简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增
简介:摘要:长余辉材料具有长余辉现象,即在停止一定波长的高能电磁波辐射以后,物质自身仍然能发射可见光数秒至数个小时的现象。因此,长余辉材料也是一种潜在的绿色储能材料,非常有研究的意义。传统的长余辉材料分为有机和无机两类,其中无机长余辉材料,也是本次课题的研究对象。尽管自20世纪末,人们已经注意到了无机长余辉材料,但是进展仍是缓慢的。如今无机长余辉材料面临着三大难题,①发光机理不确定;②红光长余辉材料较为匮乏;③在实际环境中容易受影响,应用上存在困难。近年来长余辉材料的研究取得了很大的进展,然而,其背后的机理仍然是有争议的主题。在这篇综述中,我们将主要介绍长余辉材料的发展历史、发光分析以及将来可能应用的前景。