简介：在综述微波功率AlGaN/GaNHFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。

简介：摘要时延估计是时差定位系统中的一项关键技术，也是影响定位精度的主要因素，对窄带通信信号的时延估计精度不高，一直是其中的难点。本文介绍了时延估计的原理，比较了时延估计的几种典型算法，并重点分析了其中针对窄带通信信号的算法，最后对各种算法进行了总结，指出了时延估计算法的发展趋势。

简介：摘要：针对传感器信号采集系统中出现的误差，引入了基于最小二乘支持向量机（LS—SVM）的信号自适应补偿方法，以保证采集信号的准确度。介绍了常用的信号补偿方法，在此基础上提出了基于LS—SVM的补偿算法，并利用MATLABQuartusII软件进行仿真。结果表明该方案正确有效。

简介：摘要随着时代的发展近年来我国科技正进行着飞速的发展,当前数字控制测控系统很难有效实现对控制以及监控等问题。近年来信息技术逐渐影响着我国社会现代化的发展,要想使国家获得更好的发展就必须要数字信息处理技术有效的进行,当今数字信息处理正逐渐改变着我们的生活,在人们的生活、生产等各个方面发挥着重要的作用。数字化信息处理技术在面对飞速发展的社会应该积极发展调研,使其向更加精准、微笑、便捷的方向发展,进而加快我国整体现代化的建设。本文主要研究数字信号处理技术在测控系统中的发展与应用。

简介：

简介：超薄（或说零厚度）微带线是微波电路设计的重要组成部分。基于矩量法，推导了零厚度微带线电磁参量的公式，计算了微带线的特性阻抗和相应的等效介电常数，探讨了微带线的准静电边缘效应和两条微带线间的近端串扰问题。计算结果与已有结果相比较，一致性良好。

简介：RDS是对FM广播系统应用的重大发展，其接收和解码需要性能较高的开关电容滤波器。通常采用计算z域传递函数，并将其分级用开关电容电路实现的设计方法。这种方法计算复杂，且滤波器的各级结构差异较大。文中提出一种基于重复单元的设计思路，将一个高阶开关电容滤波器拆分为几个结构完全一样的低阶滤波器单元。以二阶连续时间滤波器为基础，用开关电容模拟等效电阻，最终完成一个用于RDS信号处理的八阶开关电容滤波器，简化了设计，但同样具有较好的性能。

简介：摘要利用采样电流或电压的数字信号处理技术，探究出一种检测和定位故障和缺陷的测试办法，简单并应用于显著静止电流，同时，这也可以寻找准塑性电阻接点，因而探讨该办法应用于故障原因诊断所具有的潜力。

简介：本文全面系统地介绍了以太网与城域网(MAN)、宽域网(WAN)之间的连接技术,详细地讨论了以太网帧信号在SDH/WDM光子网络上的传输.最后指出,万兆以太网(10GbE)技术的开发和广泛应用将在通信领域展现出更加辉煌的明天.

简介：摘要在目前科学研究和军事等领域中微弱光信号检测有着较为广泛的应用，其检测的重点和难点在于光电探测其接受到的光信号以及转换的电信号较为微弱，为了保证其质量，本文论述了微弱光电信号检测电路如何进行优化设计。

简介：面向多通道复杂混合信号的快速精确自动化测试需求,设计并实现了具有在线实时自动校准功能的CPCI总线专用组合测试系统。基于标准的CPCI总线J1/J2接口和扩展的后IO接口设计了专用信号调理模块和通用数据采集模块硬件,基于FPGA设计了测量转换时序与控制逻辑,基于LabVIEW环境开发了自动测试软件。基于Matlab研究了自适应的分段拟合校准算法,实现了系统在线实时自动校准,校准后直流、交流、频率测量精度误差分别达到1‰、2%和0.1‰。测试结果表明,基于分段三次多项式拟合的自动校准方法能够快速有效降低系统非线性导致的测量误差,整套系统满足面向密集信号的快速装备测试需求。

简介：<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产

简介：针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10WGaNHEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2GHz～2.8GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。

简介：

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10W,实际效率达到75%,增益大约12dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：Dialog、恩智浦、安森美半导体、TI等公司正在开发GaN基功率半导体器件。面对这些传统功率器件巨头的竞争，NAVITAS如何突出重围呢？

简介：<正>英飞凌科技股份公司推出全新的650VCoolMOSTMC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。CoolMOSTMC6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650VCoolMOSTMC6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOSTMC6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器、太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源（SMPS）产品。相对于CoolMOSTMC3650V系列,全新650VCoolMOSTMC6/E6器件输出电容（Eoss）的储电量降幅高达20%,而C6/E6器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。邹勉摘编

简介：摘要当前社会，科技不断进步，经济发展迅猛。计算机技术也在整体环境之下不断突破，在社会中扮演着越来越重要的角色。随着数字信号处理被开发后，在计算机领域掀起了轩然大波，由于其固有的特性，迅速的在计算机市场中占据了重要的份额。其优势主要在如下的几大方面首先，该技术拥有强大的数据处理能力，同时可以实现程序控制，加之整体集成度高。本次研究着重从其基本概念入手，对实际方面的应用深入探讨。