域对美国发起“双反”立案，对韩同亦发起反倾销调合。

简介：

简介：本文运用AMPS-1D软件模拟仿真了P型微晶硅窗口层材料对pin型太阳电池性能的影响。结果表明，太阳电池的性能随窗口层材料带隙的变化而变化。当带隙Elx=1．6eV时电池性能最佳，获得了7．309％的高效率。

简介：德国欧司朗公司（OSRAM）光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光LED原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150mm硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基板制作LED芯片，并保持了相同的照明质量和效率。目前，该款LED芯片已经进入试点阶段，在实际条件下接受测试。欧司朗公司表示首批硅晶圆LED芯片有望在两年内投放市场。

简介：9月下旬，北京京运通科技股份有限公司成功开发出6英寸区熔单晶炉设备。采用该国产设备已连续成功拉制出6英寸区熔单晶。

简介：三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定。即采取测量三氯氢硅生长后的硅外延本征电阻率的方法来衡量其纯度。而影响硅外延本征电阻率的主要因素为系统的自掺杂，增加硅外延的生长时间可以有效抑制系统自掺杂，但无限制的增加生长时间必然导致生产成本的增加。文中通过实验数据，确定了一个合理的硅外延本征生长工艺过程，从而达到了评价三氯氢硅纯度的目的。

简介：采用氟硅酸钾法测定铁合金中的硅。试样用KOH和KNO3混合熔剂在镍坩埚中熔融,选取了最好的熔融条件,避免了用NaOH和Na2O2熔样时的起火爆炸现象。同时也减少了对镍坩埚的损害,易于浸取。采用自制的抽滤装置,抽滤速度快,滤纸不会穿漏,吸附的残余酸量很少,易于洗涤和中和。样品平行测定的相对标准偏差在0.13%～0.25%,回收率实验结果为98.32%～101.1%。此方法快速简便,准确度和精密度高,经大量生产检验,结果满意。