简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

简介：

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简介：以正硅酸乙酯和葡萄糖分别作Si源和C源，草酸和硼酸分别作催化剂，采用溶胶一凝胶法制备SiC前驱体，并采用碳热还原法制备纳米SiC。采用XRD、SEM对样品的物相和形貌进行表征。结果表明，用草酸作催化剂制备的前驱体在1550℃制备的SiC是颗粒与晶须的混合体，颗粒粒径为30~50nm，晶须长度为1～3μm，晶须直径为60～100nm；用硼酸作催化剂制备的前驱体其碳热还原温度显著降低，在1400℃就能制备出SiC颗粒与晶须的混合体，颗粒粒径为20~30nm，由于B加入后的抑制作用，SiC晶须的含量明显减少。

简介：以YAG（Y3Al5O12，钇铝石榴石，Al2O3和Y2O3的反应产物）为主要助烧剂的SiC／YAG复合陶瓷材料具有许多优良的性能，在诸多领域中存在巨大的应用潜力。综述了近年来SiC／YAG复合陶瓷材料的研究进展，并提出了目前研究工作中尚存在的一些问题，指出SiC／YAG复合陶瓷仍具有广阔的发展前景。

简介：研究了SiC凝胶浇注成型工艺中，不同引发体系引发浆料固化过程的流变特性，发现SiC粉体对丙烯酰胺（AM）自由基聚合存在阻聚作用。引发剂体系分别为过硫酸铵（APS）、过硫酸铵-四甲基乙二胺（APS-TEMED）氧化还原体系和2，2-偶氮[2-（2-咪唑啉-2-基）丙炕]盐酸盐（AZIP·2HCI）。3种引发剂引发的浆料固化过程中均存在阻聚作用。AZIP·2HCl引发时，阻聚作用尤为明显，浆料在120min内不能完全固化。烧结助剂的加入可降低阻聚作用对浆料固化的影响，但浆料仍需较长的时间才能完全固化。煅烧处理可消除粉体的阻聚作用，表明粉体表面的不明有机物可能是阻聚作用的原因。对比3种引发体系引发浆料固化过程的流变曲线，得出APS-TEMED是SiC凝胶浇注成型的理想引发体系的结论。

简介：以高岭土、滑石和工业氧化铝为矿物原料烧结制备了堇青石陶瓷，通过X射线衍射仪、扫描电镜、万能材料试验机和热膨胀仪等测试手段，研究了添加不同含量SiC对烧结堇青石陶瓷相组成和性能的影响，并比较了添加不同颗粒尺寸的SiC对烧结陶瓷强度的影响。试验表明，随着SiC添加量的增加，堇青石陶瓷的弯曲强度、致密度和热膨胀系数逐渐增大。当添加SiC的质量分数为5％、粒径为5．0μm时，烧结堇青石陶瓷的强度较未添加时增大了41．9％，而热膨胀系数的增幅不大。

简介：C/C-SiC复合材料是新一代高性能刹车材料,在高速列车、飞机和重型汽车等高能载制动领域具有广阔的应用前景。介绍了C/C-SiC复合材料的制备方法,分析了各种制备方法的优缺点。从材料的物相组成和使役条件两方面分析了C/C-SiC刹车材料摩擦磨损性能的影响因素,介绍了C/C-SiC刹车材料的优化设计,并对未来的研究方向、研究重点进行了展望。

简介：

简介：采用磁控溅射技术制备了SiC／Cu层状复合材料，研究了Cu层厚度对SiC／Cu层状复合材料力学性能的影响。结果表明，保持SiC层厚度为0．5μm不变，层状复合材料的断裂能和极限拉伸强度随Cu层厚度的增大先增加后降低，在Cu层厚度为8μm时出现峰值，断裂能和极限拉伸强度分别为2080．3MJ／m^3和565MPa。分析认为，在拉伸过程中金属Cu层发生塑性变形和Cu层拔出是SiC／Cu层状复合材料力学性能增强的主要原因。

简介：HfB2具有高熔点（3250℃）和高硬度（29GPa），成为颇具潜力的超高温材料。目前研究较多的是HfB2-SiC复合材料。主要介绍了HfB2-SiC复合材料的常用制备方法，包括热压烧结、放电等离子体烧结、化学气相沉积等，并展望了HfB2-SiC超高温材料的发展趋势。

简介：MoleculardynamicssimulationusingauniversalforcefieldhasbeenemployedtodeterminethediffusioncoefficientsofO2andNa2SO4vaporintoB2O3andSiCfrom700Kto1273K,respectively.Einsteindiffusionwasobservedina250～300pssimulation.ThediffusioncoefficientfortheO2rangefromabout9.279×10-9cm2/sforB2O3to2.275×10-10cm2/sforSiCataloadingof32moleculespersimulationbox,thatfortheNa2SO4vaporrangefromabout9.888×10-7cm2/sforB2O3to1.837×10-10cm2/sforSiCataloadingof8moleculespersimulationbox.EnvironmentpropertiesofC/SiCcompositewillbeincreasedviatheB2O3preventingthediffusionofO2andNa2SO4vaporintothepyrolyticinterphaseandcarbonfibers.

简介：利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。

简介：钡锶铝矽酸盐(BSAS)和Si/BSAS涂层经由一个二拍子的圆舞激光cladding过程在C/SiCcomposites的表面上被制作。微观结构，机械性质，和样品的水蒸汽腐蚀行为被调查。BSAS涂层被发现紧被结合到底层和仅仅一些毛孔，microcracks被观察。硅中间层的介绍被揭示减少热应力并且支持在激光cladding过程期间形成的缺点愈合。为了评估腐蚀抵抗，BSAS和Si/BSAS-coated，C/SiCcomposites暴露于50%H2在1250敢椠?慦桳潩的O和50%O2吗？

简介：

简介：石墨和ZrB2–SiC的氧化行为修改了石墨合成在1×105Pa空气和0.2×105PaO2。氧化测试在一个感应的加热炉子被进行。这二材料的氧化跟随了线性率法律。在2100°C的石墨和C–ZrB2–SiC的坚定的半径损失率在1×105−2和1.05×10−2%/s>Pa空气，和3.23×10−2和2.21×10在0.2×105−2%/s>PaO2,分别地。ZrB2并且原文如此的加入显著地减少了石墨的氧化率因为在氧化期间在样品表面上形成的氧化物规模在减少暴露的表面区域帮助在下面底层。在有一样的氧的二不同气氛部分压力，石墨和C–ZrB2–SiC在0.2×105PaO2比在1×105Pa空气。氧化为石墨和C–ZrB2–SiC的控制率的步被建议分别地是通过边界层并且通过在氧化物规模的毛孔的氧的里面的散开。一个模型基于散开理论被建立在他们的氧化行为上讨论全部的煤气的压力的效果。

简介：日本住友商事、美国WASHINGTONMILLS与沙特阿拉伯ALGOSAIBI三公司将在2009年6月以前成立合资公司"碳化硅沙特阿拉伯",并建设工厂。计划从2011年1月开始生产和销售。目前已签署了生产碳化硅(SiC)的相关协议。

简介：ForimprovingthepropertiesofSiC-mullitecompositeceramicsusedforsolarsensiblethermalstorage,MnO_2wasintroducedassinteringadditivewhenpreparing.ThecompositeceramicsweresynthesizedbyusingSiC,andalusite,α-Al_2O_3asthestartingmaterialswithnon-contactgraphite-buriedsinteringmethod.PhasecompositionandmicrostructureofthecompositeswereinvestigatedbyXRDandSEM,andtheeffectofMnO_2onthepropertiesofSiCcompositeswasstudied.ResultsindicatedthatsamplesSM1with0.2wt%MnO_2additionachievedtheoptimumproperties:bendingstrengthof70.96MPa,heatcapacityof1.02J·(g·K)-1,thermalconductivityof9.05W·(m·K)-1.ProperadditionofMnO_2wasfoundtoweakenthevolumeeffectofthecompositesandimprovethethermalshockresistancewithanincreasedrateof27.84%forbendingstrengthafter30cyclesofthermalshock(aircoolingfrom1100℃toRT).

简介：CH3SiCl3(山)-H2-Ar系统被使用了原文如此与化学蒸汽免职(CVD)准备电影在这份报纸的方法。为三个方面原文如此拍摄，对生长率，表面粗糙，厚度和相对密度的一些重要影响由山一致性带了主要与运动始於西班牙的纸牌赌博carlo(KMC)被讨论了方法。模拟结果证明与不同免职温度为到山(H2/MTS)的H2的摩尔比率有某个规模。当山一致性增加时，生长率和三个方面的表面粗糙都增加关系，它表明近似线性。当增加三方面厚度的趋势显然是不同的时，三个方面的厚度也增加。尽管三个方面的相对密度都增加，增加的趋势与山一致性增加显示出小差别。

简介：以中间相沥青浸渍整体碳毡发泡技术制备的一种新型多孔C／C泡沫复合材料为预制体，通过液相硅浸渗（LSI）工艺制备了C／SiC复合材料，研究了预制体不同孔隙率对si浸渗及C／SiC复合材料力学性能和微观形貌的影响，分析了复合材料的物相组成和晶体结构。结果表明，采用发泡技术可以快速有效地实现C／C预制体的致密化处理。预制体孔隙率为65．41％时液相硅浸渗处理后所得复合材料性能最好，密度为2．64g／cm3，弯曲强度为137MPa，弹性模量为150GPa。纤维未作表面抗硅化涂层处理以及复合材料中存在闭孔是C／SiC复合材料性能不佳的主要原因。