简介：

简介：在外加磁场中进行氮化处理,能缩短氮化时间2-3倍,能明显提高氮化层的含氮量,明显改善零件表面的机械性能.本文运用磁性理论和热力学理论对磁场在氮化过程中的影响进行较详细的理论分析.

简介：切削刀具表面涂层技术是近几十年应市场需求发展起来的材料表面改性技术。且涂层的显微结构和力学性能受涂层中B含量的影响较多，适量的B元素能够容易与N结合形成非晶相BN，限制晶粒生长，从而形成纳米晶镶嵌在非晶介质中的纳米复合结构，能够提高涂层的硬度，降低摩擦系数，提高抗氧化性。

简介：文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点，介绍了氮化物薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究，偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法．脉冲偏压增大，薄膜残余应力显著增加：N2分压增大，薄膜残余应力显著增加．采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜，其残余应力沿层深分布趋势明显均匀，薄膜残余应力可得到有效调整．

简介：

简介：摘要随着转炉冶炼高强度低合金钢技术的飞速发展,氮化钒的应用不断增加。在还原氮化五氧化二钒制备氮化钒的过程中,还原程度直接影响氮化程度,为了寻求一种经济、高效的制取氮化钒的方法。本文分析了五氧化二钒制备氮化钒的过程。

简介：暗电流是影响氮化镓（GaN）雪崩光电探测器性能的一个关键性因素。课题组通过工具软件Sentaurus-TCAD对GaN基雪崩探测器暗电流机制进行了仿真研究,对其暗电流的主要机制：扩散电流、复合电流、隧穿电流、雪崩倍增电流以及表面复合电流进行了总结与分析。将仿真得到的雪崩探测器暗电流特性与实验数据进行对比,发现它们具有很好的吻合性,为学生对GaN探测器暗电流特性的学习和仿真研究提供参考和借鉴。

简介：摘要功能型的硅烷偶联剂在今天的应用日益广泛，产品供不应求，价格昂贵。硅烷偶联剂同时含有亲有机的碳官能团和亲无机的硅官能团，能在无机与有机界面之间形成分子架桥，从而起到化学增粘、增强、增容、改变复合材料性能的作用。本论文研究是利用一种更加简便、快捷的合成方法合成一种新的功能型的硅烷偶联剂，把氨基酸引入到固定相表面，通过将氨基酸引入到硅烷偶联剂上，再与硅胶反应来合成氨基酸固定相。氨基酸是一种非常常见的亲水物质，和异氰酸基的反应合成氨基酸功能偶联剂。通过实验，验证氨基酸和和异氰酸基的反应能合成氨基酸功能偶联剂并能制得高产率的氨基酸功能化硅烷偶联剂。

简介：该研究以制备高强度和高气孔率的多孔碳化硅陶瓷材料为目标,利用低温烧结技术制备并研究了两种烧结助剂结合的多孔碳化硅的性能。通过对两种烧结助剂结合的多孔碳化硅在物相组成、微观结构、强度和气孔率方面的对比发现：使用苏州土和硅微粉作为烧结助剂虽然能够提高材料的室温强度,却影响了气孔率;采用只有Al2O3和MgO的烧结助剂,在较少的添加量下就可以获得相近的室温强度并且气孔率较高、较均匀,更适用于工业过滤除尘领域。

简介：以硅酸钠为硅源，蔗糖为碳源，硫酸为催化剂，采用溶胶一凝胶法和碳热还原反应合成碳化硅（SiC），并用X射线粉末衍射（XRD）、N2吸附一脱附和场发射扫描电子显微镜（FESEM）等手段对产物进行表征。实验结果表明，碳化硅试样具有典型的介孔材料特征，改变硫酸与蔗糖添加量可以调控和优化产物结构；当反应物配比n（C）：n（Si）：n（S）=3．00：1：0．44时，可制得比表面积为235m^2·g^-1、孔体积为0．46cm^3·g^-1的碳化硅。

简介：通过对难于处理的低温低浊水进行投加助凝剂改性活化硅酸进行试验研究，提出了改性活化硅酸使用中的最佳粘度、最佳投加量等具体参数；同时在试验中了解到改性活化硅酸活化时间短，保存时间长。助凝效果好，投药量少等最优性能。

简介：

简介：根据等离子体活化装置对电源的要求,利用新型功率器件IGBT设计了一种高频高压大功率脉冲电源,并对IGBT的驱动调制电路、保护电路以及电路频率范围的拓宽和功率提高进行了讨论.结果表明,该电源在功率输出、频率范围、波形等方面均能达到设计要求.

简介：氮沉降是全球变化研究的热点问题之一。以内蒙古呼伦贝尔草甸草原优势种羊草为研究对象，分析不同氮化合物和不同剂量氮添加对羊草叶片叶绿素和叶氮含量的影响。结果表明：硝酸铵和硫酸铵两种氮素化合物对叶绿素和叶氮含量的影响没有显著差异；在两种氮添加均显著增加了羊草叶片叶绿素和叶氮含量，且随着氮浓度的增加，叶绿素和叶氮含量呈单峰模式；在两种化合物添加处理下，羊草叶绿素和叶氮含量之间呈显著正相关关系。

简介：摘要：氮化硼二维纳米材料作为类石墨烯二维纳米材料的一种，在某些方面具有与石墨烯互补的性质，如较宽的带隙，更优良的化学稳定性、热稳定性，独特的紫外发光性能等，是制备电子器件绝缘膜、高温功率器件、紫外发光元件等元器件的理想材料。氮化硼－石墨烯二维复合纳米材料极大提高了石墨烯的电导率和导热性，在超微型计算机，微电子机器人等方面具有广阔应用。但由于其特殊的分子间作用力，氮化硼二维纳米材料的制备还存在许多问题。近年来，氮化硼二维纳米材料制备技术的研究成为材料科学界的研究热点之一。

简介：文中运用密度泛函理论GGA近似方法,计算了零温零压下莹石结构和黄铁矿结构的电子结构,分析得到这两种结构的中形成了比较强的共价键.通过运用EOS模拟能量体积曲线得到,热容、热膨账系数以及体积随着压强的变化关系.

简介：河北省磁县是我国食道癌高发区,食道癌严重危害着当地居民的生命与健康.为此笔者对病情较严重的东古佛村饮用水水质及居民生活习惯进行分析研究,探究致癌诱因,以增强广大民众的防癌意识和防癌措施.

简介：考虑GaN/AlxGa1-xN有限抛物量子阱（PQW）中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量.结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显.

简介：分别以物理掺杂和化学掺杂的方式，采用溶胶-凝胶法制备了未经表面修饰纳米碳管（CNTs）和经r-氨基丙基三乙氧基硅烷（NH2（CH2）3Si（OC2H5）3，APTES）修饰纳米碳管的有机改性SiO2复合凝胶玻璃。在此基础上，以X射线光电子能谱（XPS）为表征手段，对所得两种复合凝胶玻璃中SiO2基质和掺杂CNTs的化学状态进行研究。结果表明，掺杂CNTs改变了复合凝胶玻璃中C和O的原子百分比，对SiO2基质的网络结构产生影响，但对SiO2基质的组成未产生显著影响；无论是在物理掺杂还是化学掺杂的有机改性SiO2复合凝胶玻璃中，CNTs与SiO2间均存在一定的Si—C结合键；在CNTs-SiO2复合凝胶玻璃中，以APTES作为桥梁，实现了CNTs与SiO2网络间的化学键合。

简介：利用阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,采用水热合成法、酸液萃取法制备介孔二氧化硅纳米颗粒(MSNs)。氮气吸附—脱附实验结果表明,所制备的MSNs为典型的介孔结构,孔径分布均匀,适合于药物载带。抗肿瘤药物姜黄素(Cur)的载带与释放表明MSNs为典型的pH响应药物载体,在pH=7.4时Cur的包封率和载药率分别高达50%和15%左右,而在pH=5.0的环境中则快速释放药物。