简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：摘要介绍了我司采用稀土催渗技术，对热挤压模具进行表面强化处理。阐述了稀土催渗机理及稀土渗入后渗层组织、性能的改变。该工艺以使用并取得良好效果。

简介：摘要：氮化镓（GaN）材料因具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势，被认为是继硅之后最重要的半导体材料之一。本文在对氮化镓半导体现有主要应用领域进行分析的基础上，针对国内市场现状和产业布局进行讨论，并提出氮化镓（GaN）半导体国内从业企业的发展态势及突破方向。

简介：摘要：氮化铝在热、电、光和机械等方面具有优异的综合性能。本文综述了目前国内外氮化铝粉体的制备方法和反应机理，并简单总结了各工艺的优缺点和生产现状。

简介：

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介： 摘要：为了准确表征纳米碳化硅粉末的粒径和结构，分别采用激光粒度仪、比表面分析仪、扫描电镜和透射电镜对同一批次纳米碳化硅粉末进行测试。结果表明，纳米碳化硅粉末的粒径基本集中在（50~112）nm，使用激光粒度仪测量的团聚颗粒，并不能完全表征单颗粒的粒径。利用表面积和粒径大小的几何相关性，可以表征纳米碳化硅粉末的粒径。使用扫描电镜和透射电镜微束分析技术不仅能够表针粉末形貌及结构，也能够客观表征纳米颗粒的粒径。

简介：摘 要：为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题，将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比，研究超声振动辅助抛光的效果。

简介：摘要：碳化硅外延技术作为一种关键的半导体材料制备技术，被广泛应用于电子、光电和能源等领域。然而，在该技术的生产过程中，设备漏气问题成为限制设备稳定性和生产效率的重要因素。设备漏气不仅会导致反应气体的变化，还会引入不良杂质，影响产品的质量和性能。本文以氦质谱仪检测操作为例，详细分析碳化硅外延设备检漏技术。

简介：

简介：氮化钛（TiN）是近年来发展起来的一种新型无机材料，具有优良的物理和化学性质。介绍了新型材料氮化钛的结构、性质、用途以及近年来国内外对氮化钛粉体制备方法的研究进展，同时引述了一些制备经验，并展述了工艺流程与产物表征结果等。

简介：切削刀具表面涂层技术是近几十年应市场需求发展起来的材料表面改性技术。且涂层的显微结构和力学性能受涂层中B含量的影响较多，适量的B元素能够容易与N结合形成非晶相BN，限制晶粒生长，从而形成纳米晶镶嵌在非晶介质中的纳米复合结构，能够提高涂层的硬度，降低摩擦系数，提高抗氧化性。

简介：摘要利用原有设备，采取“通氨滴醇”随炉冷却方法，通过改变曲轴的装炉方式、设计使用新工装、调整工艺参数等控制手段降低曲轴软氮化后的裂纹率，提高曲轴软氮化工序一次交检合格率。

简介：

简介：制造了一种立方氮化硼颗粒之间实现键合的多晶体立方氮化硼复合材料。这种材料具有比较好的硬度、耐磨性、热学和化学稳定性。

简介：聚晶立方氮化硼(PCBN)刀具已在切削加工的各个方面表现出了优异的切削性能，尤其是超硬特性被使用者所熟悉。介绍了PCBN的主要研制工艺，性能特点以及其在刀具材料中的应用。

简介：