简介：

简介：<正>随着设计变得越来越复杂,工程师不断寻找更新的半导体材料。氮化镓(GaN)材料自从多年前开始被IEEE国际微波研讨会等重要会议视为一大趋势后,近年来已经逐渐稳定立足于RF/微波应用。接下来,氮化镓将应用在哪些方面?它存在哪些局限?未来又将带来哪些可能性?为了回答这些问题,咨询了GaNSystems、宜普电源转换公司(EfficientPowerConversion;EPC)、TriQuintSemiconductor、MACOM与ElementSix等公司的研发团队。

简介：ThinheavilyMg-dopedInGaNandGaNcompoundcontactlayerisusedtoformNi/AuOhmiccontacttop-GaN.ThegrowthconditionsofthecompoundcontactlayeranditseffectontheperformanceofNi/AuOhmiccontacttop-GaNareinvestigated.Itisconfirmedthatthespecificcontactresistivitycanbelowerednearlytwoordersbyoptimizingthegrowthconditionsofcompoundcontactlayer.WhentheflowrateratiobetweenMgandGagassourcesofp++-InGaNlayeris10.6%andthethicknessofp++-InGaNlayeris3nm,thelowestspecificcontactresistivityof3.98×10-5?·cm2isachieved.Inaddition,theexperimentalresultsindicatethatthespecificcontactresistivitycanbefurtherloweredto1.07×10-7?·cm2byoptimizingthealloyingannealingtemperatureto520℃.

简介：目的：研究制定双鱼薄膜衣片的工艺。方法：以压片前颗粒的性状、休止角、引湿性以及压片后片面光洁度、素片硬度、崩解时限作为指标，考察筛选适合的辅料及其比例，并取得稳定的成型工艺。结果：该片的工艺为：浸膏粉与淀粉比例为2∶1，以88%乙醇作为润湿剂进行湿法制粒，50℃干燥，整粒；加入1%硬脂酸镁、8%微晶纤维素混匀，压片；70%乙醇作为溶剂，配制浓度为10%的包衣液，包薄膜衣即得。结论：本成型工艺稳定，所制得的成品外观及相关检查符合《中国药典》2010年版的要求。

简介：由以色列特拉维夫大学、耶路撒冷希伯来大学和英国纽卡斯特大学的研究员组成的国际小组。开发出一种包含碳纳米管和纳米棒的薄膜。有望作为一种无线植入设备，可以达到极佳的诱导视网膜光刺激效果。在膜结构中，纳米棒散布在整个三维的多孔纳米管矩阵里，最后使膜形成一种适于植入的柔韧灵活的基础层，研究人员把这种膜贴附在14天大的小鸡的视网膜上，视网膜就会产生光致电流——这是一种神经信号，这种信号传入大脑后可以由大脑来解释处理。

简介：AsimpleandeffectiveapproachtoimprovetheswitchingcharacteristicsofAlGaN/AlN/GaNheterostructurefieldeffecttransistors(HFETs)byapplyingavoltagebiasonthesubstrateispresented.Withtheincreaseofthesubstratebias,theOFF-statedraincurrentismuchreducedandtheON-statecurrentkeepsconstant.BoththeON/OFFcurrentratioandthesubthresholdswingaredemonstratedtobegreatlyimproved.Withthethinnedsubstrate,theimprovementoftheswitchingcharacteristicswiththesubstratebiasisfoundtobeevengreater.TheaboveimprovementsoftheswitchingcharacteristicsareattributedtotheinteractionbetweenthesubstratebiasinducedelectricalfieldandthebulktrapsintheGaNbufferlayer,whichreducestheconductivityoftheGaNbufferlayer.

简介：（上接《塑料包装》2015年第1期）二、功能性包装薄膜（一）蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜1、概述蒸镀氧化物型阻隔性包装薄膜中,蒸镀氧化硅型透明阻隔性包装薄膜,是开发应用比较成功的一个品种,也是二十世纪末期,复合软包装领域中,最引人注目的重大突破之一.蒸镀氧化硅型阻隔性包装薄膜,是透明蒸镀型阻隔型包装薄膜的代表性产品,被塑料软包装界认为是最有发展前途的软包装材料之一。

简介：吸氧阻隔性包装薄膜亦称脱氧型阻隔性包装薄膜或者除氧型阻隔性包装薄膜，亦可称之为活性阻隔性包装薄膜。这种薄膜除了具有普通阻隔性包装薄膜所具有的阻隔性之外，它在具有阻隔性的同时，还对氧气具有“活性”，当氧气进人、通过该薄膜时，薄膜中的易氧化成分会和氧进行化学反应，从而消耗进入、通过薄膜的氧气。

简介：随着智能手机的日益普及，人们对手机拍照功能的要求越来越高，市场也日益扩大。摄影摄像功能已经成为智能手机的标准配置，人们不仅仅要求图像更加清晰，而且要求手机拍照能够适应更多的场景。

简介：精准印刷公司是北美前五大图文传播和商业印刷企业之一，专业印制标签、表格与软包装，以卓越的精准印刷质量享誉业界。目前，精准拥有现代化厂房213，000平方英尺，多达40余台印刷机设备，其中大部分是平版胶印机，用于印制标签和软包装。

简介：本文采用GaN功率管芯,以S参数为基础设计了一个X波段宽带功率放大器,并与实测数据进行了对比。结果表明该电路在6~12GHz范围内,小信号增益全频段大于10dB,饱和输出功率高于37dBm,带内增益波动小于1dB。

简介：在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：轧了射出二极管(LEDs)，薄AlInN层在堵住层(EBL)的电子前面插入了的基于的蓝光试验性地被学习。插入薄EBL能改进轻产量力量并且减少效率，这被发现与常规AlGaN对应物相比低垂。基于数字模拟和分析，当薄AlInN层被使用时，电、光的特征上的改进主要被归因于电子漏电流的减小，它在量井(QW)增加搬运人的集中。

简介：本文重点阐述塑料薄膜行业上下游的发展概况,分析塑料薄膜的分类、用途及其发展方向,并用原材料方面详尽的统计数据预测未来薄膜市场的发展趋势.另外本文揭示了国际跨国公司在塑料薄膜方面的在华布局,展示了国内上市企业在功能性薄膜方面的研发成果及其核心竞争力。

简介：归于长周期光纤光栅的严格的相位匹配条件,研究了光栅周期、平均折射率变化、环境折射率和薄膜参数对长周期光纤光栅双峰效应的影响。研究发现光栅周期和平均折变量增加可以减小双峰距离,但平均折变量的增加极易导致光谱特性变差。给出了双峰距离随环境折射率变化的关系,发现应用镀膜长周期光纤光栅的双峰谐振效应可以有效提高光栅的折射率灵敏度。研究还发现,通过减小薄膜厚度或薄膜折射率可以减小两谐振峰之间的距离。

简介：本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：以金属铜箔和镍粉为原料，采用涂覆法制备出Ni—Cu多孔薄膜。采用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、x射线衍射仪（XRD）、原予力显微镜（AFM）等设备对所制Ni-Cu薄膜的显微结构、物相组成进行表征。通过压泡法对所制多孔薄膜的通量及孔径进行测试，并探讨薄膜的成孔机理。研究表明：所制备Ni-Cu多孔薄膜厚度约为50μm，平均孔径约10girl；涂覆面通过Ni粉的松装烧结形成多孔结构；铜箔一测的孔是由于Kirkendall效应所产生的空位沿着晶界扩散在表面聚集而成。