首页 > 《半导体光子学与技术：英文版》 > 2008年2期 > Residual Strain and Electronic Characteristics of Si-doped GaN

Residual Strain and Electronic Characteristics of Si-doped GaN

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要剩余紧张和损坏由Si培植导致了在轧了样品被学习了，以及电子特征。这些成长得当的样品与Si的不同剂量被植入(1

DOI 34gmwxm849/605979

作者 LI Chao;ZHOU Xun;ZOU Ze-ya;DU Jiang-feng;JI Hong;YANG Mo-hua;ZHAO Hong;ZHAO Jin-xia;ZHU Yah-ling;YU Zhi-wei;YU Qi

机构地区不详

出处《半导体光子学与技术：英文版》 2008年2期

关键词 GAN 掺杂残差应变退火

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2008年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

相关文献

1. RESIDUAL STRAIN IN CANINE ARTERIES.生物医学工程,1996-01.
2D. J. Scurr;R. J. Cernik;S. P. Thompson;P. M. Mummery;S. J. Eichhorn. The Characterisation of Residual Strain in Ensis siliqua Shells.生物工程,2006-01.
3. Photoconductivity Characteristics of Porous Si.物理电子学,1997-02.
4CHEN Hong ZHANG Jun-Feng YUAN Hong-Kuan. Electronic Structure and Magnetic Properties of Cr-Doped AlN.物理,2007-04.
5. Residual strain evaluation of curved surface by grating-transferring technique and GPA.力学,2011-05.
6. Study of strain in partially relaxed Ge epilayers on Si(100) substrate.核技术及应用,1999-01.
7Juan Ren;Ning-Chao Zhang;Peng Wang;Chao Ning;Hong Zhang;Xiao-Juan Peng. Electronic structures and magnetic properties of rare-earth-atom-doped BNNTs.物理,2016-02.
8赵宗彦;杨雯;杨培志. Electronic structure of O-doped SiGe calculated by DFT ＋ U method.物理,2016-12.
9陈裕权. 在Si衬底上生长高品质GaN膜.物理电子学,2003-03.
10Yanjie Li;Huimin Xie;Qinghua Wang;Mengmeng Zhou;Manqiong Xu;Qiang Luo;Changzhi Gu. The Residual Strain Measurement of Thin Conductive Metal Wire after Electrical Failure with SEM Moir.固体力学,2016-04.

来源期刊

半导体光子学与技术：英文版

半导体光子学与技术：英文版

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

GAN 掺杂残差应变退火

返回顶部