简介：氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

简介：摘要：目前市场上有许多生产多晶硅的技术，西门子的先进技术得到广泛应用，以提高原料利用率和保护西门子基础上的环境。通过气相淀积成柱和封闭式多晶硅生产工艺我国能源生产和消费市场，我国光伏发电量增长了70%，位居世界第一，多晶硅的供应将直接影响光电工业的发展。多晶硅从化学角度来看是单质硅形态的另一种，在气温条件满足时使用的单质硅凝固，硅原子以金刚石结晶形态排列成多个水晶核，再结晶为硅。通常是半导体级多晶硅，工业硅经过氯化合成生产硅化后精制，这是通过还原产生的半导体特性的产物。半导体特性是其主要特征半导体是介于导体与绝缘体之间的物质。

简介：为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40-45nm,Ag层厚度8nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-（-5）Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-（-2）Ω-（-1）。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。

简介：论文是以半导体材料硅单晶生长为背景,把嵌入式机器视觉系统引入到视频图像采集、处理与显示的研究中。目的是研究一种小型化、智能化的嵌入式产品解决方案,服务于广阔的市场需求。论文将采集到的晶体生长图像并通过软件实现视频图像处理系统中的图像处理算法,对直拉法晶体硅棒生长速度的测量,使其产生模拟电平送至工控机,从而对晶体生长速度加以控制,使系统达到测量数据可读化。

简介：

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简介：使用日久的硅整流发电机出现的一些常见故障，非专业汽车电工也可通过简易的方法加以判别。

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：通过实验证实在一定的含量范围内,用与海砂成份相类似的一个石英砂标样进行基体校正和归一化处理,可用现有的硅酸盐测定程序测定玻璃工业上用的海砂中的硅、铝和铁。其结果的精密度和准确度可与化学法媲美。

简介：本方法采用硝酸，氢氟酸溶解试样，高氯酸冒烟赶氟，盐酸（1＋1）溶解盐类，用ICP-OES同时测定硅铝钡中铝、钡。通过多次试验确定仪器的最佳工作条件，并对影响测定的主要参数进行研究，本方法对试样中铝、钡的检测结果令人满意，相对标准偏差RSD均小于1．6％。

简介：中国上海（2006年8月8日）——总部位于美国密歇根州米德兰市的道康宁公司和总部位于德国慕尼黑市的瓦克化学股份有限公司共同宣布，其合资生产企业道康宁（张家港）有限公司近日获得中国政府批准，将在华建立一个世界级的硅氧烷生产基地。

简介：本文使用流动注射分析仪测定了土壤样品中有效硅含量，工作曲线决定系数R^2达0．9999以上，检出限为0．012μg／mL，相对标准偏差为0．04％-0．06％，样品加标回收率为97．89％-99．93％。实验证明该方法操作简便、线性好，其精密度、准确度、灵敏度都能符合分析工作要求。

简介：以THF为溶剂，对二溴苯与Mg在超声辐照下反应得到格式试剂，然后与二甲基-氯硅烷反应制得1，4-双（二甲基硅基）苯（BDSB），并用质谱、红外光谱、紫外光谱等对产物进行了表征。

简介：采用硫酸一盐酸一硝酸混合酸溶解试样，标准物质为参照，用电感耦合等离子体发生光谱法同时测定生铁中的硅、锰、磷、铬、镍、铜、钛含量，结果表明，该方法的测定值与标准值吻合，方法简便快捷，精密度和准确度较高，可为企业质检提供参考，用于指导生产。

简介：本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定。采用密封针管取样，转移塑料挥气瓶中，恒温水浴锅控制温度（57℃）通入干燥惰性气体（N2），在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅，富集的金属加入硝酸转变成溶液后定容，用电感耦合等离子质谱法（ICP-MS）直接测定其中Pb、Zn、Mn等9种微量金属杂质。用Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移。样品的加标回收率为98．15-102．0％，相对标准偏差（RSD）为0．9％-3．5％，检出限为0．009-0．051μg／L。

简介：中国北京（2006年11月19日）——在近日举行的北京国际汽车展上，全球硅基科技和创新领导者——美国道康宁公司带来的可应用于汽车行业的多种先进硅基科技产品，得到了业内企业和专业人士的广泛关注。