简介：通过对时域信号的自相关时间均值函数做傅氏变换，推导出定周期跳时脉位调制超宽带脉冲序列的功率谱密度公式，形式更加简明；并分别在时域和频域进行仿真、分析，比较两种仿真结果，同时分析了跳时码周期和时延常数等参数对谱密度结构的影响，验证了推导结果与时域仿真的一致性。

简介：<正>在高功率的广播发射机、视频发射机以及某些高频、中频高功率设备中,一般要使用高功率电容器。这些高功率电容器中用量最多的为高功率陶瓷电容器,也有一些是真空电容器(固定的或可变的)。高功率陶瓷电容器种类繁多,根据不同的使用要求有高频、低频之分,高频、低频高功率电容器除所用瓷料不同外,在结构、外型尺寸、各种电气指标等有较大区别。高功率电容器在高功率设备中用于槽路的耦合、旁路、馈电、谐振、滤波等

简介：

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：WCDMA系统采用宽带扩频技术，所有用户共享上、下行频谱资源，每一个用户的有用信号的能量都被分配到整个频带内，但这种有用信号对其他用户将会产生干扰。如何控制用户间干扰、改善功率利用率，提高整个系统的用户容量和通话质量，以便更有效地利用无线资源呢？对此，功率控制成了解决问题的重要手段。

简介：<正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

简介：不同的通信系统对于功率测量的要求可能会有较大的差异。例如，两种流行的第二代（2G）无线通信制式即时分多址（TDMA）系统和码分多址（CDMA）系统对功率测量的要求存在着差别。但是，随着通信业向第三代（3G）无线通信系统的发展，TDMA和CDMA系统将相互融合。这些新系统的功率测量要求也将趋于一致。是否具备所需测量的能力是选择功率测量系统的关键因素，但快速、可重复性和精确的测量能力的支持也是必不可少的。本文将探讨这些兼容系统所需要的功率测量类型，并重点介绍一些由良好设计的测试系统对提高测量精度的促进作用。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

简介：

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：理论上推导了均匀平面波垂直入射与任意入射时的透射系数，利用Fourier变换对各种超宽带（UWB）脉冲波形在室内墙体透射中的失真问题进行了研究，仿真结果和时域的精确结果对比，一致性良好，另外初步分析了波形失真的特性。

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

简介：

简介：本文有比较地研究了线键合和区域焊接两种功率芯片互连技术的生产过程、电性能、热处理和可靠性,指出了功率芯片互连技术中线键合和区域焊接技术的优点和缺点.

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：针对继电接触控制的大功率AC稳压器电磁干扰大,电压调整波形畸变,而且电路结构复杂,本文利用新型过零触发器件组成的大功率交流稳压器,很好地解决了上述问题。

简介：<正>TriQuintSemiconductor公司的研究人员宣布制造出世界上最大功率的Si衬底AlGaN/GaNHEMT。这种器件10GHz下的连续波输出功率密度达到7W/mm。此结果表明,GaN/Si已发展到对中、大功率晶体管具有吸引力的水平,可望用于X波段功率MMIC甚至更高的频率。

简介：