首页 > 《现代材料动态》 > 2009年10期 > SiC生产中缺陷现状

SiC生产中缺陷现状

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

DOI rdxg1k7l4l/800273

作者邓志杰（摘译）

机构地区不详

出处《现代材料动态》 2009年10期

关键词 SIC晶体结构缺陷生产衬底表面堆垛层错缺陷表面

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2009年10月20日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）