简介：氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

简介：为了满足透明导电薄膜轻便、可折叠、高分辨率及快速响应的需求,在AZO单层透明导电薄膜研究基础上,尝试在柔性PET衬底上制备AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜。先利用光学薄膜设计软件对膜系进行设计优化,再参照此优化值制备研究不同AZO、Ag层对AZO/Ag/AZO薄膜光电性能的影响。通过合理的实验设计与对比,发现在柔性PET衬底上制备的三层AZO薄膜与在硬质衬底上制备的薄膜光电性能相当,且当三层AZO/Ag/AZO薄膜中AZO层厚度在40-45nm,Ag层厚度8nm时,在可见光波段的透过率高达到92%,电阻率低至4.0×10-（-5）Ω·cm,透明导电薄膜的品质因子最高为12.6×10-（-2）Ω-（-1）。得到的AZO/Ag/AZO三层透明导电薄膜具有与常见的ITO薄膜相比拟的性能。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。