简介:摘要随着现代集成电路的发展,提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向。HfO2材料作为SiO2最好的替代物,与硅基电路集成时有良好的兼容性。相比较于传统的铁电材料,经过特殊处理的HfO2基薄膜同样具备铁电性。这样,传统的铁电材料有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈。本论文以探究HfO2薄膜质量为背景,以射频磁控溅射法制备HfO2薄膜,通过使用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的物相组成与结晶情况进行表征分析,SEM表征薄膜样品的表面形貌。
简介:摘要:碳化硅单晶材料是一种重要的半导体材料,广泛用于功率器件、光电器件、高温传感器等领域。随着半导体材料需求的不断增加,碳化硅单晶的切片技术也在不断发展。本文主要介绍了碳化硅单晶衬底加工技术中涉及的切片、薄化、抛光等技术的现状及发展趋势。其中,切片技术分为传统机械法和先进的切割技术,而其切片质量主要由晶体结构、切割机器和切割参数等因素决定。在薄化过程中,化学薄化技术逐渐取代传统机械薄化技术成为主流,而对薄化效果的影响因素则主要包括初始厚度、薄化介质和薄化条件等方面。最后,抛光技术可分为机械式轮盘 CMP 机和悬浮 CMP 机等,而其抛光质量则受制于抛光液配方、抛光参数和抛光机器设备等方面。