简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

简介：<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

简介：<正>Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。其中,变化较大的是GaN功率元件。最近,耐压600V的新款GaN功率晶体

简介：采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响。在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大。

简介：首先对ETFE薄膜进行了单向拉伸试验，由应力应变曲线计算力学参数：屈服强度、屈服应变、切线弹性模量和割线弹性模量．采用两种环氧树脂1：1质量比制备胶黏剂，实现应变片与ETFE粘结协同，然后对其标定．研制了由荷载模拟、ETFE气枕、压力控制系统和测量系统组成的试验系统．成功地进行了风压、风吸正常承载力试验和极限承载力试验，应用三维扫描仪实现ETFE气枕形态无接触测量，并与数值分析结果进行了对比．本文成果对ETFE气枕设计具有参考价值．

简介：由于红外吸收光谱法具有许多突出的优点,因此它在许多领域有广泛的应用。在薄膜、合成纤维、橡胶、塑料等高聚物的研究方面,用于单体、聚合物、添加剂的定性、定量和结构分析。一般高聚物的红外光谱中谱带的数目很多,而且不同种类的物质其光谱很不相同,特征性很强。此外红外光谱法的制样和实验技术相对比较简单,它适用于各种物理状态的样品。本实验研究以高聚物薄膜材料做样品,对样品高聚物进行红外光谱分析,分析表明,本实验所用样品高聚物成分为聚乙烯材料,这个实验结果也表明,用红外光谱法鉴定高聚物的组成非常有效。红外光谱法用于定量组分分析,与其它测量方法相比,具有制样简单方便、重复性好和测量精度高的特点。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

简介：以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构.用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺.STO薄膜的介电特性分析：在100kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050.

简介：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。

简介：帝斯曼集团于近日宣布，与其共同开发合作伙伴MFFolienGmbH公司已运用帝斯曼生物基聚酰胺EcoPaXX@PA410材料，成功生产出新型聚酰胺薄膜。作为全球领先的聚酰胺薄膜生产企业，MFFolien公司在EcoPaXX薄膜研发之初即成为帝斯曼的开发合作伙伴。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：拜耳材料科技日前宣布已经成功购得了毗邻马萨诸塞州南迪尔菲尔德厂址的11英亩地，不仪体现了拜耳恪守对北美自由贸易区功能性薄膜业务的承诺，也为将来扩大南迪尔菲尔德公司打下了基础。

简介：介绍了基于PVDF(polyvinylidenefluoride,聚偏二氟乙烯)薄膜的一种水中冲击波压力测量技术.利用有机玻璃防护结构,采用压接方式引出PVDF薄膜电极,制备了PVDF水中冲击波压力传感器.采用对比法校准PVDF水中冲击波压力传感器的灵敏度系数,并开展了水中冲击波压力场测试,取得良好的测试结果.

简介：一个面积约25平方厘米的纳米薄膜发电机借助电吹风的风力，通过薄膜间的摩擦产生电能，瞬间同时点亮900多个发光二极管……由多位归国博士组成的我国科研团队不久前利用纳米发电机研制出纳米薄膜风力发电系统，给风力发电增添了新的可能路径。

简介：文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点，介绍了氮化物薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究，偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法．脉冲偏压增大，薄膜残余应力显著增加：N2分压增大，薄膜残余应力显著增加．采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜，其残余应力沿层深分布趋势明显均匀，薄膜残余应力可得到有效调整．

简介：TransientthermalimpedanceofGaN-basedhigh-powerwhitelightemittingdiodes(LEDs)iscreatedusingathermaltransienttester.Anelectro-thermalsimulationshowsthatLEDjunctiontemperature(JT)risestoaverylowdegreeunderlowdutycyclepulsedcurrent.AtthesameJT,emissionpeaksareequivalentatpulsedandcontinuouscurrents.Moreover,thediferenceinpeakwavelengthwhenaLEDisdrivenbypulsedandcontinuouscurrentsinitiallydecreasesthenincreaseswithincreasingpulsewidth.Thus,selectinganappropriatepulsewidthdecreaseserrorsinJTmeasurement.

简介：采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管（LED）金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

简介：采用鼓包法研究聚丙烯薄膜／不锈钢基底的粘接性能。基于数字散斑相关法，对自由窗口的聚丙烯薄膜受油压发生变形的全场形貌进行测量。实验结果表明：方形窗口薄膜的剥离最先从四边的中心开始，然后扩展到薄膜的4个尖角，变形形貌从方形最后变成圆形。聚丙烯薄膜／不锈钢基底的界面粘接能为（22．60~1．55）J／m2，这个结果和圆形薄膜窗口测量的结果吻合得较好。

简介：在模拟球面元件曲率半径的仿面形夹具上镀制了AlF3单层薄膜，并对不同口径位置上的薄膜进行了比较，以表征球面元件表面镀制薄膜的光学特性和微观结构。首先，采用紫外可见光分光光度计测量了不同口径位置上薄膜样品的透射和反射光谱，反演得出AlF3的折射率和消光系数。然后，使用原子力显微镜观察了样品的表面形貌和表面粗糙度。最后，使用X射线衍射仪对薄膜的内部结构进行了表征。实验结果表明：在球面不同位置镀制的AlF3单层薄膜样品的光学损耗随着所在位置口径的增大而增大。口径为280mm处的消光系数是中心位置处消光系数的1.8倍，表面粗糙度是中心位置的17.7倍。因此，球面元件需要考虑由蒸汽入射角不同带来的光学损耗的差异。

简介：