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  • 简介:全球气候变暖正在挑战人类发展。面对日益严峻的挑战,我们应该意识到,节能减排,保护环境,是我们每一个人的责任。所以,我们应该从这一刻开始,关注生活细节,为保护我们的地球出一份力!

  • 标签: 高中 英语 课外阅读 阅读材料
  • 简介:今年10月份的LED杂志(LEDmagazine)刊登了三种MR16产品之间的性能比较,它们分别是:卤钨灯、SiC基板上生长的GaN(CREE制造)和在GaN上生长GaN的同质氮化镓(rhSORRA公司制造),见表1。

  • 标签: GAN 产品 技术 性能比较 iC基板 LED
  • 简介:GaN(氮化镓)功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc.和功率半导体的领军企业ROHMCo.,Ltd.为促进电力电子市场的创新与发展,开始就GaN功率器件事业展开合作。

  • 标签: Systems 功率器件 GAN 功率半导体 电子市场 氮化镓
  • 简介:<正>美国军方已经着手实施一系列价值数千万美元的计划来加快GaNIC的研发速度。在DARPA的资助下,在这个开发毫米波和微波集成电路的GaN项目中,最大的获益者是Raytheon(与Cree合作,2700万美元)、NorthropGrumman

  • 标签: DARPA GAN IC Northrop 获益者 微波集成电路
  • 简介:<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

  • 标签: 功率密度 GaN HEMT Lockheed 连续波 Quint
  • 简介:大规模轧了nanowires被ammoniatingGa2O3电影成功地在在850点在Si(111)底层上扔的Nb层上综合。X光检查衍射(XRD),扫描电子显微镜学(SEM),field-emssion传播电子显微镜(FETEM),Fourier转变了红外线的光谱(FTIR)被用来描绘结构、词法的性质同样综合轧了nanowires。结果表明nanowires是纯的六角形与在50nm和100nm之间的一段大约几微米和一条直径轧了wurtzite结构。最后,简短讨论了是镓氮化物nanowires的形成机制。

  • 标签: 纳米金属线 GAN 氨化处理 光致发光
  • 简介:在n类型的坚持的光导增益(PPC)现象轧了电影成年bymetalorganic化学药品蒸汽免职(MOCVD)被学习了。在使用一些测试和分析方法以后,例如双水晶X光检查衍射(DCXRD),光致发光(PL)系列,等等,在n类型的PPC轧了影响的问题不相对脱臼和黄乐队(YB),这被发现,并且被Si的做的水平很可能引起。

  • 标签: MOCVD GAN DCXRD 光致发光 光电导率
  • 简介:<正>在2003年8月底举行的日本应用物理学会秋季会议上,日本的一些知名公司和大学报告了其最新GaN基器件研究概况。三菱电气公司描述了用5分钟600℃快速热退火来减小AlGaN/GaNHEMT器件的肖特基栅泄漏。最大漏电流为1A/mm,gm为140mS/mm的HEMT的关断电压由105V提高到178V。德岛大学的一个研究小组报告了他们

  • 标签: GAN 器件研究 电气公司 德岛大学 应用物理学 快速热退火
  • 简介:ThepurecubicGaN(c-GaN)hasbeengrownon(001)GaAssubstratesbyECR-PAMOCVDtechniqueatlowtemperatureusingTMGaandhighpureN2asGaandNsources,respectively.TheeffectsofsubstratepretreatmentconditionsonqualityofcubicGaNepilayerareinvestigatedbythemeasurementsofTEMandXRD.Itisfoundthathydrogenplasmacleaning,nitridationandbufferlayergrowthareveryimportantforqualityofcubicGaNepilayer.

  • 标签: 氮化镓 立方体 氢等离子体 渗氮 缓冲层
  • 简介:Byusingspectroscopicphotoconductance,transmittanceandluminescencemethods,theopticalcharacterizationofGaNgrownbyplasmasourceMBEhavebeenevaluated.Theimperfectionoftheepitaxiallayerdeducedfromthemeasuredresultshavebeendiscussed.Thetransientresponsesofthephotoconductivedetectorshavebeenmeasured.Twotimeconstantsof0.17msand6.85msatroomtemperaturearededucedfromthemeasuredresults.Theoriginshavealsobeendiscussed.

  • 标签: GAN MBE 光学特征 等离子体 分子束外延 光谱
  • 简介:摘要:自古以来信息的加密与破译就生生不息,人们对加密方法安全的更高追求也会永恒不变,基于GAN的加密算法检测模型,为未来深度学习在密码通讯领域的运用进行一些尝试。

  • 标签: GAN 密码学,安全检测
  • 简介:Measurementsoftheexcitationpower-dependenceandtemperature-dependencephotoluminescence(PL)areperformedtoinvestigatetheemissionmechanismsofInGaN/GaNquantumwells(QWs)inlaserdiodestructures.ThePLspectralpeakisblueshiftedwithincreasingtemperatureoveracertaintemperaturerange.ItisfoundthattheblueshiftrangewaslargerwhenthePLexcitationpowerissmaller.ThisparticularbehaviorindicatesthatcarriersarethermallyactivatedfromlocalizedstatesandpartiallyscreenthepiezoelectricfieldpresentintheQWs.Thesmallblueshiftrangecorrespondstoaweakquantum-confinedStarkeffect(QCSE)andarelativelyhighinternalquantumefficiency(IQE)oftheQWs.

  • 标签: 斯塔克效应 量子限制 温度诱导 光致发光 GaN 管结构
  • 简介:TheenergybanddiagramandchargedistributionoftheunintentionaldopedAIGaN/GaN/AIGaN/GaNdoubleheterostructurewereobtainedbyself-consistentPoissonSchroedingercalculations.Theseverebandtiltingandhightwo-dimensionalelectrongas(2DEG)densitymainlyattributetothelargeinternalpolarizationintensity,whichisc/osetoalinearfunctionorAlcomposition.TheinfluenceorAlcompositionisinvestigated.Theresultsshowthatbandtiltingenlargesand2DEGgainswithAIcomposition,andtwo-dimensionalholegasoccurswhenAIcompositionreachesacertainextent.TheinfluenceorAlcompositionandtwo-dimensionalholegas(2DHG)ondevicesisdiscussed.

  • 标签: 能带图 电荷分布 双重异结构 自相容泊松-施荣丁格尔计算 氮化镓
  • 简介:通过控制温度和湿度,用垂直沉积法快速制备出了不同厚度的高质量二氧化硅和聚苯乙烯胶体晶体薄膜。用透射光谱和反射光谱对制备的样品的光学特性进行了表征,并与理论计算结果进行了对比分析;用衍射光谱中的布拉格衍射峰两侧的波纹测量了薄膜厚度,并对薄膜厚度对其光学特性的影响进行了分析,为用厚度调制胶体晶体薄膜光学特性和实际应用创造了条件。

  • 标签: 胶体晶体薄膜 光学特性 厚度 垂直沉积法