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15 个结果
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析,研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明,由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离,容易产生γ-Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于(001)面的亚晶界,这可能和其沿[001]方向的极性有关。

  • 标签: GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术 氮化镓 TEM
  • 简介:小角X射线散射(SAXS)是一种有效的、重要的亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS的基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系的解析方法及其在溶胶-凝胶法制备多孔材料研究中的应用。

  • 标签: SAXS 溶胶-凝胶法 多孔材料 孔结构隙 小角X射线散射
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻
  • 简介:通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面,考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明,催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在,其化学组成主要为FeOOH,且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

  • 标签: 表征 硫化铁 原位担载 催化剂 前驱体 煤液化
  • 简介:用XPS和PES研究了钙肽矿氧化物BaTiO3薄膜和La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,BaTiO3薄膜表面最顶层TiO2原子平面,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物薄膜 电子结构 XPS BATIO3 La1-xSnxMnO3 外延生长
  • 简介:本文对合成制备的LiNiO2、LiCo2和LiNixCo1-xO2正极材料以及稀土金属Ce元素添加改性的正极材料进行了XRD和EXAFS表征。结果表明,随着焙烧温度的升高,物相组成趋于单一,晶格趋向完整,800℃时完全形成LiNiO2、LiCoO2晶相结合。LiNiCoO2样品中Ni/Co比不影响LiNiO2晶相的形成,而只影响其晶相组成;掺杂的稀土金属Ce元素以CeO2状态存在于产物中,CeO2对LiNiO2晶相形成有一定的影响;LiCoO2的焙烧温度不能大于900℃,否则Co被氧化为Co3O4;样品中Ni与Co原子的局域结构,除Ni与Co原子相互影响外,掺杂Ce后对它们的局域结构也有较大影响。

  • 标签: LINIXCO1-XO2 局域结构 锂离子电池 正极材料 XRD EXAFS
  • 简介:分别测定了纯煤样和浸渍煤样的小角X射线散射,基于GBC理论假设,采用相关函数法计算了原位担载于两种烟煤上FeSO4的粒径分布,考察了助剂Na2S和尿素的添加对其粒径分布的影响,计算结果与XRD表征结果相似,FeSO4在两种煤样上的最可几粒径为4nm左右,分布范围为0.5-8nm,助剂对FeSO4粒径分布的影响较小,它们的添加主要是改变了催化剂前驱体的活性组成。

  • 标签: 煤液化 催化剂 粒径分布 相关函数算法
  • 简介:用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地,我们采用角分辨X-射线光电子谱技术(ARXPS),研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明,La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上,我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

  • 标签: 钙钛矿型氧化物 La0.9Sn0.1MnO3 庞磁阻薄膜 电子结构 XPS 同步辐射
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅