简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。
简介:摘要:二氧化硅(SiO2)气凝胶除了具有气凝胶的通性,如高孔隙率、超轻、比表面积大,还兼具化学稳定、耐高温、隔热、隔音等特性而备受关注,但由于硅气凝胶脆性大、机械性能差,使其应用受到了较多限制。因此,为了改善硅气凝胶的力学性能,扩大其应用范围,众专家学者探索了不同的方法,如在硅胶骨架中引入聚合物或者无机纤维以增强其力学性能。但聚合物的加入会使硅气凝胶的耐高温性能下降。无机纤维因具有良好的力学性能和耐高温性能,适合用作骨架增强材料,但无机纤维与SiO2的结合力弱,存在组分易脱落的问题。采用无机微米纤维与SiO2形成化学键从根本上解决了颗粒易脱落、不耐高温的问题,但微米纤维脆性大,导致气凝胶力学性能不够理想,为此研究人员通过将纤维直径降至纳米量级以提升纤维的柔性,制备出力学性能优异的纳米纤维气凝胶。基于此,本篇文章对冶金用石英砂中二氧化硅化学分析方法进行研究,以供参考。