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Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

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摘要 <正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET（?）功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK（?）SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优

DOI g4qnk52748/1563996

作者邹勉

机构地区不详

出处《半导体信息》 2010年4期

关键词首款 TRENCHFET 低导通电阻栅极驱动栅极电荷功率损耗

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2010年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）