简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：本文报道了成分为80%Au20%Sn合金钎料系列产品的综合性能、国产化产品特性及其在高可靠微电子器件制造工艺中的典型应用.

简介：Pure-Ge/Sishortperiodsuperlattice(SPS)grownbygassourceMBE(GSMBE)isstudiedbyphotoluminescencespectroscopyandRamanscatteringspectroscopy.AnabnormalbandinphotoluminescenceisfoundinanintermediaterangeofLsibetween1.9nm-2.9nmforsampleswithLgefixedat1.5ml.Incontrasttoapure-Ge/Siquantumwell,theenergyofthebandshowsred-shiftasLsiincreases.RamanscatteringshowsthatSi-SivibrationrelatedRamanshiftreachesaminimumforsampleswithstrongestPLintensityoftheabnormalband.Itisthereforeconcludedthattheabnormalbandisrelatedwithstrainrelaxationprocess.

简介：综合分析了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的国内外研究现状,概述了Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性、微观组织、界面反应、力学性能、焊点可靠性、物理性能等性能特点。从钎焊工艺、添加微量元素等方面阐述了Sn-Cu-Ni系钎料各项性能的影响因素,并对Sn-Cu-Ni系钎料的应用前景和研究方向进行了展望。

简介：Usinganewlow-temperatureprocess(＜600℃),thepoly-SiTFTwasfabricatedbymetal-inducedlateralcrystallization(MILC).Anultrathinaluminumlayerwasdepositedona-Sifilmandselectivelyformedbyphotolithography.Thefilmswerethenannealedat560℃toobtainlaterallycrystallizedpoly-Sifilm,whichisusedasthechannelareaofaTFT.Thepoly-SiTFTshowedanon/offcurrentratioofhigherthan1×106atadrainvoltageof5V.TheelectricalpropertiesaremuchbetterthanTFTfabricatedbyconventionalcrystallizationat600℃.

简介：镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射，X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了，nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则，与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

简介：在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得，在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加，蓝山峰起初被一座红山峰最后提高，然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了，并且最后被形成纳米硅与嵌入结构，它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：A2-cmlongBragggratingwithreflectivityof～99.95%inB/Gecodopedopticalfiberwithouthydrogenloadingwascreatedbyphase-maskmethodwithapulsedKrFexcimerlaserat248nm.DCandACcomponentsofrefractiveindexchangewereanalyzedbymonitoringtransmissionspectrumevolutionduringthewritingprocessoffiberBragggrating.Therelationsoftheevolutionofcenterwavelengthandreflectivitywithnumberofpulseswererespectivelyinvestigated.

简介：调查在上植入Ge在氨下面轧了由MOCVD成年然后在1100点退火的电影周围被执行了。与增加Ge培植剂量，四座另外的山峰在260的波浪数字产生，314，428并且在Ramam系列的670cm-1。在PL系列，与在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队相比的乐队边排放的相对紧张随植入Ge的剂量的增加减少。260的模式和314cm-1被归因于散布的激活混乱的拉曼，而428的模式和670cm-1被分到空缺和空缺相关的建筑群的本地颤动。在2.66eV和黄乐队集中的PL乐队也与这些空缺缺点有关。在为样品的301cm-1的新拉曼山峰退火了仅仅5min由于缺乏的退火从Ge簇发源。

简介：Theeffectofhydrogenpassivationonmulticrystallinesilicon(mc-Si)usedforsolarcellsisdescribed,andthemechanismofhydrogendiffusionandpassivationisalsoinvestigated.Then,thehydrogenpassivationprocessesappliedinindustriesandresearchlaboratoriesareintroduced.Finallytheexistingproblemsandtheprospectsofhydrogenpassivationarereviewed.

简介：根据麦克斯韦的理论，在GeSi/Si超点阵nanocrystalline层的光传播特征被分析了并且计算。计算结果证明当全部的厚度L是340nm时，单个模式lightwave能仅仅在周期的数字M15.5被播送。在传播的方向，当传播距离比500m大时，另外，lightwave紧张极大地被减少。基于GeSi/Si超点阵nanocrystalline光电探测器的上述参数，设计和制造被执行。

简介：概述了Si激光器的研究现状.介绍了Si激光器可能的激射机构,它们是多孔硅发光、Si中杂质发光、Si-Ge量子阱发光等.介绍了Si激光器近期的研究情况以及实用化所面临的技术问题.

简介：一、前言。随着IP业务在全球的迅猛发展，其规模和业务量已达到约每6～9个月就翻一番，从近10年来的情况来看，IP数据业务平均年增长率达25％～40％，而全世界电话用户的年增长率平均仅为5％～10％左右。从电信业务未来10年的发展趋势来看，全世界主要网络的数据业务量都将先后超过电话业务量，最终，电信网的业务将主要由数据业务构成，而非电话业务。为适应

简介：

简介：剩余紧张和损坏由Si培植导致了在轧了样品被学习了，以及电子特征。这些成长得当的样品与Si的不同剂量被植入(1