简介：Siliconcarbidefiber/siliconcarbidematrix(SiCf/SiC)compositesareofinterestasafuelcladdingandstructuralmaterialindesignsofadvancednuclearreactorduetotheirsuperiorthermo-mechanicalpropertiesandstabilitiesandlowcross-sectionforneutroncaptureunderthesevereserviceenvironmentincludinghightemperatureandhighenergyneutronbombardment.SiCf/SiCcompositionsconsistsofSiCfiberandSiCmatrixwhichexistinwellover100polymorphsdependentonthevariedstackingofSi-Cclose-packedatomicplanes,2H-SiC,4H-SiC,6H-SiC,3C-SiC,15R-SiC,etc.EnergeticHeatomscanbecreatedandaccumulatedvianuclearreactions.HeatomsagglomerateandcoarsenintoHebubblesandcandeterioratestructuralpropertiesbyinducingcrackandcreep.Inthisexperiment,thedamageofn-type4H-SiCwafers(researchstandard,suppliedbytheCreeResearchInc.)withathicknessof0.38mmimplantedwith100keVHe+toafluenceof31016He+/cm2andpost-implantation-annealedbehavioratdifferenttemperaturewerestudiedusingRamanscatteringspectroscopy.

简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。

简介：德国表面工程和薄膜方合菲研究所报道，金刚石涂层与碳化硅和氮化硅陶瓷间可生成非常强的化学键，这样在高负载下保证了涂层不致开裂。金刚石涂覆的陶瓷还可有很强的抗摩擦能力。以金刚石涂覆的陶瓷零件可用于泵浦、发动机和搅拌器等的密封轴承环，仪表指针轴瓦和拉丝模等。

简介：采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末，并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明：复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。

简介：陶瓷与金属连接具有重要的工程应用背景,然而却面临诸多技术难关,连接件的热应力缓解便是其中之一。本文作者采用弹性有限元方法,对采用不同材料作为中间层得到的实际连接尺寸的SiC陶瓷与Ni基高温合金连接件的应力进行计算,并结合各种材料的塑性对连接件的应力进行定性分析。计算结果表明,SiC陶瓷与Ni基高温合金直接连接产生的热应力很大。最大轴向拉应力位于陶瓷近缝区,导致连接件强度偏低或断裂。采用功能梯度中间层或软金属中间层能在一定程度上缓解热应力;硬金属中间层虽然不能缓解应力,但能改善应力分布状态,使最大轴向拉应力迁移出比较薄弱的陶瓷一侧,有利于连接强度的提高;采用软、硬金属复合中间层具有较好的缓解应力和改善应力分布的效果,但却较多地增加了连接件的界面,有可能导致负面效应,在实际工程应用中需要根据具体情况,权衡利弊,综合考虑。

简介：Tomeettheincreasingdemandforadvancedmaterialscapableofoperationover2000℃forfuturethermalprotectionsystemsapplication,C/C—ZrC—SiCcompositeswerefabricatedbyreactivemeltinfiltration(RMI)withZr,Simixedpowdersasrawmaterials.ThestructuralevolutionandformationmechanismoftheC/C—ZrC-SiCcompositeswerediscussed,andthemechanicalpropertyoftheas-preparedmaterialwasinvestigatedbycompressiontest.TheresultsshowedthataftertheRMIprocess,aspecialstructurewithZrC-SiCmulti-coatingasouterlayerandZrC-SiC-PyCceramicsasinnermatrixwasformed.ZrCandSiCrichareaswereformedinthecompositesandonthecoatingsurfaceduetotheformationofZr-SiintermetalliccompoundsintheRMIprocess.MechanicaltestsshowedthattheaveragecompressionstrengthoftheC/C-ZrC-SiCcompositeswas133.86MPa,andthecarbonfibersinthecompositeswerenotseriouslydamagedaftertheRMIprocess.

简介：SiCMOSFET比SiIGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力,有利于减小永磁同步电动机（PMSM）驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1kWPMSM,对功率器件分别采用SiIGBT和SiCMOSFET的PMSM驱动器进行了功率损耗计算分析,并对死区效应的影响进行了阐述和仿真分析。设计制作了基于两种功率器件的PMSM驱动器,对损耗、效率、散热器温升以及低速下死区效应的影响进行了实验对比,研究表明,SiCMOSFET可使PMSM驱动系统获得更高的效率、功率密度和更好的动态性能。

简介：

简介：随着微电子技术及半导体技术的快速发展，高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP／Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能，受到了广泛的关注。作为电子封装材料，SiCP／Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状，详细阐述并比较了几种常用的制备方法，包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等，进一步分析了各种方法的优缺点，并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

简介：摘要：第三代半导体设备技术，是半导体发展历程中的重要技术，也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料，对其晶体生长方式进行分析，探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况，为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术，意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用，提升半导体材料的商业价值。

简介：摘要：本文采用原位反应无压浸渗工艺，制备出了SiC/Al双连续相复合材料。使用光学显微镜和电子显微镜等对SiC/Al双连续相复合材料的显微组织和界面结构进行了研究。研究的结果表明，复合材料浸渗效果显著，填充在网状多孔SiC陶瓷内的基体合金表现为典型的Al-Si合金，且呈枝晶状；增强相网状多孔SiC陶瓷与基体Al合金之间界面结合紧密，复合材料内部有明显的界面过渡层，且界面层的厚度大约为200m。

简介：摘要：本文采用原位反应无压浸渗工艺，制备出了SiC/Al双连续相复合材料。使用光学显微镜和电子显微镜等对SiC/Al双连续相复合材料的显微组织和界面结构进行了研究。研究的结果表明，复合材料浸渗效果显著，填充在网状多孔SiC陶瓷内的基体合金表现为典型的Al-Si合金，且呈枝晶状；增强相网状多孔SiC陶瓷与基体Al合金之间界面结合紧密，复合材料内部有明显的界面过渡层，且界面层的厚度大约为200m。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：采用平均粒径为800nm的超细SiC颗粒作为增强体，制备含SiC体积分数为15％的铝基复合材料，研究烧结温度和强压处理对复合材料微观组织和力学性能的影响。研究表明，提高烧结温度可有效加速复合材料的致密化，与520℃下烧结制备的复合材料相比，610℃下烧结制备的复合材料具有更高的密度和较低的孔隙度，从而具有更高的硬度。610℃下烧结制备的复合材料的硬度为83．9HBS，远高于520℃烧结制备的复合材料的硬度（53．7HBS）。这主要是由于烧结温度的提高可加速原子扩散，有利于Al粉之间以及Al粉与SiC颗粒之间的结合，并改善界面结合情况。研究还表明，强压处理可以有效提高复合材料的致密度和降低孔隙的体积分数，610℃下烧结制备的复合材料经强压处理以后的密度为2．68g／cm3，接近于理论密度（2．78g／cm3），且硬度可达121HBS，抗拉强度、屈服强度和伸长率分别可达177．6MPa、168．6MPa和3．97％。

简介：利用强度测试、元素分析、XRD和SEM分析研究了先驱体转化法制备得到的KD-Ⅰ和KD-Ⅱ两种连续碳化硅纤维在1000-1500℃空气中保温1h后结构和性能的变化。实验结果表明：随着氧化温度的升高，两种纤维的氧含量增加，而强度出现了下降；当温度超过1400℃时，出现了α-方石英结晶态的二氧化硅，在氧化层和内部纤维的界面附近出现了裂纹。与KD-Ⅰ相比，在空气中热处理1h后KD-Ⅱ表现出更好的抗氧化性能，这是因为KD-Ⅱ纤维的氧化层中气孔较少，对内部未氧化的碳化硅纤维保护效果更好。

简介：Wereportthefabricationofsubmicrometerpitsarray(SP-array)on6H-SiCsurfacebytheinterferenceoftwofemtosecondlaserbeams.FormationmechanismsandopticalabsorptionofSP-arrayarestudied.Therelativereflectivityandtransmissivityofwhitelightdecreaseto10%ofthevaluesofSiCcrystal,andtheopticalabsorptionisenhancedto97%.Therelativereflectivityandtransmissivityofincidentangleswithintherangeof20°-60°arekeptbelow25%.TheenhancementmechanismofopticalabsorptionoftheSP-arrayisalsodiscussed.

简介：以PZC为有机锆先驱体原材料，采用A，B，C三种PIP工艺路线制备了不同ZrC含量的C／SiC-ZrC复合材料，并对C／SiC-ZrC复合材料的组成、微观结构、力学性能、烧蚀性能及作用机理进行了测试和分析。结果表明，有机锆先驱体制备的C／SiC-ZrC复合材料烧蚀性能有大幅提高，但其力学性能却存在一定程度的下降，并且随着zrc含量的增加，C／SiC复合材料的力学性能呈现出逐渐降低的趋势，其质量烧蚀率和线烧蚀率呈现出先减小后增大的趋势。

简介：对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：摘要：介绍了飞机C/C、C/C-SiC飞机刹车材料石墨化度的表征方法、材料石墨化度的影响因素，以及石墨化处理对材料性能的影响，以对工程应用提供指导。