简介:<正>2014年6月3日讯:射频功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布推出射频功率工具系统(RFPowerToolsystem)。该系统旨在简化射频功率应用的开发,帮助客户创建独特的新射频功率解决方案。飞思卡尔射频功率工具系统是市场上唯一全面集成的射频功率应用开发系统,它将多个射频工作台工具功能集成到一个盒子中,无需射频评估设备的全套工作台,因而能尽量
简介:传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。
简介:<正>日本FDK公司开发出了尺寸为1.6mm×0.8mm、厚度为0.3mm的小型超薄功率电感器"MIPSKZ1608G系列"。该产品适用于可穿戴设备、智能手机、平板电脑、数码相机等移动设备的电源用电路。新产品与FDK以前的产品不同,采用了类似LGA(LandGridArrayPack-age,平面网格阵列封装)的下电极构造。利用这种构造以及该公司自主开发的铁氧材料技术和微细印刷技术,使新产品的厚度比原产品(系
简介:<正>"现在,业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分,采用还为时尚早",在与汽车展会"AUTOMOTIVEWORLD2014"同时举办的研讨会上,英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark-
简介:<正>中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这一突破有望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会近日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产
简介:<正>罗德与施瓦茨公司的R&SSGU100A射频上变频器将R&SSGS100A矢量信号发生器的频率扩展至从12.75GHz到20GHz的频率范围。通过结合两个仪器,用户现在可以不间断生成从80MHz至20GHz的矢量信号,例如:在航空航天和国防行业的测试系统中使用。一旦结合,则R&SSGS100A和R&SSGU100A表现为一台完整的仪表装置,同时具备一个I/Q输入接口和一个RF输出接口。该联合装置就像一台仪器一样,也可以通过远程或手动控制。根据不同的配置,它占用两个高度单位、1/219英寸宽或一个高度单位、19英寸宽。
简介:<正>是德科技公司(KeysightTechnologies,Inc)日前宣布推出全新的N5193AUXG捷变频信号发生器。这款现货供应的仪器适用于在航空航天与国防应用中高度真实且可扩展地仿真各类威胁。此外,UXG还支持滑入式安装方式,能够可靠地替代大型精密仿真系统中通常使用的传统快速切换本地振荡器(LO)。N5193AUXG捷变频信号发生器
简介:<正>是德科技公司宣布推出适用于射频功率放大器(PA)表征和测试的全新PXI参考解决方案,支持工程师执行S参数、谐波失真、功率和解调测量,对功率放大器-双工器(PAD)等下一代功率放大器模块实施快速和全面的表征。它经过优化,能够提供更高的测量吞吐量和测量精度。这款功能齐全的小型PXI参考解决方案是目前业界唯一适合对射频功率放大器及其周边所有无源器件(例如滤波器和双工器)执行设计验证和产品测试的解决方案。
飞思卡尔简化射频功率应用的开发——首款集成式射频功率开发系统可降低创建射频应用的复杂性
单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验
FDK推出小型超薄功率电感器MIPSKZ1608G系列
英飞凌:GaN功率元件前景虽好,但采用为时尚早
中国实现碳化硅大功率器件批量生产 有望缓解能源危机
R&S射频上变频器扩展矢量信号发生器频率
是德科技全新捷变频信号发生器快速可靠的频率切换
是德科技推出业界功能最齐全的参考解决方案,实现新一代功率放大器模块的完整表征