微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。
现代材料动态
2009年10期
