简介：I＆J9000系列的全自动可编程滴液机最合和两份液体计量和混合的系统整合一起使用。它的Cartesian门式设计，特别适用于输送机进给的制程、或需要机械运动在工件之上作如喷雾的作业。

简介：自1973年前苏联用相对论返波管产生10ns400MW的脉冲输出到2003年美国高功率电磁脉冲炸弹首次用于伊拉克战争,高功率微波武器的发展已近半个世纪,微波武器的概念目前尚未被大众所知。首先简要综述了高功率微波系统的组成、基本概念,以及高功率微波的发展历史、世界各国研究现状和高功率微波的基本效应、威力、对抗高功率微波的措施、研究中的安全防护、研究高功率微波的仪器、仪表、设备、方法及手段;最后分析了目前的水平和困难、高功率微波能量传输的极限及高功率微波武器的安全问题。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

简介：频谱感知是认知无线电的关键技术之一。首先讨论了一种基于信号频谱特征的频谱感知方法,提出了一种判决统计量,克服了噪声功率不确定性的影响。给出了算法流程,并采用ATSC（ad-vancedtelevisionsystemscommittee）信号作为主用户信号对算法性能进行了仿真分析。结果表明：选择较多点快速Fourier变换（FFT,fastfouriertransform）估计得到的理想主用户信号功率谱作为模板所得的检测概率较高;FFT点数相同情况下,增加谱模板估计时的周期图平均次数对检测性能没有多大改进。另外,不同观测时间下的仿真结果还表明增加接收信号的观测时间有利于改进算法检测性能。

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。

简介：针对未来无线通信系统中的宽带和效率问题,设计了一种宽带高效率的J类功率放大器。为了减少谐波阻抗对效率的影响,该J类功率放大器在输出匹配网络中采用了谐波控制单元,并通过对晶体管模型的简化,综合出一种较好的匹配网络。另外,在输入匹配网络中,使用了具有宽带效应的混合集中和分布元件的π形匹配网络。设计中使用10WGaNHEMT晶体管对理论进行验证,测试结果显示,在2.2GHz～2.8GHz之间的频带内,J类功率放大器的漏极效率大于61%,增益大于10.4dB。该J类功率放大器在下一代无线通信系统中具有良好的应用前景。

简介：F类功率放大器是一种新型高效率放大器。可用于雷达、通信和电子对抗等领域的末级功率放大器,是现代电子设备高效率、高功率和小型化功率放大器的重要途径。分析了其工作原理和设计方法,并设计了一款S波段高效F类功率放大器,输出功率大于10W,实际效率达到75%,增益大约12dB,实测结果验证了仿真设计的有效性。

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万