简介:本文考察了烧成温度、成形压力、烧成时间、成孔剂的加入量和玻璃相加入量对SiC微孔陶瓷过滤板孔隙率及微观结构的影响。研究表明:烧成温度为1300℃、成形压力为40kN、烧成时间为4h、成孔剂加入量为16.5%时,制备出的SiC微孔陶瓷过滤板有着更为优良的性能。
简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。