简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：通过RH顶枪吹氧实践,将钢水中富余的硅氧化生成SiO2,脱除至渣中,使钢水硫、硅含量由偏上限或超标准降低到目标内控,其他元素尽量少氧化,达到精确控制钢水硅成分的目的。

简介：摘要本文通过对目前较流行新型采暖方式硅晶地暖的原理，优缺点的分析，结合本单位工程期间对采暖设施的改造，对硅晶地暖与其他比较常用的采暖设施做了比较分析，并简述了在本单位的铺设使用情况。

简介：采用SAC-Ⅲ＋G太阳能光伏电池实验（探究型）系统研究了太阳能光伏电池的3个基本特性：光照特性、温度特性及光谱响应特性.其中,光强特性选取600-1200W/m2区间,得出单晶硅光伏电池不同光强下的伏安特性变化曲线.温度特性实验选取-10℃到35℃区间,得出不同温度对光伏电池开路电压、短路电流及转换率的影响.光谱响应实验选取395nm,490nm,570nm,665nm,760nm,865nm,950nm,1035nm等8组波长,得出单晶硅光伏电池最佳光谱响应波长为900nm左右.

简介：摘要目的分析硅凝胶假体隆乳术实践程序，总结８９例病患的临床体会，研究硅凝胶假体隆乳术优化手段。方法笔者随机选取２０１３年１月－２０１５年１月期间在本院接受隆乳的８９名女性，均予以硅凝胶假体隆乳术，对其术后效果进行观察与总结。结果所有女性接受硅凝胶假体隆乳术之后，其两乳较为丰满，对称性良好，形态以及手感都十分逼真，同时未对其哺乳造成任何影响，病人满意程度达到９８８８％，纤维包膜出现挛缩症状的发生率仅为１１２％。结论硅凝胶假体隆乳术实践程序中，医师除了要对乳房假体进行合理选择之外，要求病人术后进行持久按摩，有助于提升手术成功率。

简介：摘要本文对硅的用途及有机硅材料具有独特的结构进行了分析，阐述了硅铁的用途，提出了硅铁的应用措施，以供大家参考。

简介：以钛白粉副产废盐酸对除硅含钒废渣浸出提钒,采用20%N235＋5%仲辛醇＋75%磺化煤油萃取体系,对酸浸液进行钒与杂质的分离以制备五氧化二钒。研究了萃取原理、杂质对萃取的影响、反萃结晶偏钒酸铵一步完成和煅烧等。试验结果表明,除硅含钒废渣酸浸液经氧化后pH在2.0～2.5经三级萃取,钒的萃取率大于99%;Al^3＋、Fe^3＋、Mg^2＋、Mn^2＋、Ca^2＋等主要杂质几乎不被萃取;负钒有机相经氨水反萃和结晶偏钒酸铵一步完成;偏钒酸铵煅烧制备的V2O5质量达到国标（GB3283-87）冶金99级要求。

简介：摘要改良西门子法生产多晶硅是当前较为普及、技术熟练度最高、扩充速度最迅速的技术。本文将阐述改良西门子法多晶硅生产技术进展，力图使改良西门子法多晶硅生产技术持续创新，并提升多晶硅生产效率。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：以2-甲基咪唑、溴乙烷、氯甲基三甲基硅烷和对甲苯磺酸为原料合成了新型的1-三甲基硅基甲基-2-甲基-3-乙基咪唑对甲苯磺酸离子液体,并对其进行了红外光谱分析。探究了该含硅离子液体用量、酸醇摩尔比、反应温度和反应时间等因素对其催化没食子酸丙酯合成的影响及其重复使用性能。在没食子酸用量为2.3518g（0.0125mol）、含硅离子液体用量为0.25g（0.00068mol）、酸醇摩尔比为1：8、反应温度130℃、反应时间4h的条件下,没食子酸丙酯的产率可达79.5%。研究表明1-三甲基硅基甲基-2-甲基-3-乙基咪唑对甲苯磺酸离子液体具有良好的催化效果和重复使用性能。

简介：硅磷镍矿（Ni,Fe）8（Si,P）3是一种4元陨石矿物,对探寻地核中轻元素的存在形式具有一定指示意义。采用同步辐射X射线衍射并结合金刚石压腔技术,笔者开展了硅磷镍矿的等温状态方程及其相变研究。实验结果表明常温下在0.0001-41.9GPa内硅磷镍矿没有发生结构相变,但在34GPa时其晶胞参数呈现不连续变化。这一异常变化可能与硅磷镍矿的磁性转变有关。对34GPa前后的p-V实验数据分别进行拟合,得到了硅磷镍矿的状态方程参数V0=1.446（3）nm3、K0=231（8）GPa（p〈33GPa）和V0=1.414（6）nm3、K0=343（18）GPa（p〉35GPa）。而在高温高压条件下,硅磷镍矿会发生结构相变或者分解。

简介：平板探测器的校正是获取高质量DR图像的前提,本研究针对PE0822非晶硅平板探测器开展了射线DR成像实验研究。当平板探测器预热30min以上时,暗场图像比较稳定。根据坏像素的分类标准,实验测试识别了3121个坏点,并制定了新的坏点位置图,最后从软件上实现了平板探测器输出图像的暗场校正、增益校正和坏像素校正。选用高压I级涡轮叶片进行DR成像实验,实验结果表明：经过暗场校正、增益校正和坏像素校正后,提高了DR图像质量,DR图像灰度介于32000~60000之间,且像质计灵敏度达到了胶片照相的工艺要求,可用于涡轮叶片叶身检测。

简介：为了揭示反应润湿扩散过程的物理本质,提出一种解释其驱动力和润湿机理的能量模型。在真空条件下采用通管滴落法,研究熔融的Al及Cu-Si合金在石墨基板上的反应润湿铺展过程,由轴对称形状分析软件（ADSA）测量摄入图像的接触角。研究典型反应润湿的热力学和动力学过程,推导能量关系的热力学方程,计算石墨表面能和三相线处固-液界面能相对于时间的变化值,并建立关于界面能的动力学模型。借助实验验证该模型的合理性,表明在反应过程中固液界面能随时间呈指数关系下降。从能量角度可为反应润湿过程提供一种新的解释方法。

简介：文章针对六氟化铀中杂质元素硅加标的回收率不稳定，对硅回收率低进行原因分析，通过对末端因素逐一分析，找出了主因，制定对策，使硅加标回收率控制在95％～105％之间，优于设定的90％-110％之间的目标值，达到了质量控制的目的，解决了生产中急需解决的问题，为企业间接地创造了效益，同时提高了员工的技术素质。

简介：采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）技术在不锈钢或玻璃衬底上制备微晶Si（硅）薄膜，研究沉积温度对PECVD法所制备的微晶硅薄膜性质的影响。从实验结果中可以看出，随着沉积腔内沉积温度的不断升高，微晶硅薄膜晶化率、晶粒尺寸在200-400℃范围内不断增加。当沉积温度为400℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸得到显著提高，当沉积温度超过500℃时，薄膜的晶化率、晶粒尺寸反而略有下降。在本实验室条件下，沉积温度为400℃时十分有利于硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。

简介：采用盆栽试验和田间试验方法,研究硅对铝酸毒害下黄瓜幼苗MDA含量、POD活性等生理指标及黄瓜整个生长发育过程的影响.结果表明,2mmol/L的AlCl3对黄瓜幼苗的生长发育有明显的抑制作用,当AlCl3浓度达到10mmol/L时,严重抑制黄瓜的生长发育;加硅处理可以缓解铝酸毒害对黄瓜生长发育的抑制作用,缩短座果期,促进雌花开放,减少畸形瓜数.硅增强黄瓜对铝酸毒害抗性的最佳处理浓度范围在0.01～1.00mmol/L;加硅处理可以显著降低黄瓜幼苗叶片中丙二醛（MDA）含量,显著增加过氧化物酶（POD）等保护酶的活性,减轻了黄瓜叶片膜脂的过氧化程度.生产上可通过加硅处理增加黄瓜对铝酸盐毒害的抗性,可进一步研究硅对铝酸酸化土壤的修复作用,进而通过施用硅肥增加黄瓜等经济作物的产量.

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：摘要近几年来，我国的多晶硅产业开始蓬勃发展，然而在多晶硅生产过程中，其副产物四氯化硅的污染问题却日渐严重。科学利用四氯化硅，降低环境污染已经发展成为多晶硅生产企业亟待解决的问题。文章从四个方面对四氯化硅的利用途径进行了探讨。

简介：<正>从重庆超硅光电技术有限公司获悉,该公司集成电路用8/12英寸半导体级抛光硅片及其延伸产品制造基地的土建工程即将于近日完工,可达到取证验收要求。按计划今年底可以出片,一举改变该材料依靠进口的局面。据悉,重庆超硅半导体项目,投资15亿元,用地200多亩,厂房面积12万平方米,达产后将实现8英寸硅片年产600万片、12英寸硅片年产60万片的产能。项目投产后,将有力促进两江新区乃至重庆的半导体材料产业发展,填补我国规模生产8/12英寸半导体级硅产业的空白,改变该材料依靠进口的局面。