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  • 简介:转向节是汽车上的一个重要保安件.它既要承载行驶中汽车的载荷,又要保证行驶中汽车的转向,所以汽车生产商很注重转向节外形尺寸的设计和制造工艺。为了保证转向节的可靠性和使用寿命,转向节热处理工艺通常采用调质处理+气体氮化工艺.这样既可以保证转向节的心部具有较好的韧性,还可以保证其表面有较高的硬度和耐磨性能,最大可能地提高转向节可靠性和使用寿命。

  • 标签: 气体软氮化工艺 转向节 工艺探讨 汽车生产商 使用寿命 热处理工艺
  • 简介:摘要介绍了我司采用稀土催渗技术,对热挤压模具进行表面强化处理。阐述了稀土催渗机理及稀土渗入后渗层组织、性能的改变。该工艺以使用并取得良好效果。

  • 标签: 稀土 热挤压模具 白亮层 渗层
  • 简介:摘要利用原有设备,采取“通氨滴醇”随炉冷却方法,通过改变曲轴的装炉方式、设计使用新工装、调整工艺参数等控制手段降低曲轴氮化后的裂纹率,提高曲轴氮化工序一次交检合格率。

  • 标签: 曲轴 软氮化 畸变 组织渗层
  • 简介:以V2O5为原料,采用碳热还原法制备氮化钒,通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)观察与分析还原氮化产物的形貌与组成,分析产物的碳、氮、氧含量,研究原料配碳量、氮化温度和氮化时间等对还原氮化产物的影响。结果表明:还原氮化产物为碳氮化钒的固溶体。原料配碳量是影响反应产物中氮含量的关键因素,配碳比(质量分数)约为21%时还原氮化产物具有最高的氮含量14.76%;氮化温度应控制在1400~1420℃范围内,氮化时间达到4h即可实现氮化完全。

  • 标签: 五氧化二钒 氮化钒 碳热还原 氮化
  • 简介:本文探讨了齿轮零件在“氮化+局部高频感应淬火”的工艺过程中,对可能产生质量问题的因素进行了分析,指出在目前我国冶金质量现状和工业加工水平不发达的条件下,如何更进一步地从工艺合理设计方面来加强零件的生产加工质量。

  • 标签: 齿轮 加工过程 软氮化件 再加热 加工质量 热应力波
  • 简介:在外加磁场中进行氮化处理,能缩短氮化时间2-3倍,能明显提高氮化层的含氮量,明显改善零件表面的机械性能.本文运用磁性理论和热力学理论对磁场在氮化过程中的影响进行较详细的理论分析.

  • 标签: 磁场氮化 理论分析 扩散 化学势 磁畴转动 畴壁位移
  • 简介:【摘要】本文分析了水质氨氮安全化学检验,分析不同水质氨氮检测技术的特征,分析水质氨氮检测的发展方向,对于实际水质氨氮检测工作提供参考。

  • 标签: 水质氨氮 化学检测 检测技术
  • 简介:摘要:水质监测是环境保护工作的一个重要方面,其中氨氮作为水体中的一种主要污染物,对水环境质量影响显著。水体中氨氮的来源复杂,包括自然界的氮循环和人为活动产生的污水排放。因此,准确快速地检测水体中的氨氮浓度对于评估水体健康状况、指导污水处理和保障公众健康至关重要。基于此,本文主要分析几种常用的水质氨氮检测方法,并对其适用性进行讨论,以供参考。

  • 标签: 水质 氨氮 化学检测
  • 简介:摘要氮化钒铁是一种新型的钢铁冶炼添加剂,广泛应用于冶炼生产中,加入钢中可显著提高钢的耐磨性、耐腐蚀性、韧性、强度、延展性、硬度及抗疲劳性等综合力学性能,并使钢具有良好的可焊接性能。本文介绍了氮化钒铁的制备和检测新进展,指出了氮化钒铁检测技术的发展方向。

  • 标签: 氮化钒铁 检测 进展
  • 简介:使用第一原理计算六方氮化硼和立方氮化硼在合成温度和压力(1200-2100K,4.0-8.0GPa)下的晶格常数.计算所得的六方氮化硼和立方氮化硼的晶格常数a与已有的实验值相吻合,相对误差分别为2.50%和1.53%.同时,六方氮化硼晶格常数c值的最大相对误差为7.53%,其误差也在合理的范围内.实验结果表明随着温度升高,六方氮化硼和立方氮化硼晶格常数缓慢升高;而随着压力升高,晶格常数线性降低.

  • 标签: 六方氮化硼 立方氮化硼 晶格常数 高温高压 VASP 第一性原理
  • 简介:文章通过对立方氮化硼发展史的回顾,以及对两大基材的发展状况的描述,分析了我国CBN的发展现状及未来的发展前景。

  • 标签: CBN 基材 现状 未来
  • 简介:探讨磷酸用量、高氯酸用量、冒烟时间以及加热温度四个因素对硫酸亚铁铵滴定法测定氮化硅锰中的锰含量测定结果的影响。采用正交试验找出各因素对测定结果的影响主次关系以及最优条件。结果表明,影响硅锰合金中锰含量测定的各因素的主次关系是:加热温度〉冒烟时间〉高氯酸的用量〉磷酸的用量。最优的分析条件是磷酸的用量是20mL,高氯酸的用量是2mL,冒烟时间是230s,加热温度是240℃。该方法简单、方便,满足氮化硅锰中锰的测定。

  • 标签: 氮化硅锰 正交试验 测定
  • 简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

  • 标签: 金属基板 氮化铝 阳极氧化铝 COB封装
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  • 简介:2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

  • 标签: 功率元件 产业规模 GAN 氮化镓 起飞 LIDAR