简介：孔径、缝隙散射在工业、军事领域，尤其是雷达目标特性分析和目标识别方面有重要的应用价值。文章将孔隙散射依次分为单孔隙二维散射、单孔隙三维散射、多孔隙散射等三类，从混合算法、并行计算等方面介绍了孔隙散射问题研究的发展状况。结合孔隙散射在弹丸姿态测量中的运用，建议应当加强对散射问题物理意义理解和研究。

简介：利用Mie理论和M-P雨滴谱分布，分析了粒子尺度及不同波长对消光效率因子的影响，详细推导了光波在雨中衰减的计算公式，得到了衰减与降雨率之间的确定关系，介绍了前向散射修正系数，分析了雨滴的前向散射对532nm波长光信号传播的影响，得到了经过前向散射修正后的衰减计算公式。

简介：使用点渗流网格建模无线传播信道,使用酒徒行走模型建模电磁波在传感信道中的传播过程。酒徒经过k步后,得到某个扇区内取向角均匀分布的随机游走的平均行走距离。在此基础上,得到随机射线在传播空间给定位置的概率分布,最后使用随机射线方法得到了放大传送模式下传感网络的路径损耗模型。该模型中出现指数为1.75的距离r的对数函数形式,以及距离的线性项,该项作为新模型的修正项。

简介：提出了基于小波去噪结合自适应阈值的Canny算子进行返回散射电离图前沿提取的方法；简单介绍了小波变换去除噪声和用Canny算子进行边缘检测的基本步骤,结合返回散射电离图的统计特性和基本全局阈值技术,提出一种自适应阈值方法进行Canny算子硬阈值的确定方法.所研究的方法可有效的降低噪声对返回散射电离图前沿提取的影响,将返回散射电离图前沿成功提取出来.

简介：提出了一种基于HF返回散射和斜向探测联合探测电离层,融合两种探测结果联合反演电离层参数的新方法。反演方法基于特定的电离层QP模型和均方误差最小准则,采用全局搜索的方法确定QP模型参数和梯度参数。仿真结果显示,在引入随机误差的情况下,联合反演相比单一手段的反演算法具有更好的反演的效果,能够有效改善反演算法的稳定性。

简介：提出了基于实测返回散射电离图和斜向探测电离图及三维射线追踪技术综合处理的群路径P到地面距离D变换（简称PD变换）的坐标配准系数（kr）修正方法，采用“归一化”的思想，计算射线追踪技术合成的斜测电离图和实测斜测电离图的归一化频率对应的群路径差值，利用该差值，修正不同距离的合成的群路径，特别是能够对远区没有信标参考地区的坐标配准系数进行修正。仿真分析了临界频率和反射高度估计存在误差时“归一化”方法修正的有效性，从而验证了该方法能够有效地克服电离层参数估计不准对坐标配准系数的影响。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni（W）Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

简介：以基于运动方程的长时间能量积累方法为理论基础，提出了该方法的一种具体实现方式。详细分析了该方法在实际应用中具体的信号模型及信号处理流程；并以斜向匀速直线运动情况为例，说明了该方法的具体应用；最后的仿真结果表明，该方法对斜向匀速直线运动目标具有良好的积累性能。

简介：<正>日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管"RBE系列"。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6mm)。通过这些

简介：在光纤通信中，光脉冲信号在光纤中传输的过程中会受到色散、损耗和非线性等作用的影响而不断地发生演化和畸变。脉冲演化的规律遵循非线性薛定谔方程（NLSE）。由于NSLE在一般情况下无法求得它的解析解，因此通常需采要用数值方法来求解。本文使用了分步傅里叶方法对NLSE进行了求解，并用利用这一结果对四种常见的光通信光脉冲在光纤中传输时的演化情况进行了计算机仿真研究，仿真结果分别模拟了几种常见光脉冲在光纤中传输时包络的演化情况。