简介：以TiCl_4的乙醇溶液作为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备TiO_2溶胶,用浸渍-提拉法在载玻片表面制成了具有抗菌作用的TiO_2薄膜以及铁掺杂TiO_2薄膜,考察了原菌液浓度、镀膜次数以及铁掺杂量对薄膜对大肠杆菌的抗菌性能的影响。

简介：由以色列特拉维夫大学、耶路撒冷希伯来大学和英国纽卡斯特大学的研究员组成的国际小组。开发出一种包含碳纳米管和纳米棒的薄膜。有望作为一种无线植入设备，可以达到极佳的诱导视网膜光刺激效果。在膜结构中，纳米棒散布在整个三维的多孔纳米管矩阵里，最后使膜形成一种适于植入的柔韧灵活的基础层，研究人员把这种膜贴附在14天大的小鸡的视网膜上，视网膜就会产生光致电流——这是一种神经信号，这种信号传入大脑后可以由大脑来解释处理。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响。在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大。

简介：该文分别用直流、脉冲直流和微波等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术得到了Ti—si—N、Ti—B—N及Ti—Al—si—N纳米复合超硬薄膜,结合微观分析和宏观性能表征,给出了它们的纳米结构特征及其与力学性能的关系,基于工业运用背景,探索了纳米复合薄膜的热稳定性。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

简介：摘要：纳米银线透明导电薄膜具有优异的光学透过性和导电性能，是最有可能替代ITO的材料。本文简要地叙述了纳米银线的生长机理，着重介绍了近年来纳米银线的激光束焊接、化学焊接、电阻焊接及冷焊等焊接工艺现状，并对纳米银线透明导电薄膜的应用前景进行了展望。

简介：摘要：采用化学浴沉积法在以硫酸锌（ZnSO4·7H2O）和自制的硒代硫酸钠（NaSeSO3）作为Zn2+源和Se2-源的化学溶液体系中制备了ZnSe纳米晶薄膜，通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）和分光光度计等测试方法，研究了不同的Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶薄膜的表面形貌、晶体结构、光学透过率和禁带宽度等物理和光学特性的影响。结果表明，反应液中Zn/Se物质的量比对ZnSe纳米晶颗粒尺寸及致密性影响较大，当nZn/nSe=1:4时制备的ZnSe薄膜有较好的致密性和均匀性。不同Zn/Se物质的量比条件下均制备出(111)取向的立方晶型ZnSe纳米晶薄膜，光学禁带宽度为3.05-3.13eV。当nZn/nSe≤1:4时制备的ZnSe薄膜在450-800 nm波段透过率达75%以上。 

简介：以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件,采用X射线衍射仪（XRD）及原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了结构形貌表征。结果表明,当烧结温度为450℃时,纳米SnO2薄膜为金红石型结构,表面形貌最佳,平均颗粒约为39-45nm。

简介：综述了电沉积技术制备纳米薄膜的研究，介绍了电沉积技术制备纳米膜的基本工艺，讨论了电沉积技术制备纳米薄膜的原理、分类、应用情况，阐述了目前存在的问题，并对今后采用电沉积技术制备纳米薄膜的研究方向提出了一些建议。

简介：采用多次旋涂法在玻璃衬底表面涂覆单壁碳纳米管（SWNT）悬浊液,形成均匀的SWNT薄膜,测量碳纳米管的发电特性,利用扫描电子显微镜（SEM）观测SWNT的分布情况,并用四探针电阻仪测量薄膜不同区域的方块电阻和薄膜的电流-电压（1-V）特性,结果表明,薄膜的I-V曲线线性度和重复度很高。不同浓度的氯化钠（NaCl）溶液以不同的流速流过SWNT薄膜表面,研究薄膜两端感应电势和电路中的电流变化情况。通过分析该变化情况,对SWNT发电机理作进一步阐释。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：为了克服用Fe（NO3）3、Mg（NO3）2体系催化剂自由生长出的碳纳米管缠绕程度较严重，分布不均匀的缺点，采用丝网印刷催化剂的方法将其印刷在石英、硅和钛三种不同的基底上，结果表明，在石英基底上，用CVD法制备的碳纳米管分布较均匀，有效地克服了团聚现象，并用其作为场发射的阴极进行场发射实验，实验表明，该阴极开启场为2．2V／μm，在电场强度为3．0V／μm下，阳极电流为46．6uA，场发射电流稳定，波动小于5％。该阴极可望应用于场致发射显示器、液晶显示的背光源、照明光源等器件。

简介：一个面积约25平方厘米的纳米薄膜发电机借助电吹风的风力，通过薄膜间的摩擦产生电能，瞬间同时点亮900多个发光二极管……由多位归国博士组成的我国科研团队不久前利用纳米发电机研制出纳米薄膜风力发电系统，给风力发电增添了新的可能路径。

简介：在一场让太阳能电池更廉价和更高效的竞赛中，许多科学家和起步阶段的公司正在把希望放在利用纳米结构的新设计上。利用纳米技术，科学家可以测试和控制一种材料如何产生、捕捉、转移和贮存自由电子——这些属性对于把阳光转换成电能非常重要。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。

简介：据有关媒体报道，中国科学院兰州化学物理研究所张招柱研究员带领的课题组在碳纳米管薄膜润湿性能研究方面取得新进展。其研究结果发表在著名杂志Langmuir上。

简介：起粘结作用的薄膜结构厚度达到纳米尺度时,应用由微尺度观点建立的非傅立叶热传导模型分析其性能。文章采用纯声子散射模型分析绝缘薄膜结构的温度场和热应力,并与用在宏观尺度下的傅立叶热传导模型所得结果进行比较,同时研究绝缘薄膜结构热物理性能参数对温度场和热应力的影响。研究表明：采用纯声子散射模型分析结果与傅立叶热传导模型所得结果有明显区别,绝缘薄膜结构热物理性能参数对温度场和热应力也有显著影响。

简介：以正硅酸乙酯（TEOS）为硅源，采用溶胶-凝胶技术，通过两步酸法控制实验条件引入有机硅烷甲基三乙氧基硅烷（MTES）和表面活性剂十六烷基三甲基溴化氨（CTAB），制备了疏水型SiO2前驱体溶胶。以旋涂法成膜出SiO2～MTES-CTAB纳米疏水薄膜，研究了正硅酸乙酯与甲基三乙氧基硅烷不同的混合比以及不同的热处理温度等对纳米疏水薄膜的影响，并且分析了纳米疏水薄膜的表面形态。研究表明，利用有机基团甲基三乙氧基硅烷改性SiOz溶胶和薄膜的热处理温度对制备的SiO2基纳米疏水薄膜的性能以及表面形态都具有非常重要的影响。

简介：在LaAlO3（001）、MgO（001）、SrTiO3（001）衬底以及SrTiO3（001）／PZT（001）种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明：在LaAlO3（001）基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相；在MgO（001）和SrlriO3（001）衬底上，为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失；引入[001]取向的PZT种膜后，岛状三维生长变为二维生长，显著改善了外延膜的质量，获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。