简介:使用不同成分的Zn-Al钎料对铜铝异种金属进行火焰钎焊,研究其力学性能。利用光学显微镜、扫描电镜和能谱研究不同Zn-Al钎料对Cu/Al钎焊接头钎焊性、力学性能及显微组织的影响。结果表明:随着Al含量的增加,Zn-Al钎料在Cu和Al上的铺展面积逐渐增大。当钎料中Al含量为15%时,Cu/Al接头的抗剪强度达到最大值88MPa;随着组织的变化,钎缝硬度值呈现HV122到HV515不等的分布。另外,钎缝组织的成分主要为富Zn相和富Al相,但是当钎料中Al含量为2%和15%以上时,靠近Cu侧的界面处会分别形成CuZn3和Al2Cu两种完全不同的金属间化合物。研究Zn-Al钎料中铝含量对Cu/Al接头界面化合物类型的影响。
简介:采用气压浸渗法制备中体积分数电子封装用Al/Si/SiC复合材料。在保证加工性能的前提下,用与Si颗粒相同尺寸(13μm)的SiC替代相同体积分数的硅颗粒制得复合材料,并研究其显微组织与性能。结果显示,颗粒分布均匀,未发现明显的孔洞。随着SiC的加入,强度和热导率将得到明显提高,但热膨胀系数变化较小,对使用影响也不大。讨论几种用于预测材料热学性能的模型。新的当量有效热导被引入后,H-J模型将适用于混杂和多颗粒尺寸分布的情况。
简介:采用动电位极化及浸出方法研究Sn-0.75Cu钎料及Sn-0.75Cu/Cu接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀行为。极化曲线测试结果表明Sn-0.75Cu钎料的腐蚀速率比Sn-0.75Cu/Cu接头的低。在特殊电位时的形貌观察及相分析表明,在Sn-0.75Cu钎料表面活化溶解区形成腐蚀产物Sn3O(OH)2Cl2。从活化/钝化区开始,Sn-0.75Cu钎料的表面完全被腐蚀产物Sn3O(OH)2Cl2覆盖,并且在极化测试后出现蚀坑。与Sn-0.75Cu钎料合金相比,Sn-0.75Cu/Cu接头的钎料表面在活化区形成较多的Sn3O(OH)2Cl2,在极化测试结束时腐蚀坑的尺寸较大。浸出实验结果证实了Sn-0.75Cu/Cu接头较快的电化学腐蚀速率引起较多的Sn从中接头中释放出来。
简介:摘要目的探讨GE单排螺旋CT机故障的维修方法。方法回顾性分析我科2010年2月至2012年2月期间6例GE单排螺旋CT机故障现象、故障分析思路以及方法。结果经查阅说明书,配合以往经验检查处理后,所有故障均得到相应处理,系统和机器运转正常。结论查阅相关说明书,依靠现场实际故障状态对其判断分析,做好设备的日常保养维护和质量控制工作是保证设备正常工作的重要环节。
简介:High-strengthsteelshavebeenwidelyappliedtoautomotivechassisparts.Inordertoformcomplexshapes,highholeexpansionratesandhighformabilityarerequired.Dualphase(DP)steelhasagoodformability,butapoorholeexpansionrate.Inthiscircumstance,anotherkindofsteelwhichhasamicrostructureofferrite-bainite,ratherthanferrite-martensite,hasbeenfoundtobeanalternativesolution.ItiscalledFBsteel.ThissteelwithSi,CandMnadditionsareappliedinthisstudy.Atwo-stepcooling...
简介:Amorphoussilicon(a-Si),nanocrystallinesilicon(nc-Si)andhydrogenatednanocrys-tallinesilicon(nc-Si:H)filmswerefabricatedbyusingchemicalvapordeposition(CVD)system.Thea-Siandnc-Sithinfilmswereirradiatedwith94MeVXe-ionsatfluencesof1.0×1011ions/cm-2,1.0×1012ions/cm-2and1.0×1013ions/cm-2atroomtemperature(RT).Thenc-Si:Hfilmswereirradiatedwith9MeVXe-ionsat1.0×1012Xe/cm-2,1.0×1013Xe/cm-2and1.0×1014Xe/cm-2atRT.Forcomparison,mono-crystallinesilicon(c-Si)sampleswerealsoirradiatedatRTwith94MeVXe-ions.AllsampleswereanalyzedbyusinganUV/VIS/NIRspectrometerandanX-raypowderdiffractometer.Variationsoftheopticalband-gap(Eg)andgrainsize(D)versustheirradiationfluencewereinvestigatedsystematically.Theobtainedresultsshowedthattheopticalband-gapsandgrainsizeofthethinfilmschangeddramaticallywhereasnoobservablechangewasfoundinc-SisamplesafterXe-ionirradiation.Possiblemechanismunderlyingthemodificationofsiliconthinfilmswasbrieflydiscussed.
简介:MoleculardynamicssimulationsareperformedtoinvestigateCF3continuouslybom-bardingtheamorphoussiliconsurfacewithenergiesof10eV,50eV,100eVand150eVatnormalincidenceandroomtemperature.TheimprovedTersoff-Brennerpotentialswereused.Thesimu-lationresultsshowthatthesteady-stateetchingratesareabout0.019,0.085and0.1701for50eV,100eVand150eV,respectively.Withincreasingincidentenergy,atransitionfromC-richsurfacetoF-richsurfaceisobserved.IntheregionmodifiedbyCF3,SiFandCFspeciesaredominant.
简介:DenseSi3N4BNcompositeceramicswerefabricatedbysparkplasmasinteringat1500,1600and1650℃under50MPafor5minusingSi3N4andBNpowdersasstartingmaterialsand2mass%Al2O3and6mass%Y2O3assinteringadditives.ThevolumefractionofBNinSi3N4BNcompositepowderswaschosenas10%,20%,and30%,respectively.TheresultsofXRDandSEMshowthatα-Si3N4completelyturnsintoβ-Si3N4whenthecompositeceramicsaresinteredat1650℃;theadditionofBNhindersthegrowthofSi3N4grains,refiningthestructure;VickershardnessandfracturetoughnessofthecompositeceramicsdecreasewiththeincreaseofBNcontent.