简介:用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS/PS复合膜的光致发光性质.XRD结果表明,制备的ZnS薄膜沿G—ZnS(111)方向择优生长,结晶质量良好,但衍射峰的半峰全宽较大;SEM图像显示,ZnS薄膜表面出现一些凹坑,这是衬底PS的表面粗糙所致.室温下的光致发光谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰蓝移.把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加,在可见光区450~700nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合膜呈现较强的白光发射.
简介:摘要随着现代集成电路的发展,提出了要以其他具有高介电常数的材料来代替SiO2,高K氧化物材料成为这一领域热门研究方向。HfO2材料作为SiO2最好的替代物,与硅基电路集成时有良好的兼容性。相比较于传统的铁电材料,经过特殊处理的HfO2基薄膜同样具备铁电性。这样,传统的铁电材料有望突破制约非易失性铁电存储器发展的材料瓶颈。本论文以探究HfO2薄膜质量为背景,以射频磁控溅射法制备HfO2薄膜,通过使用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的物相组成与结晶情况进行表征分析,SEM表征薄膜样品的表面形貌。