简介：摘要现阶段的低电压铝电解槽生产中，侧部碳化硅升起现像比较普遍，甚至出现顶坏电解槽槽沿板的情况。露出电解槽的部分碳化硅会出现不同程度的氧化，从而造成电解槽破损。为了防止电解槽侧部早期破损，达到延长电解槽槽寿命的目的，必须对侧部碳化硅升起进行严格的控制。

简介：以V2O5为原料,采用碳热还原法制备氮化钒,通过扫描电镜（SEM）和X射线衍射（XRD）观察与分析还原氮化产物的形貌与组成,分析产物的碳、氮、氧含量,研究原料配碳量、氮化温度和氮化时间等对还原氮化产物的影响。结果表明：还原氮化产物为碳氮化钒的固溶体。原料配碳量是影响反应产物中氮含量的关键因素,配碳比（质量分数）约为21%时还原氮化产物具有最高的氮含量14.76%;氮化温度应控制在1400~1420℃范围内,氮化时间达到4h即可实现氮化完全。

简介：使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力（1200-2100K,4.0-8.0GPa）下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

简介：通过分析浆料分散性和粘度等因素，研究分散剂和粘结剂等对碳化硅晶须浆料流变行为的影响，确定合适的浆料制备工艺参数。结果表明：选择合适剂量的分散剂（2wt%）能够有效减弱晶须之间的吸引力，减少晶须团簇，提高晶须分散性。同时选择3wt%的粘结剂能够得到粘度适宜的浆料。优化工艺参数，最终获得分散性及稳定性较好且适于流延的晶须浆料。

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：该研究以制备高强度和高气孔率的多孔碳化硅陶瓷材料为目标,利用低温烧结技术制备并研究了两种烧结助剂结合的多孔碳化硅的性能。通过对两种烧结助剂结合的多孔碳化硅在物相组成、微观结构、强度和气孔率方面的对比发现：使用苏州土和硅微粉作为烧结助剂虽然能够提高材料的室温强度,却影响了气孔率;采用只有Al2O3和MgO的烧结助剂,在较少的添加量下就可以获得相近的室温强度并且气孔率较高、较均匀,更适用于工业过滤除尘领域。

简介：在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼（Li3N-hBN）体系中合成立方氮化硼（cBN）单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂（Li3BN2）组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

简介：以硅酸钠为硅源，蔗糖为碳源，硫酸为催化剂，采用溶胶一凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅（SiC），并用X射线粉末衍射（XRD）、N2吸附一脱附和场发射扫描电子显微镜（FESEM）等手段对产物进行表征。实验结果表明，碳化硅试样具有典型的介孔材料特征，改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构；当反应物配比n（C）：n（Si）：n（S）=3．00：1：0．44时，可制得比表面积为235m^2·g^-1、孔体积为0．46cm^3·g^-1的碳化硅。

简介：中红外激光（3-5μm）在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中,由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次,有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率,因此倍受人们的青睐。

简介：摘要近几年来，我国的多晶硅产业开始蓬勃发展，然而在多晶硅生产过程中，其副产物四氯化硅的污染问题却日渐严重。科学利用四氯化硅，降低环境污染已经发展成为多晶硅生产企业亟待解决的问题。文章从四个方面对四氯化硅的利用途径进行了探讨。

简介：通过水文地质调查、水质监测对偃师市地下水化学类型特征及＂三氮＂（硝态氮、氨氮和亚硝态氮）的空间分布规律进行研究.应用piper三线图分析表明,研究区地下水主要为低矿化度的HCO3—Ca·Mg、HCO3—Ca和HCO3—Mg型地下水.利用浓度等值线图分析表明,平原区地下水氨氮和硝态氮浓度较低,两侧的丘陵山区浓度较高.伊河和洛河交汇处,偃师市区以南亚硝态氮浓度较高.图5,表1,参14.

简介：不同浓度的粉尘中含有不同浓度的二氧化硅，它对人体的伤害极大，在我国制定的卫生标准中，就有对二氧化硅的含量的检测制度及相关规定，而如今，焦磷酸重量法是测定粉尘中游离二氧化硅的主要方法，但是在测定过程中还会存在一系列问题，所以，这要求工作人员对该测定方法进行改进，及时为卫生监测提供可靠的信息和大量有效的数据。

简介：通过碱溶蚀法制备多孔二氧化硅微球,并对硅球进行氨基化改性.以阿司匹林为模型药物,在pH=7.4的PBS溶液中,研究氨基化改性对硅球载药量和药物释放行为的影响.实验结果显示：氨基化改性后多孔二氧化硅的药物担载能力增强,药物释放速率降低.实验结果表明氨基化改性获得的纳米二氧化硅可以作为一种药物载体,在药物控制释放领域有一定的应用前景.

简介：<正>东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。与传统的不间断电源相比,G2020系列新产品产生热量、噪声和干扰较小,降温成本较低,也更加节省能源。东芝公司功率器件部门的产品经理JesusPenalver表示,功率电力电子的未来在于碳化硅功率开关转换技术,该技术具有高于传统技术33%的结温,更高的转换开关速度,和极低的转换损耗。G2020系列产品相较前一代产品G9000footprint尺寸缩小17%,比市场同类竞争产品的尺寸最高缩小57%。

简介：目的目前的硫化氢（H2S）研究仍缺乏理想的供体。本研究旨在利用介孔二氧化硅纳米粒子（MSN）合成一种新型的控释H2S供体，并评价其在体外实验中释放H2s的特点。方法溶胶。凝胶法制备均一大小的MSN。将二烯丙基三硫化物（DATS）负载至MSN孔道中，合成控释H2S系统（DATS-MSN）。分析其表征、释放H2S的特点、细胞毒性聃细胞摄取能力。结果DATS-MSN可在体外缓慢、持续、可调节的释放H2s。其可被心肌细胞成功摄取，在常规应用的浓度范围内未见明显细胞毒性。结论DATS-MSN可在体外环境中缓慢而可控的释放H2S，并具备良好的体外安全性，是H2S体外研究的良好工具。

简介：空调压缩机滑片对制造材料的红硬性和耐磨性能有较高要求,生产中通常采用高速钢+表面氮化处理工艺制造。本文将研发的GDL-4高速钢与M2钢在同一软氮化工艺下,分别在300N,400N和500N的载荷下进行摩擦磨损试验,对比其耐磨性。结果表明:相同软氮化工艺条件下,GDL-4高速钢在各个载荷下的耐磨性能均优于M2钢,钢氮化后的表层硬度对其耐磨性有明显影响。

简介：铬矿砂及再生铬矿砂经1000℃灼烧,研磨,以过氧化钠为熔剂,经高温熔融,热水洗涤,盐酸、硝酸酸化前处理样品,直接用电感耦合等离子体原子发射光谱法测定铬矿砂中的二氧化硅。研究了熔融试样时引入的基体元素钠对被测元素的干扰情况,结果表明,过氧化钠加入为1.5g对检测干扰影响小。采用加基体铬、铁有效克服了基体效应对测定的结果影响。硅的检出限为0.0049mg/L,二氧化硅测定范围为0.010%~6.0%。对铬矿砂标准物质进行测定,结果与标准值一致,方法相对标准偏差（RSD,n=10）小于1%,克服了常规重量法步骤繁琐、耗时长、工作量大的不足,大大提高了检测效率,满足生产需要。