简介：

简介：摘要： “非常精密加工”作为一种极其精密的加工技术逐渐显现出来，这种加工的方法结合了极其精确的硅片切割，磨削和磨削加工，分析了硅片超精密加工的研究现状，并探讨了硅片的发展趋势。预测硅晶片的加工与未来的研究工作。

简介：摘要：超精密加工作为一种非常精密的加工技术正在逐渐兴起。这种加工方法结合了高精度硅片的切割、磨削。对硅片超精密加工的研究现状进行分析和讨论，预测硅晶圆工艺和未来的研究工作。

简介：摘要：集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，推动集成电路产业链上下游健康发展，是实现国家强盛的必由之路。根据我国国民经济“十四五”规划，国家对集成电路行业的支持政策已进入到“举国体制大力发展”的地步。半导体级多晶硅作为集成电路产业链中最上游的原材料，是产业的基础粮食，国家已出台各项政策，支持和鼓励企业技术研发及生产应用于集成电路领域的半导体级多晶硅产品，半导体级多晶硅材料早已被国家列入《电子专用材料制造》产业。

简介：摘要：集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业，推动集成电路产业链上下游健康发展，是实现国家强盛的必由之路。根据我国国民经济“十四五”规划，国家对集成电路行业的支持政策已进入到“举国体制大力发展”的地步。半导体级多晶硅作为集成电路产业链中最上游的原材料，是产业的基础粮食，国家已出台各项政策，支持和鼓励企业技术研发及生产应用于集成电路领域的半导体级多晶硅产品，半导体级多晶硅材料早已被国家列入《电子专用材料制造》产业。基于此，对半导体级多晶硅隐性指标进行研究，以供参考。

简介：硅是推动人类文明大步前进的现代计算机技术的核心，硅也可能在未来的计算机技术等方面起到关键作用，所以硅的研究历来是国际重大研究领域。半导体表／界面是未来关键器件中复合结构的基础，Si（111）-7×7重构表面相又是半导体重构表面的代表，因此Si（111）-7×7重构表面相及其相变动力学现象的研究，一直是一个国际重大课题。

简介：日前，《全球半导体技术路线图》报告显示，全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。预计，到2015年，全球半导体产业将从当前的“硅技术”向“纳米技术”过渡。该报告是由欧洲、日本、韩国、中国台湾和美国的主要半导体厂商联合发布的，主要致力于寻求未来的半导体制造技术。

简介：摘要：为了实现电火花加工同一时刻形成多个放电通道蚀除工件，克服现有放电加工理论中同一时刻仅有一个放电通道蚀除工件的限制，提出了采用半导体材料作为电极进行放电加工的新方法。

简介：摘要：作为一种新型的计算方法，量子计算有望解决经典计算机过于复杂的问题。自提出以来，受到了广泛关注。然而，由于量子比特的脆弱性，实用化的量子计算机必须实现量子纠错，容错量子计算的概念应运而生。有效量子纠错的前提是量子比特操作的错误率低于某个阈值，即容错阈值。在各种物理体系中，硅基半导体自旋量子比特的制造工艺与现代半导体先进制造工艺兼容，并具有其他体系无可比拟的扩展优势，被认为是实现容错量子计算的最有前途的体系之一。

简介：<正>据美国物理学家组织网1月31日报道,近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)纳米电子学与结构(LANES)实验室称,用一种名为辉钼(MoS2)的单分子层材料制造半导体,或用来制造更小、能效更高的电子芯片,在下一代纳米电子设备领域,将比传统的硅材料或石墨烯更有优势。研究论文发表在1月30日的

简介：摘要为了解决可见光显微成像技术无法实现硅基芯片内部结构观测的问题，根据1064nm的红外激光对硅材料具有一定穿透深度的特性，设计了一种硅基半导体芯片激光红外显微成像系统。该系统采用数值孔径为0.42的长工作距显微物镜，通过音圈电机振动多模石英光纤消除散斑噪音，由系统观察CD-RW盘片道间距，表明系统分辨率可达到1.6μｍ，接近理论值，实现了对芯片厚度为70μｍ的静态随机存储器内部结构显微成像的观测。

简介：摘要：绝缘体上硅是半导体器件演变过程中技术革新的关键一环，为芯片的创新与发展带来契机。高性能芯片的出现让大部分业内器件制造商更加青睐绝缘体上硅材料，同时不断完善技术，致力于运用集成技术制造体积更小、损耗更低的半导体芯片。本文将详细分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺流程，分析其可靠性，总结对目前技术的创新办法，为相关技术应用提供参考。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：<正>近日,韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳,开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《NatureCommunications》上。之前,很多研究人员认为,替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层"石墨烯(Graphene)"。石墨烯之所以被称为"革命性的新材料"是因为导热性

简介：<正>东京都市大学(原武藏工业大学)综合研究所开发出了可在室温(300K)且电流注入的条件下发光的Si类半导体元件。发光时的Q值高达1560。为室温下Si类半导体的全球最高值,完全可作为LED使用。在以Si类半导体实现光传输的"Si光子"技术领域,包括光敏元件和导光路

简介：<正>从重庆超硅光电技术有限公司获悉,该公司集成电路用8/12英寸半导体级抛光硅片及其延伸产品制造基地的土建工程即将于近日完工,可达到取证验收要求。按计划今年底可以出片,一举改变该材料依靠进口的局面。据悉,重庆超硅半导体项目,投资15亿元,用地200多亩,厂房面积12万平方米,达产后将实现8英寸硅片年产600万片、12英寸硅片年产60万片的产能。项目投产后,将有力促进两江新区乃至重庆的半导体材料产业发展,填补我国规模生产8/12英寸半导体级硅产业的空白,改变该材料依靠进口的局面。

简介：摘要：相较于国内已经发展较为成熟的光伏级多晶硅而言，半导体级多晶硅在纯度上达到11N(99.999999999%)-12N(99.9999999999%），因为下游集成电路行业制程的特殊需求，对于多晶硅原料中的施主杂质浓度、受主杂质浓度、碳浓度、氧浓度、基体和表面金属杂质浓度等关键指标要求严格，同时对产品的稳定性也提出了非常苛刻的要求，这主要体现在集成电路行业对每一种原材料长达一到三年的验证周期，这使得半导体级多晶硅从设计理念、装置建设、生产质量管理体系都体现出与其他行业截然不同的严谨的集成电路行业逻辑，能够与光伏级多晶硅明显区分。

简介：飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件；MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核；NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

简介：安森美半导体和Catalyst半导体宣布，已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议，交易将全部以股票支付，Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元，企业价值约为0．85亿美元。

简介：据有关媒体报道，天津市规划投资683亿元，加快发展移动通信产品、显示器、电子元器件三大优势领域。“十一五”期间，将形成手机1亿部、片式元器件1400亿只、半导体芯片150万片、硅材料400吨的年产能力，使之成为全国最大的半导体分立器件和硅材料生产基地。将重点支持3G手机和设备、100英寸以上显示设备的开发和生产；重点发展高速、小型、贴装化高压整流器件及硅材料生产，