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59 个结果
  • 简介:<正>比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ-Ⅴ族与晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下,以及实现混合CMOS-RF与CMOS光电元件的化合物。随着晶片微缩即将接近原子级的限制,业界致力于提高晶片性能与降低功

  • 标签: 光电元件 化合物半导体 原子级 FINFET 磷化铟 首款
  • 简介:导电主要是由环氧树脂基体和导电粒子组成的复合导电聚合物,其力学性能主要是由聚合物基体决定,基体是粘弹性材料,具有时间和温度依赖性。文章建立了一个基于时间-温度、时间-固化度的宏观粘弹性本构关系来描述导电在固化过程中的粘弹性行为,通过动态力学试验(DMA)表征导电的粘弹性行为,测定导电的粘弹性参数。通过对导电胶粘弹性行为表征,能更好的优化固化工艺参数。

  • 标签: 导电胶 粘弹性 动态力学试验(DMA)
  • 简介:EFD新推出的Ultra^TM2400系列点胶机,适用于各种工业流体,包括从稀薄的水性溶剂到粘稠硅胶和膏体状的树脂。全新的设计为市场提供了功能更全、控制能力更强的点系统。2400尽量减少占用工作台面积,为操作工释放更多工作空间;拥有独特的气压控制体系和高速电磁阀系统,能够完成精确、一致的点控制。机身上还可根据您的应用需求安装工作灯、手感舒适的手持点器和柔性的针筒支架等多种实用的配件。主要特性:

  • 标签: EFD公司 Ultra^TM2400 点胶机 功能
  • 简介:近日,澳大利亚通过元素制造量子处理器的计划已经启动.预计今年7月,悉尼新南威尔士大学(UNSW)量子计算和通信技术中心将会收到首批3300万美元的投资.据悉,这些资金来源于政府和产业界,其目标是创造现实可用的量子计算机.

  • 标签: 量子计算机 澳大利亚 硅元素 新南威尔士 技术中心 资金来源
  • 简介:新型Ultra^TMTTXYZ点系统是市场上唯一使用Palm^TM掌上电脑编程的多轴自动点平台。XYZ点系统可与EFD任何一款点胶机或阀配合使用,完成各种工业在不同工件上的打点、划线、以及复杂的弧线或图案等点作业,且定位精确、重复性极佳。特性和优势:

  • 标签: EFD公司 XYZ 自动点胶系统 功能
  • 简介:文章主要介绍了通过对厚多晶膜进行饱和掺杂来制作低阻值多晶电阻的方法。分析了多晶掺杂扩散模式,其中A类扩散模式能够得到较低的多晶电阻。要使杂质以A类扩散模式掺入多晶中,需要采用炉管扩散的方式进行长时间的掺杂。受杂质固溶度影响,一定厚度的掺杂多晶电阻值是无法无限制降低的,要制作低阻值多晶电阻,需要淀积厚多晶薄膜。文章选择炉管扩散的方式,进行低阻值的多晶薄膜制作,并通过实验,证实该方法可以得到稳定、均匀、低阻值的多晶方块电阻。

  • 标签: 厚多晶硅薄膜 饱和掺杂 低阻 多晶硅电阻
  • 简介:据《每日科学》2016年4月16日报道,在纳米光子领域,科学家首次实现了在基光子芯片上集成一个有机增益介质激光器,这一突破可对生产低价生物传感器带来无限潜能。来自卡尔斯鲁厄研究所(KIT)的研究人员开发了一种新的红外激光,将纳米质波导管和掺杂了有机染料的聚合物相结合,由此,激发这个有机激光器的能量来自于芯片上部与芯片表面垂直的脉冲光源。研究人员成功地将产生的脉冲激光辐射控制在1310nm波长范围,

  • 标签: 光子芯片 光集成 硅基 世界 研究人员 生物传感器
  • 简介:随着三维叠层封装、MEMS封装、垂直集成传感器阵列以及台面MOS功率器件倒装焊技术的开发,通孔互连技术正在受到越来越广泛的重视和研究。文中叙述了几种通孔互连技术的制造方法,以及它们在三维封装、MEMS封装、高密度基板、垂直集成传感器阵列和台面MOS功率器件等方面的应用。最后,进一步阐述了通孔互连中几项关键技术的研究现状以及存在的挑战。

  • 标签: 硅通孔互连 三维封装 MEMS封装
  • 简介:本文阐述了ULSI衬底片清洗的重要性,介绍了目前世界上采用的各种清洗方法(湿法、干法、超声、激光等)的概况,并通过理论分析及清洗实验研究找出适用于工业规模应用的硅片清洗液和清洗技术.

  • 标签: ULSI 衬底单晶片 清洗方法 表面活性剂 兆声清洗
  • 简介:DS-200B全自动点胶机是一种专为各种工件涂胶而研制的高品质三自由度涂胶设备。采用龙门架式机械结构,适用于点、直线、圆弧以及任意不规则产品的点、涂胶。运动参数下载方便,可直接读取AUTOCAD数据文件作为运行数据,或采用手持式编程器直接通过RS-232串口进行示教编程。

  • 标签: 涂胶设备 点胶机 全自动 RS-232串口 AUTOCAD 三自由度
  • 简介:<正>SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是"二十一世纪的集成电路技术"。但SOI晶圆成本高于普通晶圆,而没有得到推广。1998年IBM成功利用SOI技术制成高性能处理器,标志着SOI正式迈入高性能商用芯片市场。此后的十几年SOI领

  • 标签: FDSOI 绝缘体上硅 硅集成电路 硅晶圆 高性能处理器 沟道效应