简介:轧了nanorods被磁控管劈啪作响和加氨系统综合,并且Tb中间的层的厚度被改变学习效果在上轧了nanorods。结果被扫描电子测试显微镜学(SEM),X光检查衍射(XRD),传播电子显微镜学(TEM),高分辨率的传播电子显微镜学(HRTEM),和光致发光(PL)系列。结果证明Tb层的厚度在形式,质量,和光性质上有明显的效果轧了nanorods。在房间温度的PL系列在368点显示出一座很强壮的排放山峰?nm和弱排出物在387点达到顶点?当Tb层是20时,为生产样品的山峰的nm,和紧张到达最大值?nm。最后,20的最佳的厚度?为综合的Tb中间的层的nm轧了nanostructures被完成。
简介:RFmicrodevices推出了行业第一款绿色GaN基CATV放大器模块。该模块设计用作现有的和下一代CATV基础设施应用中的功率倍增放大器。D10040200PL1和D10040230PL1是混合电路功率倍增放大器模块,为CATV
简介:摘要:具有宽带隙、高电子饱和速度和高击穿电压等良好特性的氮化镓(GaN)材料作为第三代半导体材料——宽禁带半导体材料之一,推动微电子领域和光电子学领域向前迈出了极为重要和有重大意义的一步,而以GaN材料制造的功率半导体器件AlGaN/GaN HEMT器件对半导体器件领域的发展也有着极其重大的影响。本文概述了GaN材料的基本特性以及AlGaN/GaN HEMT 器件的工作原理。