简介：研究Al-Mg-Si合金晶界组成相（Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si）间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n（Mg）/n（Si）〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

简介：

简介：SiO_2thinfilmscontainingSi_(1-x)Ge_xquantumdots(QDs)arepreparedbyionimplantationandannealingtreatment.Thephotoluminescence(PL)andmicrostructuralpropertiesofthinfilmsareinvestigated.ThesamplesexhibitstrongPLinthewavelengthrangeof400—470nmandrelativelyweakPLpeaksat730and780nmatroomtemperature.Blueshiftisfoundforthe400-nmPLpeak,andtheintensityincreasesinitiallyandthendecreaseswiththeincreaseofGe-dopingdose.Weproposethatthe400—470nmPLbandoriginatesfrommultipleluminescencecenters,andthe730-and780-nmPLpeaksareascribedtotheSi=OandGeOluminescencecenters.

简介：ＭｏｓｓｂａｕｅｒＥｆｆｅｃｔｏｆＲａｐｉｄｌｙＱｕｅｎｃｈｅｄＡｌ－Ｆｅ－Ｖ－Ｓｉ－ＭｍＡｌｌｏｙｓＷａｎｇＪｉａｎｑｉａｎｇ（王建强），ＣｈａｏＹｕｅｓｈｅｎｇ（晁月盛），ＺｅｎｇＭｅｉｇｕａｎｇ（曾梅光），ＺｈａｎｇＢａｏｊｉｎ（张宝金），Ｃｈ...

简介：Al-inducedlateralcrystallizationofamorphoussiliconthinfilmsbymicrowaveannealingisinvestigated.ThecrystallizedSifilmsareexaminedbyopticalmicroscopy,Ramanspectroscopy,transmissionelectronmicroscopyandtransmissionelectrondiffractionmicrography.Aftermicrowaveannealingat480℃for50min,theamorphousSiiscompletelycrystallizedwithlargegrainsofmain(111)orientation.Therateoflateralcrystallizationis0.04μm/min.Thisprocess,labeledMILC-MA,notonlylowersthetemperaturebutalsoreducesthetimeofcrystallization.ThecrystallizationmechanismduringmicrowaveannealingandtheelectricalpropertiesofpolycrystallineSithinfilmsareanalyzed.ThisMILC-MAprocesshaspotentialapplicationsinlargeareaelectronics.

简介：Intrinsiccarrierconcentration（ni）isoneofthemostimportantphysicalparametersforunderstandingthephysicsofstrainedSiandSi1-xGexmaterialsaswellasforevaluatingtheelectricalpropertiesofSi-basedstraineddevices.Uptonow,thereportonquantitativeresultsofintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSiandSi1-xGexmaterialshasbeenstilllacking.Inthispaper,byanalyzingthebandstructureofstrainedSiandSi1-xGexmaterials,boththeeffectivedensitiesofthestatenearthetopofvalencebandandthebottomofconductionband（NcandNv）at218,330and393KandtheintrinsiccarrierconcentrationrelatedtoGefraction（x）at300KweresystematicallystudiedwithintheframeworkofKPtheoryandsemiconductorphysics.ItisfoundthattheintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSi（001）andSi1-xGex（001）and（101）materialsat300KincreasessignificantlywithincreasingGefraction（x）,whichprovidesvaluablereferencestounderstandtheSibasedstraineddevicephysicsanddesign.

简介：Al-3B中间合金是亚共晶Al-Si合金的高效细化剂之一。实验研究了Al-3B中间合金中未溶AlB2颗粒对Al-7Si合金晶粒细化的影响。结果表明,AlB2颗粒的数目和沉降对晶粒细化效果都有重要影响。在实验结果和理论分析基础上,提出了Al-3B中间合金对亚共晶Al-Si合金晶粒细化的新机制,认为通过共晶反应形成的＂Al-AlB2＂包覆结构是导致晶粒细化的直接原因,未溶的AlB2颗粒是α（Al）相的间接行核基底。

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简介：AhypereutecticAl-Sialloypowderwaspreparedbyultrasonicgasatomizationprocess.Themorphologies,microstructureandphaseconstituentofthealloypowderwerestudied.TheresultsshowedthatpowderofthealloywasveryfineanditsrnicrostructurewasmainlyconsistedofSicrystalsplusintermetalliccompoundAl9FeSi3,whichwere.veryfineanduniformlydistributed.

简介：Forthedevelopmentofalow-melting-pointfillermetalforbrazingaluminumalloys,aseriesofAl-Si-Cu-(Ni,Sn,Zn)fillermetalshavebeenstudied.Throughdifferentialthermalanalysis(DTA),themeltingtemperaturesofsuchAl-Si-Cu-(Ni,Sn,Zn)fillermetalsweredetermined.Theresultsshowthattheadditionof3wt.%-5wt.%SnintotheAl-6Si-15Cufillermetalcausesitssolidustemperaturetodecreasebyabout12℃.ThefillermetalwiththecompositionAl-6Si-l5Cu-2Niisproposed,whichpossessesameltingtemperaturerangeof512℃to520℃andamicrostructarethatincludesanAl-Cueutecticphases,Al-Si-Cueutecticphases,siliconparticlesandCu_2Al,AlNi_3,Al_7Cu_4NiandAl_3Ni_2intermetalliccompounds.Anadditionof5wt.%-7wt.%ZnintosuchAl-Si-Cufillermetalscausetheirsolidustemperaturestodropfurthertoavaluelowerthan498℃.MetallographicobservationsindicatethattheadditionofZnintotheAl-Si-CufillermetalinhibitstheformationoftheAl-Si,Al-CuandAl-Si-Cueutecticphases.TheremainingphasesareaAl_2Cuintermetalliecompound,anα-Alsolidsolutionandsiliconparticles.

简介：

简介：摘要：以Al-Mg-Si合金为研究对象，通过金相组织、SEM、EDS、TEM等分析手段，采用显微硬度测试、拉伸性能测试等检测手段，研究了高Fe含量的添加对Al-Mg-Si合金的铸态及加工态组织和性能的影响。实验结果如下：（1）Fe元素的添加可以细化铸态组织晶粒，提高铸态组织硬度，同时造成铸态组织中元素富集，形成鱼骨状组织。（2）高Fe元素含量的添加使合金实现均匀化所需温度升高、时间延长，同时降低合金的过烧温度，导致均匀化更加困难。（3）Fe元素可以使经过575℃/50min固溶处理及170℃/8h时效处理后的合金板材的晶粒由80μm降低到60μm，对合金的晶粒起到细化作用。两种合金的再结晶程度均在98%以上，Fe元素对合金的再结晶过程影响不大。（4）Fe元素对合金的力学性能可以起到优化作用。添加Fe元素后合金的峰值时效硬度由124.5HV提高至126.7HV，轧向抗拉强度及屈服强度提高4%。

简介：摘要：随着对电子组装行业无铅化的要求越来越严格，无铅钎料技术技术得到迅速发展。为了满足电子组装行业焊点越来越小及焊点性能越来越高的要求，需对现有无铅钎料的性能提出更高要求。本文基于这一目的，在已有 SnAgCu系钎料研究基础上，进行 B元素对 SnAgCu系钎料性能影响的试验方案设计的研究。

简介：利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射，对Si(001）衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50％应变驰豫的GeSi合金量子点，其Ge组分为0．55。此外在掠入射X射线衍射Si(220）峰的高角旁观察到另外一个峰，对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

简介：低温下用MBE方法生长了Ge／Si超晶格。X射线近边吸收限精细结构研究表明，Ge与Si再Ge／Si界面处存在化学混合。X射线反射及横向散射研究表明，Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称，下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构：这种组分结构可以用一平均成份的SiGe合金层加以拟合，从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度。旋转样品进行的X射线散射研究表明，这种SiGe的混合是各向同性的，这与透射电子显微镜的研究结构相一致。

简介：Nb-24Ti-18Si-2Al-2Hf-4CrandNb-24Ti-18Si-2Al-2Hf-8Cralloyswerepreparedbyarcmeltinginawater-cooledcrucibleunderargonatmosphere.Microstructuralcharacteristicsandoxidationresistanceofthealloysat1250℃wereinvestigated.Theresultsshowthat,whentheCrcontentis4at%,themicrostructuresconsistof(Nb,Ti)_(ss)andNb_5Si_3;asCrcontentincreasesto8at%,C14LavesphaseCr_2Nbisformed.Theisothermaloxidationtestsshowthattheoxidationkineticsofthetwoalloysfollowsimilarfeatures.Theweightgainsofthetwoalloysafteroxidationat1250℃for100hare235.61and198.50mg·cm~(-2),respectively.Duringoxidation,SiO_2,TiO_2,Nb_2O_5andCrNbO_4areformedatfirst.Then,Ti_2Nb_(10)O_(29)isformedafteroxidationfor20minandbeginstochangeintoTiNb_2O_7astheoxidationproceeds.SiO_2isformedassolidstateatfirstbutlaterevolvesintoglassystatetoimprovethecohesionofthescale.Afteroxidationfor100h,oxidationproductsconsistofSiO_2,TiNb_2O_7,Nb_2O_5andCrNbO_4.

简介：由微观结构和机械性质上的艾尔的Si的部分或完整的替换的效果是广泛地与多角形的铁酸盐矩阵在多相的导致转变的粘性(旅行)学习了钢，但是很少在bainitic旅行钢学习了。当为第三代的进程参数的一个函数预付高力量钢(AHSS)，现在的学习的目的是适当地在bainitic钢在bainite转变，微观结构和机械性质上调查艾尔和Si的效果以便为alloying设计提供指南。而Si增加在bainite转变动力学导致延迟，它从dilatometry学习，微结构调查和艾尔增加导致加速的张力的性质大小被显示出。艾尔的增加延迟进在使温度保持比450高的珠泽铁和碳化物的奥氏体的分解?敲牣獹慴汬穩瑡潩?湡敮污湩?慷?灡汰敩?潴愠???┶楓猠整汥琠?浩牰癯?桴?慭湧瑥捩瀠潲数瑲敩?吠敨椠灭捡?景愠?慣瑳猠牴灩瀠敲愭湮慥楬杮漠?桴?業牣獯牴'壮肭?整瑸牵?瀠敲楣楰慴楴湯愠摮洠条敮楴?牰灯牥楴獥眠牥?湩敶瑳杩瑡摥戠?汥'虪箿珵u潲敢洠捩潲愭慮祬楳?琠慲獮業獳潩?汥'虪箿珱＾驿麙盏?愠摮堠爭祡搠晩牦捡楴湯愠慮祬楳?攠'?瑉眠獡映畯摮琠慨?桴?牰'虨宫摤嫕?景猠'虦?桰獡?慰瑲捩敬?...

简介：在Ni-Cr-B-Si基钎料中添加WC，添加量（质量分数）不超过30％。对胎体材料的硬度、抗弯强度和耐磨性进行测定，用扫描电镜观察胎体的表面形貌，并对不同区域进行能谱分析。结果表明，随w（WC）增加，胎体材料的硬度和耐磨性先增大后减小，在w（WC）为20％时，硬度达到最大值（123．8HRB），耐磨性最好，磨损量为0．221g。抗弯强度随w（WC）增加先缓慢下降，w（WC）超过20％后急剧下降。抗弯强度在1080～1220MPa之间，完全满足钻头对胎体抗弯强度的要求（抗弯强度值／〉700MPa）。胎体中WC颗粒由原始尺寸45～50μm减小到5μm以下，含WC的胎体材料出现较多的孔洞，钎焊层致密性下降。能谱分析表明，胎体材料中w元素与C元素没有同时出现，由此推断WC发生了相的转变；黑色区域为Ni、Fe、O的富集区，生成Ni与Fe的氧化物。

简介：摘要 本文对张应变的 Si基外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性以及 NiGe与外延 Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试结果，表明张应变外延 Ge上 NiGe薄膜的热稳定性比 N型 c-Ge上 NiGe薄膜的热稳定性提高了 100oC，可能的原因是 NiGe薄膜与张应变的外延 Ge之间的晶格失配较小， NiGe薄膜所受到的应力较小。 I-V测试结果表明 NiGe与外延 Ge接触反向漏电流较大，器件整流比较小，势垒高度比 NiGe/c-Ge的势垒高度小。因此，要使 NiGe更好的应用于外延 Ge基的肖特基势垒源漏的 MOSFET中，还需要进一步提高外延 Ge质量。

简介：摘要：本文通过热分析仪对铸造Al-Si合金变质处理后检测数据的研究，发现了影响铸造Al-Si合金晶粒细化的主要因素，分析了各元素含量对热分析值造成的影响，确定了各合金元素的控制范围，对Al-Si合金活塞的成分控制、晶粒细化、金相组织等级的提高具有很好的指导意义。