简介：随着国内半导体工艺水平的不断提高,固态合成功率放大器也开始大量的被应用到各种微波工程之中。目前国内多种固态合成功率放大器的产品皆以多路波导合成的方式获得大功率。在使用这些多路合成结构对大量功率器件进行功率合成时,一个或者多个器件的失效将对总体的输出功率造成多大的影响便成为了大家极其关心的性能指标。文章对固态功率合成器进行了理论的分析,通过计算推导出端口失效的模式。对两路合成器进行了仿真得到了失效50%会导致功率下降6dB的结论。并通过对八路波导合成功率放大器的失效模拟试验,验证了前面的计算分析。最后对试验中取得的数据进行比较分析得出了该数据在实际工程应用的作用。

简介：摘要随着科技的进步与创新，时代的发展与前进，集成电路产业不断地飞跃，集成电路已经渗透在我们生活中的各处领域，特别是便携式的电子产品。作为消费类的音频功率放大器采用集成方式实现，也是集成电路领域中重要的一部分。因此，对高性能音频功率放大器的研究与设计具有重要的实际意义。本文首先对基本共发射极与共集电极放大电路的结构和基本工作原理进行初步了解，再掌握功率放大电路和构成集成运算放大器中的基本单元电路——差分放大电路与电流源电路。最后针对功率放大器的非线性失真小，静态功耗小，电源效率尽可能高等性能，选择差动输入级功率放大器，利用Multisim仿真。

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。

简介：<正>位于美国加州的功率半导体和集成电路的供应商IXYS公司日前宣布一项新型的铝基基片技术。该项技术也称为直接铝材连接(directaluminumbonded简称(DAB)技术,已经用于集成功率半导体模块的生产中,例如:马达驱动、DC/DC转换器和功率模块中。该项技术是一项替换直接铜材连接(directcopperbonded)简称(DCB)先进技术,在直接铜材连接技术中铜作为主要的导体被连接到铝或者氮化铝陶瓷上。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

简介：<正>功率半导体下游需求旺盛,发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强,iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元,增长率达到23.2%。MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿

简介：音频A/D转换芯片的输出增益和失真度是无法直接测试的,需要对输出的数字信号进行解析还原成模拟信号方可以进行测试。有些A/D产品输出的数字信号可以直接进行解析还原成模拟信号,而有些则需要先对输出的数字信号进行处理。以某A/D转换芯片为例,首先利用了六反向施密特触发器74HC14和8位串入并出移位寄存器74HC164对输出信号时序进行转换,然后采用stm32f103对时序转换后的数字信号进行解析,最后将解析后的数据传送至上位机,最终实现了对该A/D转换芯片输出增益及失真度测试的目的。

简介：摘要随着现代社会经济的不断发展与完善，推动着科学技术的不断发展与创新，使得在人们的正常生活中，计算机信息化技术的越发的普及。对计算机而言，计算机的众多编程语言之中，C语言是最为重要的基础部分，并且还得到了非常普遍的使用。但是在使用C语言对计算机进行有效编程时，会存在一定的运算问题，而且编程过后的语法检查和一些特征有着一定的不足，导致着整体的计算机编程效果以及效率受到一定的影响。因此，本文将以C语言的计算机编程技术为课题进行展开分析，通过对C语言的计算机编程技术出现的问题进行深入的研究，并且制定有效的解决方案。

简介：<正>北京大学生命科学学院邓宏魁教授在港接受本刊专访干细胞研究已经成为生命科学和生物医学界最活跃和最具影响的领域,以干细胞治疗为核心的再生医学,将成为继药物治疗、手术治疗后的第三种疾病治疗途径,从而成为新医学革命核心。2013年7月18日,北京大学生命科学学院邓宏魁教授和赵扬博士带领的研究团队在国际学术权威杂志《Science》上发布其最新研究成果:利用小分子化合物,成功诱导体细胞重编程为多潜能

简介：<正>Aethercomm公司推出其最新高功率宽带RF放大器,其工作频率为600～3000MHz。这种固态功放适用于宽带军事平台,整个频带的饱和输出功率典型值为10.0W,典型增益34

简介：

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：

简介：2016年氮化镓（GaN）功率元件产业规模约为1，200万美元，研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4．6亿美元，年复合成长率高达79％。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用，尤其是高阶低／中压应用，GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

简介：随着人们绿色节能意识的提高，电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起，同时也推动了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率半导体等产品的应用变得愈来愈普及。这是导致去年下半年以来市场上出现MOS—FET等功率半导体供货紧张的重要原因之一。相关消息显示，当前市场上的MOSFET缺货潮已经延续超过半年之久，随之出现的则是涨价与交期延长。不过这种情况的出现，对于我国功率半导体行业来说又是一个难得的发展机遇，不应轻易放过。

简介：理论上推导了均匀平面波垂直入射与任意入射时的透射系数，利用Fourier变换对各种超宽带（UWB）脉冲波形在室内墙体透射中的失真问题进行了研究，仿真结果和时域的精确结果对比，一致性良好，另外初步分析了波形失真的特性。

简介：发光二极管（LED）是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件，具有一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍，重点论述了封装的关键技术，包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术，最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。

简介：随着高功率微波武器的不断发展，防护技术逐渐引起各国的高度重视。分析了高功率微波武器对雷达的毁伤途径和效果，研究了雷达防护高功率微波武器的加固方法，提出了战场防护建议。

简介：<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。