简介：全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司和英飞凌科技宣布，两家公司就采用MLP3×3（Power33TM）和PowerStage3×3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆株式会社日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动,开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂,世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作,并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。这种模块是600V/100A三相变频,搭载了罗姆的6个SiC-SBD和6个SiC沟槽MOSFET,经验证工作温度可高达225℃。此外,该模块使用范围可达1200V级。因此,与传统的Si-IGBT模块相比,其损耗大大降低,不仅可实现小型化,而且与以往的母模类型SiC模

简介：回顾了空时自适应信号处理技术的发展过程，着重阐述了其发展过程中遇到的关键技术问题，并讨论了空时自适应信号处理技术的发展趋势，提出了需要或值得进一步研究的问题。

简介：这项新的测量技术使用快速傅里叶变换技术和预矫正来分析放大器的特性。

简介：巡航导弹作为一种重要的精确攻击武器，在作战中有着很强的摧毁能力，从空间位置信号融合角度提出了分布式雷达探测巡航导弹的方法。通过分析分布式雷达信号融合的意义和巡航导弹的目标特性，给出了分布式雷达在探测巡航导弹的优越性能，相对于多站雷达组网的数据融合（点迹、航迹融合），分布式雷达信号级融合的思想，扩大了信息容量，大大提高了巡航导弹的检测概率，在现代作战中有着广泛的应用前景。

简介：摘要电子侦查中对雷达信号的分析质量会从根本上影响侦查效果，所以需要应用相关技术完成对雷达信号的处理工作。基于对DSP技术应用原理的分析，本文提出了将该项技术应用于雷达信号处理系统的方法，在此基础上提出雷达信号处理系统的设计思路，提高雷达信号的准确性。

简介：根据直接序列扩频（DS-SS）信号的特点,将其建立为循环平稳模型。利用循环谱分析的方法估计了低信噪比下DS-SS信号的载波频率。利用时域平滑循环周期图估计了循环谱密度函数,在循环谱密度函数的数字实现过程中,研究了有限采集数据条件下数据截短点数对循环谱的时域平滑周期图估计性能的影响,分析了经过时域平滑后的DS-SS信号载频估计精度。最后,仿真实验验证了算法的有效性。

简介：复杂的云雨杂波严重影响雷达的探测跟踪能力,虽然雷达前端采取若干抑制杂波措施,但终端视频信号仍不可避免会存在各种杂波剩余。提出了一种基于视频信号的自适应云雨杂波抑制技术,通过实时统计杂波平均幅度,自适应获取阈值门限抑制云雨杂波,从而有效降低了虚警。该技术中排序算法既可减少目标漏警,又可降低目标回波对杂波幅度统计的影响,减少了目标检测损失。蒙特卡罗仿真分析表明,该技术对信噪比>-2dB目标的漏警概率损失<0.1,对后续恒虚警检测性能无进一步损失,验证了其有效性。

简介：摘要城市轨道交通作为交通方式中的重要组成，有利于改善人们出行拥挤的现状，满足人们对时效的需求。城市轨道交通的安全性是人们关注的问题，轨道交通信号是交通安全的保障的基础，因此应当对轨道交通控制系统进行分析，明确轨道交通控制方式，并结合目前热门的5G技术，实现信号传输及控制进一步强化，满足城市轨道交通高效运行目标。

简介：偏振敏感时域反射计(P-OTDR)在光纤偏振参数(双折射、偏振模色散)分布式测量,分布式传感中有着广泛的应用.本文介绍基于FPGA的P-OTDR信号采集处理系统.该系统的采样精度是12位,采样速率40MHz,具有多种可选触发方式,利用数字平均技术提高了采集信号的信噪比.该系统的研制成功有利于P-OTDR仪表的集成化与小型化.

简介：利用1×4光纤耦合器制成了4×10Gbit/s的光时分复用器,并对由该光时分复用器产生的40Gbit/s光信号进行了实验研究,分析了造成复用信号幅度随机波动的原因及改进方法.实验表明,改进后的40Gbit/s光信号波动很小,已经达到OTDM系统要求.

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：新兴市场碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。

简介：GaN（氮化镓）功率器件的全球领军企业GaNSystemsInc．和功率半导体的领军企业ROHMCo．，Ltd．为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：摘要在信息化发展的今天，编程对于我们来说显得越来越重要，学校、社会也越来越重视编程能力的培养，目前Python编程语言广受学习者和教师欢迎。随着互联网技术的发展，在教育领域中兴起了“慕课”、“微课”和“翻转课堂”的热潮，文章通过对“慕课”、“微课”和“翻转课堂”等教学模式进行研究和分析，结合Python编程语言操性强的特点，构建了“慕课环境下促进自主学习”的教学模式。

简介：<正>本文针对占风机泵类变量设备总容量80％以上的电动机,研讨实施高效变频调速技术的应用领域、适用类型、微观效益、宏观效益、产业化规模和政策措施,旨在实现量

简介：<正>日前,碳化硅（SiC）功率器件领域的市场领先者科锐公司宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFETTMMOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路,与传统硅器件相比,可实现更高的能源效率。

简介：基于能效的考虑，当前生产的功率模块不仪对工作表现提出了更严格的要求，同时在封装密度方面也提出了新标准。对应的即使是表面上最细微的残留物，也会对这些极其敏感的应用中器件的稳定性产生不良影响。